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하기 화학식 1로 표시되는 산화니켈화합물을 포함하는 p형 산화물 소재:[화학식 1]Ni1-x-yAxByO상기 A는 알칼리족 원소이고, 상기 B는 전이금속 원소이고, 0≤x≤1, 0≤y≤1임
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제1항에 있어서,상기 p형 산화물 소재는, 산화니켈(NiO)에 2종 이상의 불순물이 치환형으로 도핑된 것인, p형 산화물 소재
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제1항에 있어서,상기 알칼리족 원소는 H, Li, Na, K, Rb 및 Cs로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것이고,상기 전이금속 원소는 Cr, Mo, Ru, Rh, Cu, Ag 및 Au로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, p형 산화물 소재
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제1항에 있어서,상기 p형 산화물 소재의 전기전도도(conductivity)는 1 x 10-6 S/cm 이상인 것인, p형 산화물 소재
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제1항에 있어서,상기 p형 산화물 소재의 정공 농도(hole concentration)는 1 x 1010 cm-3 이상인 것인, p형 산화물 소재
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제1항에 있어서,상기 p형 산화물 소재의 가시광 영역에서의 투과도는 50 % 이상인 것인, p형 산화물 소재
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산화니켈(NiO) 원재료 분말 및 도핑용 불순물 원재료 분말을 혼합하여 혼합물을 준비하는 단계;상기 혼합물을 제1 열처리 결과물을 준비하는 단계;상기 제1 열처리 결과물을 분쇄 및 혼합하는 단계;상기 분쇄 및 혼합된 제1 열처리 결과물을 몰딩하여 펠렛을 준비하는 단계; 및상기 펠렛을 제2 열처리하는 단계;를 포함하는, p형 산화물 소재의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 p형 산화물 소재는, 산화니켈(NiO)에 2종 이상의 불순물이 치환형으로 도핑된 것인, p형 산화물 소재의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 도핑용 불순물 원재료 분말은, A 원소 전구체 및 B 원소 전구체를 포함하고, 상기 A는 알칼리족 원소이고, 상기 B는 전이금속 원소인 것인, p형 산화물 소재의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 알칼리족 원소는 H, Li, Na, K, Rb 및 Cs로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것이고,상기 전이금속 원소는 Cr, Mo, Ru, Rh, Cu, Ag 및 Au로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, p형 산화물 소재의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 알칼리족 원소의 전구체는, 알칼리 금속을 함유하는 알콕사이드, 염화물, 산화물, 수산화물, 질산염, 탄산염 및 아세트산염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것이고,상기 전이금속 원소의 전구체는, 알칼리 금속을 함유하는 알콕사이드, 염화물, 산화물, 수산화물, 질산염, 탄산염 및 아세트산염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, p형 산화물 소재의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 알칼리족 원소의 전구체는, Li2Co3이고, 상기 전이금속 원소의 전구체는 CuO이고,상기 산화니켈(NiO)에 Li 및 Cu 불순물이 치환형으로 도핑된 것인, p형 산화물 소재의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 제1 열처리는,건조 및 산화성 분위기에서 600 ℃ 내지 1000 ℃에서 2 시간 내지 100 시간 동안 수행되는 것인,p형 산화물 소재의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 분쇄 및 혼합하는 단계, 상기 펠렛을 준비하는 단계 및 상기 펠렛을 2차 열처리하는 단계를 반복 수행하는 것인, p형 산화물 소재의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 분쇄는,볼 밀링(ball milling), 블레이드 밀링(blade milling), 어트리션 밀링(attrition milling) 또는 자이로 볼 밀링(gyro ball milling) 중 하나의 방법으로 수행되는 것인, p형 산화물 소재의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 제2 열처리는,환원성 분위기, 산화성 분위기 또는 이 둘의 분위기에서 700 ℃ 내지 1400 ℃에서 6 시간 내지 100 시간 동안 수행되는 것인,p형 산화물 소재의 제조방법
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 p형 산화물 소재, 또는 제7항 내지 제16항 중 어느 한 항의 p형 산화물 소재의 제조방법에 따라 제조된 p형 산화물 소재를 포함하는 투명전극
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제17항의 투명전극을 포함하는 전자소자
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제18항에 있어서, 상기 전자소자는 OLED, OPV, 유기포토 다이오드, 페로브스카이드 태양전지, 유기박막 태양전지 유기박막트랜지스터, 산화물박막트랜지스터, CNT 트랜지스터, MoS2 트랜지스터 및 퀀텀닷 트랜지스터로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나인 것인, 전자소자
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