| 1 |
1
기판; 및상기 기판측으로부터 멀어질수록 비표면적이 감소하는 전도성 입자들을 함유하는 전도성 입자층을 포함하는, 리튬 전극 제조용 구조체
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 전도성 입자층 중의 전도성 입자들의 평균 비표면적은 0
|
| 3 |
3
청구항 1에 있어서,상기 전도성 입자층은 상기 기판측으로부터 비표면적이 서로 상이한 제1 전도성 입자층 및 제2 전도성 입자층이 상기 기판측으로부터 순차적으로 배치되어 형성된 것인, 리튬 전극 제조용 구조체
|
| 4 |
4
청구항 3에 있어서,상기 제1 전도성 입자층의 비표면적과 상기 제2 전도성 입자층의 비표면적의 차이가 0
|
| 5 |
5
청구항 3에 있어서,상기 제1 전도성 입자층의 비표면적은 0
|
| 6 |
6
청구항 3에 있어서,상기 제2 전도성 입자층 상에 제3 전도성 입자층이 더 배치되는 것인, 리튬 전극 제조용 구조체
|
| 7 |
7
청구항 6에 있어서,상기 제1 전도성 입자층의 비표면적은 0
|
| 8 |
8
청구항 7에 있어서,상기 제1 전도성 입자층에 포함되는 제1 전도성 입자의 평균 입경은 상기 제2 전도성 입자층에 포함되는 제2 전도성 입자의 평균 입경보다 작고,상기 제2 전도성 입자층에 포함되는 제2 전도성 입자의 평균 입경은 상기 제3 전도성 입자층에 포함되는 제3 전도성 입자의 평균 입경보다 작은 것인, 리튬 전극 제조용 구조체
|
| 9 |
9
청구항 8에 있어서,상기 제1 전도성 입자의 평균 입경은 0
|
| 10 |
10
청구항 1에 있어서,상기 전도성 입자들은 각각 독립적으로 구리를 포함하는 것인, 리튬 전극 제조용 구조체
|
| 11 |
11
제1 전도성 입자를 포함하는 제1 슬러리를 기판 상에 도포하여 제1 전도성 입자층을 형성하는 단계; 및 제2 전도성 입자를 포함하는 제2 슬러리를 상기 제1 전도성 입자층 상에 도포하여 제2 전도성 입자층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제1 전도성 입자 및 상기 제2 전도성 입자는 그 순서대로 비표면적이 감소하는 것인, 리튬 전극 제조용 구조체의 제조 방법
|
| 12 |
12
청구항 11에 있어서,상기 제1 전도성 입자층의 비표면적과 상기 제2 전도성 입자층의 비표면적의 차이가 0
|
| 13 |
13
청구항 11에 있어서,상기 제1 전도성 입자층의 비표면적은 0
|
| 14 |
14
청구항 11에 있어서,제2 전도성 입자층 상에 제3 전도성 입자를 포함하는 제3 슬러리를 도포하여 제3 전도성 입자층을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 제1 전도성 입자 및 상기 제2 전도성 입자, 및 상기 제3 전도성 입자는 그 순서대로 비표면적이 감소하는 것인, 리튬 전극 제조용 구조체의 제조 방법
|
| 15 |
15
청구항 14에 있어서,상기 제1 전도성 입자층의 비표면적은 0
|
| 16 |
16
청구항 14에 있어서,상기 제1 슬러리는 제1 전도성 입자, 제1 바인더, 및 제1 용제를 포함하고,상기 제2 슬러리는 제2 전도성 입자, 제2 바인더, 및 제2 용제를 포함하고,상기 제3 슬러리는 제3 전도성 입자, 제3 바인더, 및 제3 용제를 포함하는 것인, 리튬 전극 제조용 구조체의 제조 방법
|
| 17 |
17
청구항 14에 있어서,상기 제1 전도성 입자의 평균 입경은 0
|
| 18 |
18
청구항 14에 있어서,상기 제1 전도성 입자 내지 제3 전도성 입자는 각각 독립적으로 구리를 포함하는 것인, 리튬 전극 제조용 구조체의 제조 방법
|
| 19 |
19
양극;청구항 1 내지 청구항 10 중의 어느 한 항에 따른 리튬 전극 제조용 구조체를 포함하는 음극; 및전해질;을 포함하는 것인, 리튬 이차 전지
|
