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가압 열처리를 통한 다층 그래핀의 직성장 방법 및 그를 이용한 극자외선 노광용 펠리클의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2022019776
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 극자외선 노광용 펠리클의 코어층으로 사용되는 다층 그래핀의 가압 열처리를 통한 직성장 방법 및 그를 이용한 극자외선 노광용 펠리클의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 실리콘 기판 위에 식각 정지층을 형성하는 단계, 식각 정지층 위에 비정질 붕소, BN, BCN, B4C 및 Me-X(Me는 Si, Ti, Mo 및 Zr 중에 적어도 하나, X는 B, C 및 N 중에 적어도 하나) 중에 적어도 하나의 소재로 씨드층을 형성하는 단계, 씨드층 위에 금속 촉매층을 형성하는 단계, 금속 촉매층 위에 비정질 탄소층을 형성하는 단계, 및 가압 열처리를 통해서 금속 촉매층과 비정질 탄소층 간의 층간 교환에 의해 씨드층 위에 다층 그래핀을 직성장하는 단계를 포함하는 가압 열처리를 통한 다층 그래핀의 직성장 방법을 제공한다.
Int. CL C01B 32/184 (2017.01.01) C01B 32/194 (2017.01.01) B01J 3/06 (2015.01.01) B01J 6/00 (2006.01.01) G03F 1/62 (2012.01.01) G03F 1/22 (2012.01.01)
CPC C01B 32/184(2013.01) C01B 32/194(2013.01) B01J 3/06(2013.01) B01J 6/00(2013.01) G03F 1/62(2013.01) G03F 1/22(2013.01) C01B 2204/04(2013.01)
출원번호/일자 1020210045912 (2021.04.08)
출원인 한국전자기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0139670 (2022.10.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형근 경기도 용인시 수지구
2 김슬기 경기도 용인시 기흥구
3 김현미 서울특별시 서초구
4 유찬세 경기도 과천시 별양로 *
5 조진우 서울시 성동구
6 김혜영 경기도 부천시 성지로
7 전준혁 경기도 수원시 장안구
8 윤성호 경기도 군포시 번영로***번길 * 무궁화아파트 *
9 성기훈 경기도 안양시 만안구
10 이상민 경기도 부천시 경인로***번길

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2021-0413186-66
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2021.07.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-0879213-18
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번호 청구항
1 1
실리콘 기판 위에 식각 정지층을 형성하는 단계;상기 식각 정지층 위에 비정질 붕소, BN, BCN, B4C 및 Me-X(Me는 Si, Ti, Mo 및 Zr 중에 적어도 하나, X는 B, C 및 N 중에 적어도 하나) 중에 적어도 하나의 소재로 씨드층을 형성하는 단계;상기 씨드층 위에 금속 촉매층을 형성하는 단계;상기 금속 촉매층 위에 비정질 탄소층을 형성하는 단계; 및가압 열처리를 통해서 상기 금속 촉매층과 상기 비정질 탄소층 간의 층간 교환에 의해 상기 씨드층 위에 다층 그래핀을 직성장하는 단계;를 포함하는 가압 열처리를 통한 다층 그래핀의 직성장 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 다층 그래핀을 직성장하는 단계에서,상기 가압 열처리는 450 내지 600℃에서 수행하는 것을 특징으로 하는 가압 열처리를 통한 다층 그래핀의 직성장 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 다층 그래핀을 직성장하는 단계에서,압력은 가압 지그를 이용하여 인가하는 것을 특징으로 하는 가압 열처리를 통한 다층 그래핀의 직성장 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 가압 지그의 소재는 세라믹 또는 스테인리스 스틸을 포함하는 것을 특징으로 하는 가압 열처리를 통한 다층 그래핀의 직성장 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 다층 그래핀을 직성장하는 단계는,상기 비정질 탄소층 위에 압력을 인가하는 가압층을 형성하는 단계; 및열처리를 통해서 상기 금속 촉매층과 상기 비정질 탄소층 간의 층간 교환에 의해 상기 씨드층 위에 다층 그래핀을 직성장하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 가압 열처리를 통한 다층 그래핀의 직성장 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 가압층의 소재는 산화실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 가압 열처리를 통한 다층 그래핀의 직성장 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 다층 그래핀을 직성장하는 단계에서,상기 가압 열처리는 수소 가스 또는 불활성 가스 분위기에서 30분 내지 4시간 진행되고, 상기 불활성 가스는 질소, 아르곤 및 헬륨 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 가압 열처리를 통한 다층 그래핀의 직성장 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 금속 촉매층의 소재는 Ni, Co, Fe, Pt, Ir, Ru, Cr 및 Mn 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 가압 열처리를 통한 다층 그래핀의 직성장 방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 다층 그래핀으로 직성장하는 단계 이후에 수행되는,상기 다층 그래핀 위의 상기 금속 촉매층을 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가압 열처리를 통한 다층 그래핀의 직성장 방법
10 10
제5항에 있어서, 상기 다층 그래핀으로 직성장하는 단계 이후에 수행되는,상기 다층 그래핀 위의 상기 가압층과 상기 금속 촉매층을 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가압 열처리를 통한 다층 그래핀의 직성장 방법
11 11
실리콘 기판 위에 다층 그래핀을 가압 열처리로 직성장하여 코어층을 형성하는 단계;상기 코어층 위에 캡핑층을 형성하는 단계; 및상기 코어층 아래의 상기 실리콘 기판의 중심 부분을 제거하여 상기 코어층이 노출되는 개방부를 형성하는 단계;를 포함하며,상기 코어층을 형성하는 단계는,실리콘 기판 위에 식각 정지층을 형성하는 단계;상기 식각 정지층 위에 비정질 붕소, BN, BCN, B4C 및 Me-X(Me는 Si, Ti, Mo 및 Zr 중에 적어도 하나, X는 B, C 및 N 중에 적어도 하나) 중에 적어도 하나의 소재로 씨드층을 형성하는 단계;상기 씨드층 위에 금속 촉매층을 형성하는 단계;상기 금속 촉매층 위에 비정질 탄소층을 형성하는 단계;가압 열처리를 통해서 상기 금속 촉매층과 상기 비정질 탄소층 간의 층간 교환에 의해 상기 씨드층 위에 다층 그래핀을 직성장하는 단계; 및상기 다층 그래핀 위의 상기 금속 촉매층을 제거하는 단계;를 포함하는 극자외선 노광용 펠리클의 제조 방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 다층 그래핀을 직성장하는 단계는,상기 비정질 탄소층 위에 압력을 인가하는 가압층을 형성하는 단계;열처리를 통해서 상기 금속 촉매층과 상기 비정질 탄소층 간의 층간 교환에 의해 상기 씨드층 위에 다층 그래핀을 직성장하는 단계; 및상기 다층 그래핀 위의 상기 가압층을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클의 제조 방법
13 13
제11항에 있어서,상기 캡핑층의 소재는 SiNx, BN, Si-BN, Me-Y(Me는 Zr 및 Mo 중에 적어도 하나, Y는 붕소화물(Boride), 질화물(Nitride) 및 탄화물(Carbide) 중에 적어도 하나), ZrSi2, ZrBx(2≤x003c#16) 및 ZrBxSiy(x≥2, y≥2) 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전자기술연구원 원천기술개발사업 (C) 5nm급 이하 반도체 노광 공정용 EUV 투과 소재 기술 개발