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기지(matrix) 표면에 비정질 탄소 나노박막이 불꽃 화학적 기화 증착법(Flame Chemical Vapour Deposition; FCVD)에 의해 증착된 광학적 에너지가 증폭된 구조체
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제1항에 있어서,상기 기지는 금속, 금속산화물, 반도체, 폴리머 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광학적 에너지가 증폭된 구조체
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제1항에 있어서,상기 기지는 다공성 기지인 것을 특징으로 하는 광학적 에너지가 증폭된 구조체
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제1항에 있어서,상기 기지는 금속으로 증착된 것을 특징으로 하는 광학적 에너지가 증폭된 구조체
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제4항에 있어서,상기 금속은 금, 은, 구리, 알루미늄, 로듐, 이리듐, 텅스텐, 몰리브덴, 코발트, 아연, 니켈, 카드뮴, 티타늄, 루테늄, 오스뮴, 백금, 팔라듐, 주석, 루비듐, 크롬, 탄탈륨 및 니오븀으로 구성된 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광학적 에너지가 증폭된 구조체
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제2항에 있어서,상기 금속산화물은 금속산화물 나노와이어인 것을 특징으로 하는 광학적 에너지가 증폭된 구조체
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제6항에 있어서,상기 금속산화물 나노와이어는 SnO2, Al2O3, SiO2, ZnO, Ni2O, Bi2O3, TiO2, In2O3 및 WO3로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나의 나노와이어인 것을 특징으로 하는 광학적 에너지가 증폭된 구조체
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제1항에 있어서,상기 비정질 탄소 나노박막의 두께는 10 nm 내지 1000 nm인 것을 특징으로 하는 광학적 에너지가 증폭된 구조체
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기지(matrix) 표면에 불꽃 화학적 기화 증착법(Flame Chemical Vapour Deposition; FCVD)을 이용하여 비정질 탄소 나노박막을 증착시키는 공정을 포함하는 기지의 광학적 에너지의 증폭 방법
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제9항에 있어서,상기 기지는 금속, 금속산화물, 반도체, 폴리머 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 기지의 광학적 에너지의 증폭 방법
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제9항에 있어서,상기 기지는 불꽃 화학적 기화 증착법 이전에 표면 개질 공정을 더 포함하는 특징으로 하는 기지의 광학적 에너지의 증폭 방법
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제11항에 있어서,상기 표면 개질은 상기 기지에 다공성을 형성하거나 금속을 흡착하는 것을 특징으로 하는 기지의 광학적 에너지의 증폭 방법
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제9항에 있어서,상기 비정질 탄소 나노박막의 두께는 10 nm 내지 1000 nm인 것을 특징으로 하는 기지의 광학적 에너지의 증폭 방법
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