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근적외선을 선택적으로 투과시킬 수 있는 근적외선 투과홀이 형성된 하나 이상의 전도성 박막 패턴을 구비하는 파장 선택적 흡수 패턴층; 상기 파장 선택적 흡수 패턴층 하부에 배치되고, 상기 근적외선 투과홀을 통과한 근적외선을 흡수하는 근적외선 흡수층; 및 상기 파장 선택적 흡수 패턴층과 상기 근적외선 흡수층 사이에 배치되고, 유전체 물질로 형성된 유전체층;을 포함하는, 스텔스 소자
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제1항에 있어서, 상기 근적외선 투과홀은 0
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제2항에 있어서, 상기 전도성 박막 패턴에 형성된 상기 근적외선 투과홀들은 규칙적으로 배치되고,상기 근적외선 투과홀들 중 인접하게 배치된 2개의 근적외선 투과홀들의 중심 사이의 거리는 상기 근적외선 투과홀의 직경의 1
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제1항에 있어서, 상기 근적외선 흡수층은 그라파이트, 게르마늄(Ge), 실리콘탄화물(SiC), 아연산화물(ZnO), 갈륨질소화물(GaN), 갈륨비소화물(GaAs), 인듐비소화물(InAs) 또는 철산화물(Fe2O3 또는 Fe3O4)의 물질로 형성된 것을 특징으로 하는, 스텔스 소자
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제1항에 있어서, 상기 전도성 박막 패턴은 100 nm 내지 10 ㎛의 서로 동일한 두께를 갖는 것을 특징으로 하는, 스텔스 소자
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제1항에 있어서, 상기 파장 선택적 흡수 패턴층은 제1 방향에 평행한 2개의 변과 제1 방향과 수직한 제2 방향한 평행한 2개의 변으로 이루어진 정사각형 형상을 갖는 복수의 단위 영역들로 이루어지고,상기 전도성 박막 패턴은, 한 변의 길이가 제1 길이이고 상기 제1 방향에 평행한 2개의 변과 상기 제2 방향에 평행한 2개의 변을 구비하는 제1 정사각형의 평면 형상을 갖는 제1 박막 패턴;한 변의 길이가 상기 제1 길이보다 작은 제2 길이이고, 상기 제1 방향에 평행한 2개의 변과 상기 제2 방향에 평행한 2개의 변을 구비하는 제2 정사각형의 평면 형상을 갖고, 상기 제1 박막 패턴의 대각선 중 하나와 동일한 대각선을 갖도록 배치된 제2 박막 패턴; 및 상기 제2 방향에 평행한 장변의 길이가 상기 제1 길이이고 상기 제1 방향에 평행한 단변의 길이가 상기 제2 길이인 직사각형 형상의 평면 형상을 갖고, 1개는 상기 제1 박막 패턴의 제1 변에 인접하게 배치되고, 나머지 1개는 상기 제1 변과 수직한 상기 제1 박막 패턴의 제2 변에 인접하게 배치된 2개의 제3 박막 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는, 스텔스 소자
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제6항에 있어서,상기 제1 내지 제3 박막 패턴들 각각에 상기 근적외선 투과홀이 형성된 것을 특징으로 하는, 스텔스 소자
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제6항에 있어서, 상기 파장 선택적 흡수 패턴층은 20 내지 50 GHz의 주파수 영역에 대응하는 제1 파장 및 80 내지 110 GHz의 주파수 영역에 대응하는 제2 파장에서 흡수 피크를 갖는 것을 특징으로 하는, 스텔스 소자
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제8항에 있어서, 상기 제1 박막 패턴의 한 변의 길이는 1
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제6항에 있어서, 상기 제3 박막 패턴 중 하나의 장변과 이와 마주보는 상기 제1 박막 패턴의 일변 사이의 이격 간격 및 상기 제3 박막 패턴 중 하나의 단변과 이와 마주보는 상기 제2 박막 패턴의 일 변 사이의 이격 간격은 10 내지 100 ㎛인 것을 특징으로 하는, 스텔스 소자
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제1항에 있어서, 상기 유전체층은, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체(acrylonitrile butadiene styrene copolymer, ABS), 폴리카보네이트(PC) 및 폴리아리미드(Polyaramid)로 이루어진 그룹에서 선택된 하나의 유기 유전체 재료; 또는 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(Si3N4) 및 글라스(glass)로 이루어진 그룹에서 선택된 하나의 무기 유전체 재료로 형성된 것을 특징으로 하는, 스텔스 소자
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제1항에 있어서,상기 근적외선 흡수층 하부에 위치하고, 적외선의 적어도 일부를 반사할 수 있는 물질로 형성된 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 스텔스 소자
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전기 전도성을 갖는 재료로 형성되고, 제1 파장 및 상기 제1 파장과 다른 제2 파장에서 플라즈몬 공명을 야기할 수 있는 전도성 박막 패턴들을 구비하는 선택적 파장 흡수 패턴층; 및 상기 선택적 파장 흡수 패턴층의 하부에 배치되고, 유전체 물질로 형성된 유전체층;을 포함하는, 스텔스 소자
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제13항에 있어서, 상기 선택적 파장 흡수 패턴층은 제1 방향에 평행한 2개의 변과 제1 방향과 수직한 제2 방향한 평행한 2개의 변으로 이루어진 정사각형 형상을 갖는 복수의 단위 영역들로 이루어지고,상기 단위 영역들 각각에 상기 전도성 박막 패턴들이 형성된 것을 특징으로 하는, 스텔스 소자
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제14항에 있어서, 상기 전도성 박막 패턴들은, 한 변의 길이가 제1 길이이고 상기 제1 방향에 평행한 2개의 변과 상기 제2 방향에 평행한 2개의 변을 구비하는 제1 정사각형의 평면 형상을 갖는 제1 박막 패턴;한 변의 길이가 상기 제1 길이보다 작은 제2 길이이고, 상기 제1 방향에 평행한 2개의 변과 상기 제2 방향에 평행한 2개의 변을 구비하는 제2 정사각형의 평면 형상을 갖고, 상기 제1 박막 패턴의 대각선 중 하나와 동일한 대각선을 갖도록 배치된 제2 박막 패턴; 및 상기 제2 방향에 평행한 장변의 길이가 상기 제1 길이이고 상기 제1 방향에 평행한 단변의 길이가 상기 제2 길이인 직사각형 형상의 평면 형상을 갖고, 1개는 상기 제1 박막 패턴의 제1 변에 인접하게 배치되고, 나머지 1개는 상기 제1 변과 수직한 상기 제1 박막 패턴의 제2 변에 인접하게 배치된 2개의 제3 박막 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는, 스텔스 소자
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제15항에 있어서, 상기 선택적 파장 흡수 패턴층은 20 내지 50 GHz의 주파수 영역에 대응하는 제1 파장 및 80 내지 110 GHz의 주파수 영역에 대응하는 제2 파장에서 흡수 피크를 갖는 것을 특징으로 하는, 스텔스 소자
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제16항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 공명 패턴들은 100 nm 내지 10 ㎛의 서로 동일한 두께를 갖고,상기 제1 공명 패턴의 한 변의 길이는 1
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