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1차 전극 준비단계;상기 1차 전극 위에 금속 산화물의 전구체 및 알칼리수산화물 수용액을 사용하여 멤리스터층을 증착하는 ALD단계; 및증착된 상기 멤리스터층 위에 2차 전극을 증착하는 2차 전극 증착단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 알칼리 금속을 도핑한 금속 산화물 멤리스터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 ALD단계는,상기 1차 전극 위에 상기 금속 산화물의 전구체를 증착하는 단계;상기 금속 산화물의 전구체의 미반응물을 퍼징(Purging)하는 제1퍼징 단계;상기 금속 산화물의 전구체의 증착층에 상기 알칼리수산화물 수용액을 기화하여 제공하는 단계; 및상기 알칼리수산화물 수용액의 미반응물을 퍼징하는 제2퍼징 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 알칼리 금속을 도핑한 금속 산화물 멤리스터 제조방법
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제2항에 있어서,상기 1차 전극 위에 상기 금속 산화물의 전구체를 증착하는 단계는, 전이금속 산화물의 전구체를 사용하여 수행되는, 알칼리 금속을 도핑한 금속 산화물 멤리스터 제조방법
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제3항에 있어서,상기 전이금속 산화물은 TiO2, ZnO , Al2O3 및 ZrO2 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 알칼리 금속을 도핑한 금속 산화물 멤리스터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 알칼리수산화물 수용액은 LiOH, NaOH 및 NaCl 중 적어도 어느 하나의 수용액인 것을 특징으로 하는 알칼리 금속을 도핑한 금속 산화물 멤리스터 제조방법
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제5항에 있어서,상기 알칼리수산화물 수용액은 알칼리수산화물의 농도가 30wt%이상인 것을 특징으로 하는 알칼리 금속을 도핑한 금속 산화물 멤리스터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 ALD단계는,상기 멤리스터층에 포함된 알칼리 금속의 양이 0
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제1항에 있어서,상기 1차 전극 또는 상기 2차 전극은 Pt, TiN, Cu, Au 및 Ag 중 어느 하나 이상으로 선택된 소재인 것을 특징으로 하는 알칼리 금속을 도핑한 금속 산화물 멤리스터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 2차 전극은 스퍼터링(sputtering) 방식, 전자빔 증착(e-beam evaporator)방식 및 열 증착(thermal evaporator) 방식 중 어느 하나로 증착되는 것을 특징으로 하는 알칼리 금속을 도핑한 금속 산화물 멤리스터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 ALD단계는 100℃이상 300℃이하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 알칼리 금속을 도핑한 금속 산화물 멤리스터 제조방법
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1차 전극; 상기 1차 전극 상의 멤리스터층; 및 상기 멤리스터층 상의 2차 전극을 포함하고, 상기 멤리스터층은 금속 산화물 및 알칼리 금속 도펀트를 포함하고, 상기 1차 전극과 상기 멤리스터층의 접면에서의 결함(defect) 밀도는 상기 2차 전극과 상기 멤리스터층의 접면에서의 결함 밀도와 상이한 것을 특징으로 하는 알칼리 금속을 도핑한 금속 산화물 멤리스터
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알칼리 금속의 이온이 전하 전달자인 것을 특징으로 하는 알칼리 금속을 도핑한 금속 산화물 멤리스터
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