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주석산화물층;상기 주석산화물층 상 서로 이격 위치하는 제1전극과 제2전극; 상기 제1전극과 제2전극이 이격된 영역에 위치하는 1 내지 5 nm의 팔라듐 나노입자층; 및 상기 팔라듐 나노입자층 상에 위치하며, 아크릴레이트계 고분자를 포함하는 고분자층;을 포함하고, 하기 식 1을 만족하는 것을 특징으로 하는, 수소 가스 센서
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제1항에 있어서상기 식 1에서,(Rs-Rs0)/Rs 003e# 0
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제1항에 있어서상기 식 1에서, Rs0는 1nm 이하인, 수소 가스 센서
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제1항에 있어서상기 제1전극과 제2전극이 이격된 영역의 상기 주석산화물층 표면은 상기 팔라듐 나노입자층이 위치하는 제1영역과, 상기 팔라듐 나노입자층이 위치하지 않는 제2영역을 포함하는, 수소 가스 센서
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제4항에 있어서상기 제2영역의 면적은 상기 제1전극 및 제2전극에 의해 구획된 상기 주석산화물층 표면의 총 면적 중 50 % 내지 90%인, 수소가스 센서
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제4항에 있어서,상기 제2영역은 고분자층과 접촉하는, 수소 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 고분자층은 비다공질인, 수소 가스 센서
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8
제1항에 있어서,상기 고분자층은 폴리(C1-C4)알킬메타크릴레이트를 포함하는, 수소가스 센서
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제8항에 있어서,상기 고분자층은 폴리메틸메타크릴레이트를 포함하는, 수소 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 고분자층은 평탄 표면을 가지는, 수소 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 주석산화물층의 두께는 5 ㎚ 내지 300 ㎚ 인 수소 가스 센서
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제1항에 있어서,작동온도가 -10 내지 200 ℃ 범위인 수소 가스 센서
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제1항에 있어서,소모 전력이 10 nW 이하인 수소 가스 센서
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제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 수소 가스 센서를 이용한 가스 검출 방법
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제14항에 있어서,0
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a) 절연층 일면에 주석산화물층을 형성하는 단계;b) 상기 절연층과 접하지 않는 주석산화물층 일면에 서로 이격되는 제1전극과 제2전극을 형성하는 단계; c) 상기 제1전극과 제2전극이 이격된 영역에 1 내지 5nm 두께의 팔라듐 나노입자층을 형성하는 단계; 및d) 상기 팔라듐 나노입자층 상에 아크릴레이트계 고분자를 포함하는 고분자층을 형성하는 단계;를 포함하는, 수소 가스 센서의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 a)단계는 주석전구체 용액을 상기 절연층 일면에 도포 및 열처리하는 단계를 포함하는, 수소 가스 센서의 제조방법
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제17항에 있어서,상기 a)단계에서, 상기 열처리 온도는 200 내지 500℃인, 수소 가스 센서의 제조방법
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제16항에 있어서, 상기 c) 단계에서, 상기 팔라듐 나노입자층은 상기 주석산화물층 표면의 일부영역에 증착되어 형성되는, 수소 가스 센서의 제조방법
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제16항에 있어서, 상기 d) 단계는 용매에 용해된 폴리메틸메타크릴레이트 용액을 상기 금속 나노입자층 상에 도포 및 건조하는 단계를 포함하는, 수소 가스 센서의 제조방법
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제20항에 있어서,상기 d) 단계에서, 상기 건조는 100 내지 300℃의 온도에서 수행되는, 수소 가스 센서의 제조방법
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제20항에 있어서,상기 d) 단계에서,상기 용매는 할로겐화 알콕시 벤젠 화합물인, 수소 가스 센서의 제조방법
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