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광원을 생성하기 위한 공간을 제공하며, 상기 공간 내에 텅스텐 계열의 타깃 물질이 위치되는 진공 챔버; 상기 진공 챔버의 일 측에 위치하며 상기 타깃 물질을 향해 전자빔을 조사하는 전자총; 및상기 타깃 물질에 전자빔이 충돌하여 발생하는 광에서 BEUV(Beyond Extreme Ultraviolet) 파장대의 광을 분리시키는 분광기; 를 포함하는특정 파장대의 광원을 발생시키기 위한 장치
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제1항에 있어서,상기 진공 챔버 내 공간에 위치되며, 상기 타깃 물질을 지지하는 거치대; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는특정 파장대의 광원을 발생시키기 위한 장치
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(a) 진공 챔버 내 텅스텐 계열의 타깃 물질을 위치시키는 단계;(b) 상기 진공 챔버 내 위치된 타깃 물질을 향해 전자빔을 조사하는 단계;(c) 상기 (b) 단계에서 조사된 전자빔이 상기 타깃 물질에 충돌할 경우 발생된 정공(hole)에 상기 타깃 물질을 구성하는 전자 중 상기 정공의 에너지 준위보다 높은 에너지 준위의 전자가 천이되거나, 상기 타깃 물질에 전자빔이 충돌한 경우 상기 타깃 물질을 구성하는 전자가 에너지를 잃는 과정에서 광(光)이 발생하는 단계; 및(d) 상기 (c) 단계에서 발생한 광에서 BEUV 파장대의 광을 분광시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는특정 파장대의 광원을 발생시키기 위한 방법
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제3항에 있어서,상기 타깃 물질은, 상기 진공 챔버 내 공간에 위치된 거치대에 의해 지지되는 것을 특징으로 하는특정 파장대의 광원을 발생시키기 위한 방법
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제3항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 특정 파장대의 광원을 발생시키기 위한 방법을 통해 생성된 광원
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제5항에 따른 광원으로 리소그래피(lithography) 공정을 수행하기 위한 리소그래피 장치
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제5항에 따른 광원으로 광전자 분광법 또는 광방출 분광법을 수행하기 위한 시료 분석 장치
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제5항에 따른 광원으로 고해상도 영상처리를 수행하기 위한 고해상도 이미징 장치
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