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그래핀 기반의 P-type FET 제조방법 및 이를 이용한 P-type FET

  • 기술번호 : KST2022019622
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 a) 무산소 분위기에서 게이트 절연층 위에 티타늄(Ti)층을 증착하는 단계 b) 무산소 분위기를 유지하면서 in-situ로 상기 티타늄(Ti)층 위에 그래핀층을 성장시키는 단계 c) 플라즈마 처리를 통해 상기 그래핀층에 결함(defect)을 형성하는 단계 및 d) 상기 결함이 형성된 그래핀층을 보론을 도핑하는 단계;를 포함하여 채널로 사용되는 활성층을 형성하되, 상기 a) 내지 c) 단계는 화학기상증착(CVD)장치 내에서 수행되며, 상기 d) 단계는 스퍼터 장치 내에서 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀 기반의 P-type FET 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/16 (2006.01.01) H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 29/66045(2013.01) H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/78684(2013.01) H01L 21/02527(2013.01) H01L 21/0262(2013.01)
출원번호/일자 1020210043885 (2021.04.05)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0138522 (2022.10.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.04.05)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤순길 대전시 유성구
2 한이레 대전시 대덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인오암 대한민국 대전광역시 서구 문예로 **, *층 ***호(둔산동, 오성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2021.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2021-0395489-72
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2021.10.05 수리 (Accepted) 4-1-2021-5261638-12
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2022.02.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2022.04.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2022-0069650-74
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2022.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0401361-16
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2022.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2022-0774460-28
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2022.07.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2022-0774483-78
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번호 청구항
1 1
a) 무산소 분위기에서 게이트 절연층 위에 티타늄(Ti)층을 증착하는 단계;b) 무산소 분위기를 유지하면서 in-situ로 상기 티타늄(Ti)층 위에 그래핀층을 성장시키는 단계;c) 플라즈마 처리를 통해 상기 그래핀층에 결함(defect)을 형성하는 단계; 및 d) 상기 결함이 형성된 그래핀층을 보론을 도핑하는 단계;를 포함하여 채널로 사용되는 활성층을 형성하되, 상기 a) 내지 c) 단계는 화학기상증착(CVD)장치 내에서 수행되며, 상기 d) 단계는 스퍼터 장치 내에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 그래핀 기반의 P-type FET 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 활성층을 이루는 그래핀층은 동일한 도메인 내에서 선택되는 것을 특징으로 하는, 그래핀 기반의 P-type FET 제조방법
3 3
게이트전극;상기 게이트전극 위에 위치한 게이트절연층;상기 게이트 절연층의 일부 영역에 위치하여 보론이 도핑된 그래핀층을 포함하여 채널로 사용되는 활성층;상기 활성층의 일측 영역 위에 위치한 제1전극;상기 활성층의 타측 영역 위에 위치한 제2전극;을 포함하며, 상기 보론이 도핑된 그래핀층은,무산소 분위기에서 게이트 절연층 위에 티타늄(Ti)층이 증착된 후 In-situ로 그래핀층이 직접 생성되고 도핑된 질소 도핑 그래핀층/TiO2-x층인 것을 특징으로 하는 그래핀 기반의 P-type FET
4 4
청구항 3항에 있어서,상기 활성층을 이루는 그래핀층은 동일한 도메인 내에서 선택되는 것을 특징으로 하는, 그래핀 기반의 P-type FET
5 5
청구항 3항에 있어서,상기 게이트전극이 그래핀층으로 구성된 것을 특징으로 하는 그래핀 기반의 P-type FET
6 6
청구항 3항에 있어서,상기 제1전극 및 제2전극은 그래핀층/TiO2-x층을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 기반의 P-type FET
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 충남대학교 한국연구재단 중견 도약 후속과제 100℃에서 직접 성장된 그래핀을 이용한 n-type and p-type graphene TFT 개발