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수축필름; 및상기 수축필름의 적어도 일면에 위치하여 가스를 감지하는 가스감지부;를 포함하는 랩핑형 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 가스는 수소, 이산화탄소, 산소, 메탄, 이산화질소 및 암모니아로 이루어진 군으로 부터 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 랩핑형 가스 센서
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제2항에 있어서,상기 가스감지부는 수소센서를 포함하는 랩핑형 가스센서
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제1항에 있어서,상기 수축필름 90℃의 온도에서, 10초간 수축시켰을 때 하기 식 1에 따른 기계 방향(MD) 및 그 수직 방향(TD)의 수축율이 30 내지 60인수축율(%) = 100 X (수축 전 길이 - (수축 후 길이/수축 전 길이))
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제3항에 있어서,상기 수소센서는 상기 수축필름에 위치하는 기판; 상기 기판 상에 위치하는 금속산화물층;상기 금속산화물층 상 서로 이격 위치하는 제1전극과 제2전극; 및 상기 제1전극과 제2전극이 이격된 영역의 상기 금속산화물층 상에 위치하는 금속나노입자층;를 포함하는 랩핑형 가스 센서
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제5항에 있어서,상기 금속산화물층의 금속산화물은 주석산화물인, 랩핑형 가스 센서
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제5항에 있어서,상기 금속나노입자층의 금속은 팔라듐인, 랩핑형 가스 센서
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제5항에 있어서,상기 금속산화물층 및 상기 금속나노입자층 사이에 위치하는 자기조립단분자막(self assembled monolayer, SAM);을 더 포함하는 랩핑형 가스 센서
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제8항에 있어서,상기 자기조립단분자막은 아미노실란계 화합물인 랩핑형 가스 센서
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제9항에 있어서,상기 아미노실란계 화합물은 3-아미노프로필트리메톡시실란(3-aminopropyltrimethoxysilane), 3-아미노프로필트리에톡시실란(3-aminopropyltriethoxysilane), 3-아미노프로필메틸디에톡시실란(3-aminopropylmethyldiethoxysilane), 아미노프로필실란트리올(aminopropylsilanetriol), N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란(N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane), N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필실란(N-(2-aminoethyl)-3-aminopropylsilane), N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란(N-(2-aminoethyl)-3-aminopropylmethyldimethoxysilane), (3-트리에톡시실리프로필)디에틸렌트리아민((3-triethoxysilylpropyl)dietylene triamine)로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되는 것인 랩핑형 가스 센서
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제5항에 있어서,상기 금속 나노입자층의 두께는 0
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제5항에 있어서,상기 금속 나노입자층 상에 위치하며, 아크릴레이트계 고분자를 포함하는 고분자층을 더 포함하는, 랩핑형 가스 센서
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제5항에 있어서,상기 제1전극과 제2전극이 이격된 영역의 상기 금속산화물층 표면은 상기 금속 나노입자층이 위치하는 제1영역과, 상기 금속 나노입자층이 위치하지 않는 제2영역을 포함하는, 랩핑형 가스 센서
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제12항에 있어서,상기 고분자층은 비다공질인, 랩핑형 가스 센서
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제12항에 있어서,상기 고분자층은 폴리(C1-C4)알킬메타크릴레이트를 포함하는, 랩핑형 가스 센서
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제15항에 있어서,상기 고분자층은 폴리메틸메타크릴레이트를 포함하는, 랩핑형 가스 센서
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제12항에 있어서,상기 고분자층은 평탄 표면을 가지는, 랩핑형 가스 센서
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제8항에 있어서,상기 자기조립단분자막의 두께는 1 내지 30 ㎚ 인 랩핑형 가스 센서
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제5항에 있어서,작동온도가 -10 내지 200 ℃인 랩핑형 가스 센서
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제8항에 있어서,소모 전력이 10 nW 이하인 랩핑형 가스 센서
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제1항에 있어서, 상기 수축필름 상 노출된 영역에 위치하는 점착부를 더 구비하는 랩핑형 가스 센서
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