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주석산화물층;상기 주석산화물층 상 서로 이격 위치하는 제1전극과 제2전극; 및 상기 제1전극과 제2전극이 이격된 영역에 위치하는 팔라듐 나노입자층; 및상기 팔라듐 나노입자층 상에 위치하며, 아크릴레이트계 고분자를 포함하는 고분자층;을 포함하고,X선 광전자 분광법으로 깊이 프로파일링 측정 시, 팔라듐 원소가 검출되기 시작하는 최초 깊이에서 주석 원소도 동시에 검출되는 것을 특징으로 하는 수소 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 최초 깊이에서 상기 팔라듐 원소의 함량은 상기 주석 원소보다 더 많은 것인, 수소 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 깊이 프로파일링 측정은 고분자가 제거된 상태에서 측정되는 것인, 수소 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 깊이 프로파일링 측정 시, 5 nm 이상의 깊이에서 팔라듐 원소의 함량은 10원자% 미만으로 존재하는,
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제1항에 있어서,상기 주석산화물층의 일부는 상기 고분자층과 접촉하는, 수소 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 고분자층은 비다공질인, 수소 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 고분자층은 폴리(C1-C4)알킬메타크릴레이트를 포함하는, 수소가스 센서
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제7항에 있어서,상기 고분자층은 폴리메틸메타크릴레이트를 포함하는, 수소 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 고분자층은 평탄 표면을 가지는, 수소 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 주석산화물층의 두께는 5 ㎚ 내지 300 ㎚ 인 수소 가스 센서
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제1항에 있어서,작동온도가 -10 내지 200 ℃ 범위인 수소 가스 센서
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제1항에 있어서,소모 전력이 10 nW 이하인 수소 가스 센서
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제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 수소 가스 검출 센서를 이용한 가스 검출 방법
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제13항에 있어서,0
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a) 절연층 일면에 주석산화물층을 형성하는 단계;b) 상기 절연층과 접하지 않는 주석산화물층 일면에 서로 이격되는 제1전극과 제2전극을 형성하는 단계; 및c) 상기 제1전극과 제2전극이 이격된 영역에 팔라듐 나노입자층을 형성하는 단계; 및d) 상기 팔라듐 나노입자층 상에 아크릴레이트계 고분자를 포함하는 고분자층을 형성하는 단계;를 포함하는, 수소 가스 센서의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 a)단계는 주석전구체 용액을 상기 절연층 일면에 도포 및 열처리하는 단계를 포함하는, 수소 가스 센서의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 a)단계에서, 상기 열처리 온도는 200 내지 500℃인, 수소 가스 센서의 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 c) 단계에서, 상기 팔라듐 나노입자층은 상기 주석산화물층 표면의 일부영역에 증착되어 형성되는, 수소 가스 센서의 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 d) 단계는 용매에 용해된 폴리메틸메타크릴레이트 용액을 상기 금속 나노입자층 상에 도포 및 건조하는 단계를 포함하는, 수소 가스 센서의 제조방법
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제19항에 있어서,상기 d) 단계에서, 상기 건조는 100 내지 300℃의 온도에서 수행되는, 수소 가스 센서의 제조방법
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제20항에 있어서,상기 d) 단계에서,상기 용매는 할로겐화 알콕시 벤젠 화합물인, 수소 가스 센서의 제조방법
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