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오픈 셀을 포함하는 형상기억 고분자 패널;상기 오픈 셀 내부에 위치하고, 상기 오픈 셀의 셀 벽에 결착된 다공성의 고분자폼; 및상기 패널의 일 표면에 위치하며 상기 패널 및 고분자폼 각각에 결착된 나노섬유매트층;을 포함하는 능동반응형 멀티스케일 흡음재
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제 1항에 있어서,상기 나노섬유매트층에 포함되는 평균기공 크기 : 상기 고분자폼에 포함되는 평균기공 크기의 비는 1 : 10 내지 1000인 능동반응형 멀티스케일 흡음재
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제 1항에 있어서,상기 오픈 셀은 허니컴 형상인 능동반응형 멀티스케일 흡음재
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제 3항에 있어서,상기 패널은 허니컴 형상이 주기적으로 반복되어 배열된 형상기억 고분자 허니컴 패널인 능동반응형 멀티스케일 흡음재
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5
제 1항에 있어서,상기 오픈 셀에서 셀 벽의 두께 : 오픈 셀의 중심 축과 상기 오픈 셀 벽간의 최단 거리의 비가 1 : 1 내지 10인 능동반응형 멀티스케일 흡음재
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제 1항에 있어서,상기 패널은 전도성 물질을 더 함유하는 능동반응형 멀티스케일 흡음재
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제 6항에 있어서,상기 전도성 물질은 탄소나노튜브, 그래핀, 금속 나노와이어로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상인 능동반응형 멀티스케일 흡음재
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제 1항에 있어서,상기 형상기억 고분자는 에폭시 수지(Epoxy resin), 폴리이소프렌(Polyisoprene), 폴리노르보넨(Polynorbornene), 스티렌-부타디엔 공중합체(Styrene-butadiene copolymer), 폴리에스터(Polyester) 계열, 폴리에틸렌(Polyethylene) 계열, 폴리카프로락톤(Polycaprolactone), 폴리락틱산(Polylactic acide) 계열 및 폴리이미드(Polyimide) 계열의 형상 기억 고분자 중에서 선택되는 어느 하나 이상인 능동반응형 멀티스케일 흡음재
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제 1항에 있어서,상기 고분자폼은 오픈 셀 내부에 충진되어 오픈 셀의 셀 벽에 결착되는 능동반응형 멀티스케일 흡음재
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제 9항에 있어서,상기 고분자 패널에 포함되는 제1고분자의 유리전이온도는 상기 고분자폼에 포함되는 제2고분자의 유리전이온도 보다 높은 것인 능동반응형 멀티스케일 흡음재
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제 1항에 있어서,상기 고분자폼은 폴리우레탄(Polyurethane) 및 폴리실록산(Polysiloxane)계 고분자 중에서 선택되는 어느 하나 이상인 능동반응형 멀티스케일 흡음재
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제 1항에 있어서,상기 나노섬유매트층은 고분자 나노섬유로 이루어지는 능동반응형 멀티스케일 흡음재
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제 12항에 있어서,상기 고분자 나노섬유의 직경은 50 내지 500nm인 능동반응형 멀티스케일 흡음재
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14
제 13항에 있어서,상기 나노섬유매트층의 두께는 200 내지 500μm인 능동반응형 멀티스케일 흡음재
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제 1항에 있어서,상기 고분자폼의 흡음물성은 형상기억 고분자 오픈 셀의 구조적 변화에 의해 제어되는 능동반응형 멀티스케일 흡음재
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a) 오픈 셀을 포함하는 형상기억 고분자 패널을 제조하는 단계;b) 상기 패널에 가변 형상을 부여하는 단계;c) 상기 오픈 셀 내부에 다공성의 고분자폼을 충진하는 단계; 및d) 상기 고분자폼이 충진된 패널의 일 표면에 나노섬유매트층을 형성하는 단계;를 포함하는 능동반응형 멀티스케일 흡음재의 제조방법
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제 16항에 있어서,상기 a) 단계에서 상기 고분자 패널은 전도성 물질을 더 포함하는 능동반응형 멀티스케일 흡음재의 제조방법
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제 17항에 있어서,상기 d) 단계의 나노섬유매트층은 전기방사 공정을 통해 고분자폼이 충진된 패널과 일체형으로 형성되는 능동반응형 멀티스케일 흡음재의 제조방법
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제 16항에 있어서,상기 a) 단계의 패널은 3D 프린팅 공정으로 제조되는 능동반응형 멀티스케일 흡음재의 제조방법
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제 16항에 있어서,상기 b) 단계에서 부여된 가변형상에 의해 상기 c) 단계에서 충진된 고분자폼의 흡음물성이 제어되는 능동반응형 멀티스케일 흡음재의 제조방법
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제 16항에 있어서,상기 c) 단계의 다공성의 고분자폼은 발포 공정을 통해 오픈 셀 내부에 충진되고, 오픈 셀과 일체형으로 형성되는 능동반응형 멀티스케일 흡음재의 제조방법
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