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음극용 전극 구조체, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 이차 전지

  • 기술번호 : KST2022019728
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이차 전지의 제조 방법이 제공된다. 상기 이차 전지의 제조 방법은, 금속 기판을 준비하는 단계, 상기 금속 기판을 표면 처리하여, S 및 F를 포함하는 페시베이션층을 형성하는 단계, 및 상기 페시베이션층이 형성된 상기 금속 기판을 음극으로 이용하여, 이차 전지를 제조하는 단계를 포함할 수 있다.
Int. CL H01M 12/06 (2006.01.01) H01M 4/38 (2006.01.01) H01M 4/134 (2010.01.01) H01M 4/02 (2006.01.01)
CPC H01M 12/06(2013.01) H01M 4/38(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 2004/027(2013.01)
출원번호/일자 1020220036288 (2022.03.23)
출원인 한양대학교 에리카산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0132474 (2022.09.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020210037491   |   2021.03.23
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정호 경기도 안산시 상록구
2 삼바지 시바지 신데 경기도 안산시 상록구
3 김동형 경기도 안산시 상록구
4 김성해 경기도 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)
2 최내윤 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** 월드메르디앙*차 **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2022.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2022-0315265-33
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번호 청구항
1 1
금속 기판을 준비하는 단계;상기 금속 기판을 표면 처리하여, S 및 F를 포함하는 페시베이션층을 형성하는 단계; 및상기 페시베이션층이 형성된 상기 금속 기판을 음극으로 이용하여, 이차 전지를 제조하는 단계를 포함하는 이차 전지의 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서, 상기 페시베이션층은, N, O, 및 C를 더 포함하는 이차 전지의 제조 방법
3 3
제1 항에 있어서, 상기 이차 전지의 충방전 과정에서, 상기 페시베이션층을 이용하여 SEI층이 형성되는 것을 포함하는 이차 전지의 제조 방법
4 4
제1 항에 있어서, 상기 페시베이션층의 두께는 20~30um인 것을 포함하는 이차 전지의 제조 방법
5 5
제1 항에 있어서, 상기 금속 기판은 아연을 포함하고, 상기 이차 전지는 아연 공기 전지를 포함하는 이차 전지의 제조 방법
6 6
양극;상기 양극 상에 배치되고, S 및 F를 포함하는 페시베이션층을 갖는 금속 기판을 포함하는 음극; 및상기 양극 및 상기 음극 사이의 전해질을 포함하는 이차 전지
7 7
제6 항에 있어서, 상기 이차 전지의 충방전 과정에서, S 및 F를 포함하는 상기 페시베이션층을 이용하여 형성된 SEI을 포함하는 이차 전지
8 8
제6 항에 있어서, 상기 페시베이션층은, 상기 금속 기판의 제1 면 상의 제1 페시베이션층; 및 상기 금속 기판의 상기 제1 면에 대향하는 상기 제2 면 상의 제2 페시베이션층을 포함하는 이차 전지
9 9
제6 항에 있어서, 상기 금속 기판의 표면에 제공된 복수의 오목부를 포함하는 이차 전지
10 10
트리메틸에틸 암모늄 하이드록사이드 및 아세토니트릴를 혼합하고, 메틸 트리플루오로메탄설포네이트를 첨가하여, Me3EtNOTF를 제조하는 단계;Zn(OTF)2, Zn(TFSI)2, 및 Zn(FSI)를 용매에 분산하고, Me3EtNOTF를 첨가하여 혼합 용액을 제조하는 단계; 및상기 혼합 용액에 금속 기판을 침지하여, 상기 금속 기판 상에 페시베이션층을 형성하는 단계를 포함하는 전극 구조체의 제조 방법
11 11
제10 항에 있어서, 상기 금속 기판을 상기 혼합 용액에 침지하기 전, 상기 금속 기판을 습식 처리 또는 임프린팅하여, 상기 금속 기판의 표면에 복수의 오목부를 형성하는 단계를 더 포함하는 전극 구조체의 제조 방법
12 12
제10 항에 있어서, 상기 페시베이션층은, Zn, S, 및 F를 포함하는 전극 구조체의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR1020220132472 KR 대한민국 FAMILY
2 KR1020220132473 KR 대한민국 FAMILY
3 KR1020220132475 KR 대한민국 FAMILY
4 KR1020220132476 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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