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결정성 그라파이트 탄소 구조; 및상기 결정성 그라파이트 탄소 구조의 적어도 일부분 상에 위치하는 비정질 탄소 구조;를 포함하며,상기 비정질 탄소 구조는 이종 원소로 도핑된, 소듐 금속전지용 애노드 소재
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제1항에 있어서,상기 비정질 탄소 구조는 질소(N) 및 산소(O) 중 하나 이상의 원자로 도핑된, 소듐 금속전지용 애노드 소재
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제2항에 있어서,상기 비정질 탄소 구조는 질소(N) 및 산소(O) 원자로 도핑된, 소듐 금속전지용 애노드 소재
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제1항에 있어서,상기 비정질 탄소 구조는 피리딘-N(pyridinic-N) 및 피리돈-N(pyridonic-N) 구조 중 하나 이상의 구조를 포함하는, 소듐 금속전지용 애노드 소재
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제1항에 있어서,상기 애노드 소재는 150 m2g-1 이상의 비표면적을 갖는, 소듐 금속전지용 애노드 소재
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제1항에 있어서,상기 애노드 소재는 라만 분광 스펙트럼에서 측정되는 D밴드 피크 강도(ID)와 G밴드 피크 강도(IG)의 비 ID/IG를 0
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제1항에 있어서,상기 애노드 소재는 C/N 원소 비율 및 C/O 원소 비율이 30 이하인, 소듐 금속전지용 애노드 소재
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제1항에 있어서,상기 애노드 소재는 IUPAC에서 정의한 질소 흡착 등온선이 TYPE Ⅳ의 메조포러스 기공 구조를 갖는, 소듐 금속전지용 애노드 소재
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제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 소듐 금속전지용 애노드 소재를 포함하는, 소듐 이차전지
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제9항에 있어서,상기 소듐 금속전지용 애노드 소재는 소듐 금속으로 사전 로딩되어, 과잉 소듐 금속을 함유하는, 소듐 이차전지
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탄소 소재를 준비하는 단계;상기 탄소 소재를 열처리 하는 단계; 및상기 탄소 소재를 하나 이상의 이종 전구체로 처리하여 이종 원소로 기능화하는 단계;를 포함하는, 소듐 금속전지용 애노드 소재 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 탄소 소재는 CNT, RGO, 및 카본 블랙(carbon black)으로 구성된 군에서 선택되는 하나 이상인, 소듐 금속전지용 애노드 소재 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 열처리 단계에서 열처리 온도 프로파일을 제어하여 탄소 소재의 미세 결정 구조를 제어하는, 소듐 금속전지용 애노드 소재 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 열처리 단계는 1500 내지 2800 ℃ 온도 범위에서 수행되는, 소듐 금속전지용 애노드 소재 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 이종 전구체는 질소(N) 함유 전구체 및 산소(O) 함유 전구체 중 하나 이상의 전구체를 포함하는, 소듐 금속전지용 애노드 소재 제조 방법
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