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다공성의 탄탈륨 산화물 기재 및상기 다공성의 탄탈륨 산화물 기재의 표면을 덮는 결정성 탄탈륨 질화물을 포함하되,순차적으로 위치하는 탄탈륨 산화물-탄탈륨 산질화물-탄탈륨 질화물의 구조를 포함하고, 상기 구조에서 상기 탄탈륨 질화물의 표면으로부터 내부로 갈수록 질소 농도가 줄어드는 농도구배를 가지며, 전기화학적 반응에 의한 상기 다공성의 탄탈륨 산화물 기재로부터 기인한 불규칙적인 표면 요철 형상을 포함하는 광전극의 제조방법이며,a) 탄탈륨 기재를 전기화학적 양극산화법으로 산화시켜 다공성의 탄탈륨 산화물 기재를 제조하는 단계; 및b) 상기 다공성의 탄탈륨 산화물 기재를 700 내지 1200℃의 열처리 온도에서 질화처리(nitridation)하여 결정성 탄탈륨 질화물을 형성하는 단계; 를 포함하되,상기 양극산화법은 20 내지 32℃의 온도 및 25 내지 35V의 정 전압 조건에서 2 분 내지 10분 동안 수행되고, 상기 b) 단계의 질화처리는 질소와 암모니아 혼합 기체를 사용하는 광전극 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 열처리 온도는 900 내지 1100℃인 광전극 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 결정성 탄탈륨 질화물의 두께가 1 내지 3 마이크로미터인 광전극 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 결정성 탄탈륨 질화물에 함유된 탄탈륨 : 질소의 원자비는 1 : 0
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제 1항에 있어서,상기 b) 단계에서 열처리 온도에 의해 상기 다공성의 탄탈륨 산화물 기재에 형성된 기공의 크기가 조절되는 광전극 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 광전극에 포함되는 결정성 탄탈륨 질화물에 함유된 탄탈륨 : 질소의 원자비는 1 : 0
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제 6항에 있어서,상기 결정성 탄탈륨 질화물은 사방정계(orthorhombic) 구조인 광전극 제조방법
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