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전기 전도성을 갖는 제1 금속으로 형성된 금속층;상기 금속층 표면 상에 배치되고, 가시광선 및 근적외선을 흡수할 수 있는 밴드갭을 갖는 반도체 물질로 형성된 반도체층; 및 상기 반도체층 표면 상에 규칙적으로 배치되고, 전기 전도성을 갖는 제2 금속으로 형성된 복수의 금속 패턴을 포함하는, 다중분광 스텔스 소자
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제1항에 있어서, 상기 반도체층은 파장이 2 ㎛ 초과 14 ㎛ 이하인 중파장 및 장파장 적외선은 투과시키나 파장이 2 ㎛ 이하인 단파장 적외선, 근적외선 및 가시광선에 대해서는 적어도 일부의 에너지를 흡수하는 반도체 재료로 형성되고,상기 반도체층과 상기 금속층의 계면에서는 상기 적외선에 대해 주파수 선택적인 반사가 발생하는 것을 특징으로 하는, 다중분광 스텔스 소자
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제2항에 있어서,상기 중파장 및 장파장 적외선은 상기 반도체층과 상기 금속층의 계면에서 흡수 또는 투과보다 반사가 우세하게 발생하고,상기 단파장 적외선, 근적외선 및 가시광선은 상기 반도체층과 상기 금속층의 계면에서 반사보다 흡수 또는 투과가 우세하게 발생하는 것을 특징으로 하는, 다중분광 스텔스 소자
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제2항에 있어서, 상기 반도체층은 게르마늄(Ge)으로 형성된 것을 특징으로 하는, 다중분광 스텔스 소자
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제2항에 있어서, 상기 반도체층의 두께는 20 내지 100nm인 것을 특징으로 하는, 다중분광 스텔스 소자
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제1항에 있어서, 상기 복수의 금속 패턴은 플라즈몬 공명을 통해 가시광선 영역의 위장색을 생성하는 것을 특징으로 하는, 다중분광 스텔스 소자
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제6항에 있어서, 상기 복수의 금속 패턴 각각은 100 내지 500 nm의 직경을 갖고, 50 내지 100 nm의 두께를 갖는 원형 디스크 형상을 갖는 것을 특징으로 하는, 다중분광 스텔스 소자
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제7항에 있어서, 상기 복수의 금속 패턴 중 인접하게 배치된 2개의 중심 사이의 거리인 주기는 200 내지 10000 nm인 것을 특징으로 하는, 다중분광 스텔스 소자
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제8항에 있어서, 상기 복수의 금속 패턴은 제1 영역에 배치되어 제1 위장색을 생성하는 제1 금속 패턴들 및 상기 제1 영역과 인접하게 위치한 제2 영역에 배치도고 상기 제1 금속 패턴들과 직경, 두께 및 주기 중 적어도 하나 이상이 달라서 상기 제1 위장색과 다른 제2 위장색을 생성하는 제2 금속 패턴들을 포함하는 것을 특징으로 하는, 다중분광 스텔스 소자
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제7항에 있어서, 상기 반도체층의 표면 중 20 내지 60%가 상기 금속 패턴에 의해 커버된 것을 특징으로 하는, 다중분광 스텔스 소자
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제1항에 있어서, 상기 금속층 하부에 배치된 기판; 및상기 금속층과 상기 기판을 접착시키는 접착층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 다중분광 스텔스 소자
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