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실리콘 기판 위에 식각 정지층을 형성하는 단계;상기 식각 정지층 위에 비정질 붕소, BN, BCN, B4C 및 Me-X(Me는 Si, Ti, Mo 및 Zr 중에 적어도 하나, X는 B, C 및 N 중에 적어도 하나) 중에 적어도 하나의 소재로 씨드층을 형성하는 단계;상기 씨드층 위에 금속 촉매층을 형성하는 단계;상기 금속 촉매층 위에 비정질 탄소층을 형성하는 단계; 및가압 열처리를 통해서 상기 금속 촉매층과 상기 비정질 탄소층 간의 층간 교환에 의해 상기 씨드층 위에 다층 그래핀을 직성장하는 단계;를 포함하는 가압 열처리를 통한 다층 그래핀의 직성장 방법
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제1항에 있어서, 상기 다층 그래핀을 직성장하는 단계에서,상기 가압 열처리는 450 내지 600℃에서 수행하는 것을 특징으로 하는 가압 열처리를 통한 다층 그래핀의 직성장 방법
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제1항에 있어서, 상기 다층 그래핀을 직성장하는 단계에서,압력은 가압 지그를 이용하여 인가하는 것을 특징으로 하는 가압 열처리를 통한 다층 그래핀의 직성장 방법
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제3항에 있어서,상기 가압 지그의 소재는 세라믹 또는 스테인리스 스틸을 포함하는 것을 특징으로 하는 가압 열처리를 통한 다층 그래핀의 직성장 방법
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제1항에 있어서, 상기 다층 그래핀을 직성장하는 단계는,상기 비정질 탄소층 위에 압력을 인가하는 가압층을 형성하는 단계; 및열처리를 통해서 상기 금속 촉매층과 상기 비정질 탄소층 간의 층간 교환에 의해 상기 씨드층 위에 다층 그래핀을 직성장하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 가압 열처리를 통한 다층 그래핀의 직성장 방법
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제5항에 있어서,상기 가압층의 소재는 산화실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 가압 열처리를 통한 다층 그래핀의 직성장 방법
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제1항에 있어서, 상기 다층 그래핀을 직성장하는 단계에서,상기 가압 열처리는 수소 가스 또는 불활성 가스 분위기에서 30분 내지 4시간 진행되고, 상기 불활성 가스는 질소, 아르곤 및 헬륨 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 가압 열처리를 통한 다층 그래핀의 직성장 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 촉매층의 소재는 Ni, Co, Fe, Pt, Ir, Ru, Cr 및 Mn 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 가압 열처리를 통한 다층 그래핀의 직성장 방법
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제1항에 있어서, 상기 다층 그래핀으로 직성장하는 단계 이후에 수행되는,상기 다층 그래핀 위의 상기 금속 촉매층을 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가압 열처리를 통한 다층 그래핀의 직성장 방법
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제5항에 있어서, 상기 다층 그래핀으로 직성장하는 단계 이후에 수행되는,상기 다층 그래핀 위의 상기 가압층과 상기 금속 촉매층을 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가압 열처리를 통한 다층 그래핀의 직성장 방법
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실리콘 기판 위에 다층 그래핀을 가압 열처리로 직성장하여 코어층을 형성하는 단계;상기 코어층 위에 캡핑층을 형성하는 단계; 및상기 코어층 아래의 상기 실리콘 기판의 중심 부분을 제거하여 상기 코어층이 노출되는 개방부를 형성하는 단계;를 포함하며,상기 코어층을 형성하는 단계는,실리콘 기판 위에 식각 정지층을 형성하는 단계;상기 식각 정지층 위에 비정질 붕소, BN, BCN, B4C 및 Me-X(Me는 Si, Ti, Mo 및 Zr 중에 적어도 하나, X는 B, C 및 N 중에 적어도 하나) 중에 적어도 하나의 소재로 씨드층을 형성하는 단계;상기 씨드층 위에 금속 촉매층을 형성하는 단계;상기 금속 촉매층 위에 비정질 탄소층을 형성하는 단계;가압 열처리를 통해서 상기 금속 촉매층과 상기 비정질 탄소층 간의 층간 교환에 의해 상기 씨드층 위에 다층 그래핀을 직성장하는 단계; 및상기 다층 그래핀 위의 상기 금속 촉매층을 제거하는 단계;를 포함하는 극자외선 노광용 펠리클의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 다층 그래핀을 직성장하는 단계는,상기 비정질 탄소층 위에 압력을 인가하는 가압층을 형성하는 단계;열처리를 통해서 상기 금속 촉매층과 상기 비정질 탄소층 간의 층간 교환에 의해 상기 씨드층 위에 다층 그래핀을 직성장하는 단계; 및상기 다층 그래핀 위의 상기 가압층을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 캡핑층의 소재는 SiNx, BN, Si-BN, Me-Y(Me는 Zr 및 Mo 중에 적어도 하나, Y는 붕소화물(Boride), 질화물(Nitride) 및 탄화물(Carbide) 중에 적어도 하나), ZrSi2, ZrBx(2≤x003c#16) 및 ZrBxSiy(x≥2, y≥2) 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클의 제조 방법
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