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실리콘 포토닉스 기반 광검출기에 있어서,광신호가 이동하는 광도파로의 중심선을 기준으로 제1 간격에 따라 표면에 서로 다른 타입의 도핑 층이 형성된 실리콘 층;상기 실리콘 층의 상부에 적층되면서 상기 광도파로의 중심선을 기준으로 제2 간격에 따라 표면에 서로 다른 타입의 도핑 층이 형성된 저마늄(Germanium) 층; 및상기 실리콘 층의 도핑 층 및 저마늄 층과 접촉하여 전기장을 발생시키는 메탈 전극을 포함하는 실리콘 포토닉스 기반 광검출기
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제1항에 있어서,상기 실리콘 층에 형성된 도핑 층 및 상기 저마늄 층에 형성된 도핑 층은,상기 저마늄 층의 수평면을 기준으로 기하적으로 비대칭이고, 도핑 타입도 반대로 구성되는 실리콘 포토닉스 기반 광검출기
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제1항에 있어서,상기 실리콘 층에 형성된 도핑 층 및 상기 저마늄 층에 형성된 도핑 층은,상기 저마늄 층의 수직면을 기준으로 기하적으로 대칭이고, 도핑 타입은 반대로 구성되는 실리콘 포토닉스 기반 광검출기
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제1항에 있어서,상기 저마늄 층에 형성되는 프린지 전기장의 분포는,상기 실리콘 층에 형성된 도핑 층 사이의 제1 간격 및 상기 저마늄 층에 형성된 도핑 층 사이의 제2 간격에 의해 결정되는 실리콘 포토닉스 기반 광검출기
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제4항에 있어서,상기 저마늄 층에 형성되는 프린지 전기장의 분포는,상기 실리콘 층에 형성된 도핑 층 사이의 제1 간격 및 상기 저마늄 층에 형성된 도핑 층 사이의 제2 간격이 동일할 경우, 상기 프린지 전기장의 수평 성분 및 수직 성분이 모두 상쇄되는 실리콘 포토닉스 기반 광검출기
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제4항에 있어서,상기 저마늄 층에 형성되는 프린지 전기장의 분포는,상기 실리콘 층에 형성된 도핑 층 사이의 제1 간격 및 상기 저마늄 층에 형성된 도핑 층 사이의 제2 간격이 서로 다를 경우, 프린지 전기장의 수평 성분은 상쇄되고, 수직 성분은 보강되는 실리콘 포토닉스 기반 광검출기
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제6항에 있어서,상기 프린지 전기장의 상쇄로 인해 전계가 감소되는 위치는,상기 실리콘 층에 형성된 도핑 층 사이의 제1 간격 및 상기 저마늄 층에 형성된 도핑 층 사이의 제2 간격의 차이에 의해 결정되는 실리콘 포토닉스 기반 광검출기
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제1항에 있어서,상기 실리콘 층에 형성되는 서로 다른 타입의 도핑 층은,캐리어 생성 시 발생하는 손실 량을 줄이기 위해 상기 제1 간격이 조절되는 실리콘 포토닉스 기반 광검출기
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실리콘 포토닉스 기반 광검출기에 있어서,광신호가 이동하는 광도파로의 중심선을 기준으로 제1 간격에 따라 표면에 서로 다른 타입의 도핑 층이 형성된 실리콘 층; 및상기 실리콘 층에 형성된 도핑 층과 비교하여 수평면을 기준으로 기하적으로 비대칭이고, 수직면을 기준으로 기하적으로 대칭이며, 도핑 타입은 반대인 도핑층이 제2 간격에 따라 표면에 형성된 저마늄 층을 포함하는 실리콘 포토닉스 기반 광검출기
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제9항에 있어서,상기 저마늄 층에 형성되는 프린지 전기장의 분포는,상기 실리콘 층에 형성된 도핑 층 사이의 제1 간격 및 상기 저마늄 층에 형성된 도핑 층 사이의 제2 간격에 의해 결정되는 실리콘 포토닉스 기반 광검출기
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제10항에 있어서,상기 저마늄 층에 형성되는 프린지 전기장의 분포는,상기 실리콘 층에 형성된 도핑 층 사이의 제1 간격 및 상기 저마늄 층에 형성된 도핑 층 사이의 제2 간격이 동일할 경우, 상기 프린지 전기장의 수평 성분 및 수직 성분이 모두 상쇄되는 실리콘 포토닉스 기반 광검출기
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제10항에 있어서,상기 저마늄 층에 형성되는 프린지 전기장의 분포는,상기 실리콘 층에 형성된 도핑 층 사이의 제1 간격 및 상기 저마늄 층에 형성된 도핑 층 사이의 제2 간격이 서로 다를 경우, 프린지 전기장의 수평 성분은 상쇄되고, 수직 성분은 보강되는 실리콘 포토닉스 기반 광검출기
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제12항에 있어서,상기 프린지 전기장의 상쇄로 인해 전계가 감소되는 위치는,상기 실리콘 층에 형성된 도핑 층 사이의 제1 간격 및 상기 저마늄 층에 형성된 도핑 층 사이의 제2 간격의 차이에 의해 결정되는 실리콘 포토닉스 기반 광검출기
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제9항에 있어서,상기 실리콘 층에 형성되는 서로 다른 타입의 도핑 층은,캐리어 생성 시 발생하는 손실 량을 줄이기 위해 상기 제1 간격이 조절되는 실리콘 포토닉스 기반 광검출기
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실리콘 포토닉스 기반 광검출기에 있어서,SOI(Silicon-On-Insulator) 웨이퍼의 BOX(Buried oxide) 층;상기 BOX 층의 상부에 적층되면서 광신호가 이동하는 광도파로의 중심선을 기준으로 제1 간격에 따라 표면에 서로 다른 타입의 도핑 층이 형성된 실리콘 층;상기 실리콘 층의 상부에 적층되면서 상기 광도파로의 중심선을 기준으로 제2 간격에 따라 표면에 서로 다른 타입의 도핑 층이 형성된 저마늄(Germanium) 층; 및상기 실리콘 층의 도핑 층 및 저마늄 층과 접촉하여 전기장을 발생시키는 메탈 전극을 포함하는 실리콘 포토닉스 기반 광검출기
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제15항에 있어서,상기 실리콘 층에 형성된 도핑 층 및 상기 저마늄 층에 형성된 도핑 층은,상기 저마늄 층의 수평면을 기준으로 기하적으로 비대칭이고, 도핑 타입도 반대로 구성되는 실리콘 포토닉스 기반 광검출기
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제15항에 있어서,상기 실리콘 층에 형성된 도핑 층 및 상기 저마늄 층에 형성된 도핑 층은,상기 저마늄 층의 수직면을 기준으로 기하적으로 대칭이고, 도핑 타입은 반대로 구성되는 실리콘 포토닉스 기반 광검출기
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제15항에 있어서,상기 저마늄 층에 형성되는 프린지 전기장의 분포는,상기 실리콘 층에 형성된 도핑 층 사이의 제1 간격 및 상기 저마늄 층에 형성된 도핑 층 사이의 제2 간격에 의해 결정되는 실리콘 포토닉스 기반 광검출기
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