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소형 GaAs 기반의 대역통과 필터를 포함하는 RF 장치

  • 기술번호 : KST2022019757
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 QFN 패키지 소형 GaAs 기반의 대역통과 필터를 포함하는 직접회로 및 그 제조방법, 및 QFN 패키지 소형 GaAs 기반의 대역통과 필터를 포함하는 RF장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예는 III족 물질 내지 V족 물질 중 적어도 어느 하나를 포함하는 화합물로 이루어진 기판(substrate)에 대하여: 알코올 물질을 포함하는 세정액으로 세척하는 세척 단계; 패시베이션층(passivation layer)를 생성하는 제1 패시베이션층 생성 단계; 및 PR 코팅(photoresistor coating) 단계; 노광(exposure) 단계; 및 에칭(etching) 단계; 중 적어도 어느 하나를 적용함으로써, 대역통과필터(BPF; bandpass filter)를 제조(fabrication)하는 제조 방법을 제안한다.
Int. CL H03H 3/007 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/285 (2006.01.01) H03H 7/01 (2006.01.01)
CPC H03H 3/007(2013.01) H01L 21/02052(2013.01) H01L 21/0217(2013.01) H01L 21/28506(2013.01) H03H 7/0161(2013.01)
출원번호/일자 1020220126451 (2022.10.04)
출원인 광운대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0139278 (2022.10.14) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/분할
원출원번호/일자 10-2020-0046085 (2020.04.16)
관련 출원번호 1020200046085
심사청구여부/일자 Y (2022.10.04)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김남영 경기도 광주시
2 김은성 경기도 화성
3 고형화 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서평강 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, *층 (삼성동, 인화빌딩)(상상특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2022.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2022-1043102-87
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번호 청구항
1 1
갈륨비소(GaAs)를 포함하는 화합물로 이루어진 기판(substrate)에 대하여:알코올 물질 및 아세톤 용액을 포함하는 세정액으로 세척하는 세척 단계;150nm 내지 250nm 두께인 SiNx 패시베이션층(passivation layer)를 생성하는 제1 패시베이션층 생성 단계;상기 기판의 상부에 15nm 내지 25nm 두께인 티타늄(Ti)과 70nm 내지 90nm 두께인 금(Au)으로 구성되는 시드 금속층을 증착하는 시드 금속층 증착 단계;스핀 코팅(spin coating)에 기반하여 제1 포지티브 PR(positive photoresistor)을 생성하는 제1 PR 코팅 단계;제1 마스크를 이용하여 노광(exposure)하는 제1 마스크 노광 단계; 전기 도금 기술을 이용하여 4μm 내지 5μm의 두께를 갖는 구리(Cu)와 0
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