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건식 식각된 반도체의 손상 회복 방법

  • 기술번호 : KST2022019466
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 건식 식각된 반도체의 손상 회복 방법이 제공된다. 본 발명의 실시예들에 따른 건식 식각된 반도체의 손상 회복 방법은 기판 상에 건식 식각에 의해 측면이 노출된 불순물 반도체 패턴을 준비하는 것;’ 상기 기판 상에 제1 용액을 이용한 제1 용액 공정을 수행하여 상기 불순물 반도체 패턴의 측면 상에 산화막을 형성하는 것; 상기 기판 상에 제2 용액을 이용한 제2 용액 공정을 수행하여 상기 산화막을 제거하는 것; 및 상기 제1 용액 공정 및 상기 제2 용액 공정을 반복하여 수행하는 것을 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 21/311 (2006.01.01) H01L 21/3065 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/31111(2013.01) H01L 21/3065(2013.01) H01L 21/0223(2013.01)
출원번호/일자 1020210044126 (2021.04.05)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0138237 (2022.10.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박정우 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2021.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2021-0397775-72
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번호 청구항
1 1
기판 상에 건식 식각에 의해 측면이 노출된 불순물 반도체 패턴을 준비하는 것;'상기 기판 상에 제1 용액을 이용한 제1 용액 공정을 수행하여 상기 불순물 반도체 패턴의 측면 상에 산화막을 형성하는 것; 상기 기판 상에 제2 용액을 이용한 제2 용액 공정을 수행하여 상기 산화막을 제거하는 것; 및상기 제1 용액 공정 및 상기 제2 용액 공정을 반복하여 수행하는 것을 포함하는 건식 식각된 반도체의 손상 회복 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전자통신연구원(ETRI) 정부출연금사업(기관고유사업) ICT 창의기술 개발