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기판;상기 기판 상부에 위치하고, 상기 기판의 상면에 수직인 방향으로 배치되며 서로 사전 설정된 거리만큼 이격되어 각각의 사이에 활성 이온 경로를 정의하는 수직층들을 포함하는, 채널층;상기 채널층의 양측에 각각 위치하는 소스전극과 드레인전극;상기 채널층과 중첩하도록 상기 채널층 상부에 위치하는 게이트전극; 및상기 게이트전극과 상기 채널층 사이에 개재되고, 내부에 상기 활성 이온을 포함하는, 전해질층;을 구비하는, 시냅스 소자
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제1항에 있어서,상기 전해질층의 하면은 상기 채널층의 상면과 접촉하고,상기 전해질층의 상면은 상기 게이트전극의 하면과 접촉하는, 시냅스 소자
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제1항에 있어서,상기 수직층들은 서로 반 데르 발스 결합(van der Waals interaction)된, 시냅스 소자
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제3항에 있어서,상기 활성 이온 경로는 상기 수직층들 간의 반 데르 발스 힘에 의해 형성된 것인, 시냅스 소자
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5
제3항에 있어서,상기 수직층들은 MoS2, MoSe2, WS2 및 WSe2 중 어느 하나를 포함하는, 시냅스 소자
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제1항에 있어서,상기 게이트전극에 제1전압을 인가하는 경우, 상기 전해질층이 포함하는 상기 활성 이온의 적어도 일부는 상기 활성 이온 경로를 따라 상기 전해질층에서 상기 채널층으로 이동하는, 시냅스 소자
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제6항에 있어서,상기 전해질층에서 상기 채널층으로 이동한 상기 활성 이온은 상기 활성 이온 경로에 트랩되는, 시냅스 소자
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제7항에 있어서,상기 채널층의 전기전도도는 상기 채널층에 트랩된 상기 활성 이온의 양에 비례하는, 시냅스 소자
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제8항에 있어서,상기 게이트전극에 제2전압을 인가하는 경우, 상기 채널층에 트랩된 상기 활성 이온은 상기 활성 이온 경로를 따라 상기 채널층에서 상기 전해질층으로 이동하는, 시냅스 소자
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10
제1항에 있어서,상기 전해질층은 고체 전해질을 포함하는, 시냅스 소자
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제10항에 있어서,상기 활성 이온은 알칼리 금속 이온을 포함하는, 시냅스 소자
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제1항에 있어서,상기 수직층들은 증착 공정을 통해 상기 기판 상에 상기 기판의 상면에 수직인 방향으로 수직 정렬(vertically-aligned) 성장된 것인, 시냅스 소자
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