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광원을 생성하기 위한 공간을 제공하며, 상기 공간 내 타깃 물질이 위치되는 진공 챔버; 및상기 진공 챔버의 일 측에 위치하며 상기 타깃 물질을 향해 전자빔을 조사하는 전자총; 을 포함하고,상기 타깃 물질에 전자빔이 충돌한 경우 발생된 정공(hole)에 상기 타깃 물질을 구성하는 전자 중 상기 정공의 에너지 준위보다 높은 에너지 준위의 전자가 천이되거나, 상기 타깃 물질에 전자빔이 충돌한 경우 상기 타깃물질을 구성하는 전자가 에너지를 잃는 과정에서 EUV(Extreme Ultraviolet) 및 BEUV(Beyond Extreme Ultraviolet) 중 적어도 어느 하나의 파장대를 가지는 광(光)이 발생하며,상기 타깃 물질은 몰리브데넘(Molybdenum, Mo)인 것을 특징으로 하는특정 파장대의 광원을 발생시키기 위한 장치
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제1항에 있어서,상기 타깃 물질에 전자빔이 충돌하며 발생하는 EUV 및 BEUV 파장대의 광을 각각 EUV 파장대의 광 및 BEUV 파장대의 광으로 분광시키기 위한 분광기; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는특정 파장대의 광원을 발생시키기 위한 장치
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제1항에 있어서,상기 진공 챔버 내 공간에 위치되며, 상기 타깃 물질을 지지하는 거치대; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는특정 파장대의 광원을 발생시키기 위한 장치
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(a) 진공 챔버 내 타깃 물질을 위치시키는 단계;(b) 상기 진공 챔버 내 위치된 타깃 물질을 향해 전자빔을 조사하는 단계;(c) 상기 (b) 단계에서 조사된 전자빔이 상기 타깃 물질에 충돌할 경우 발생된 정공(hole)에 상기 타깃 물질을 구성하는 전자 중 상기 정공의 에너지 준위보다 높은 에너지 준위의 전자가 천이되거나, 상기 타깃 물질에 전자빔이 충돌한 경우 상기 타깃 물질을 구성하는 전자가 에너지를 잃는 과정에서 광(光)이 발생하는 단계; 를 포함하고,상기 (c) 단계에서 발생하는 광은 EUV(Extreme Ultraviolet) 및 BEUV(Beyond Extreme Ultraviolet) 중 적어도 어느 하나의 파장대를 가지며,상기 타깃 물질은 몰리브데넘(Molybdenum, Mo)인 것을 특징으로 하는특정 파장대의 광원을 발생시키기 위한 방법
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제4항에 있어서,상기 (c) 단계에서 발생한 광은 EUV 및 BEUV 파장대를 모두 포함하고,(d) 상기 (c) 단계에서 발생한 광을 각각 EUV 파장대의 광 및 BEUV 파장대의 광으로 분광시키는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 특정 파장대의 광원을 발생시키기 위한 방법
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제4항에 있어서,상기 타깃 물질은, 상기 진공 챔버 내 공간에 위치된 거치대에 의해 지지되는 것을 특징으로 하는특정 파장대의 광원을 발생시키기 위한 방법
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제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 특정 파장대의 광원을 발생시키기 위한 방법을 통해 생성된 광원
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제7항에 따른 광원으로 리소그래피(lithography) 공정을 수행하기 위한 리소그래피 장치
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제7항에 따른 광원으로 광전자 분광법 또는 광방출 분광법을 수행하기 위한 시료 분석 장치
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제7항에 따른 광원으로 고해상도 영상처리를 수행하기 위한 고해상도 이미징 장치
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