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중심 부분에 개방부가 형성되는 실리콘 기판;상기 개방부를 덮도록 실리콘 기판 위에 형성되는 지지층; 및상기 지지층 위에 형성되며, 비정질 탄소를 포함하는 펠리클층;을 포함하는 극자외선 노광용 펠리클
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제1항에 있어서, 상기 펠리클층은,상기 지지층 위에 형성되는 코어층; 및상기 코어층 위에 형성되는 캡핑층;을 포함하고,상기 코어층 및 캡핑층 중에 적어도 하나는 상기 비정질 탄소를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
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제2항에 있어서,상기 코어층이 비정질 탄소층인 경우, 두께는 30nm 이하인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
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제3항에 있어서,상기 캡핑층의 소재는 질화물(nitride), 산화물(oxide), 붕소화물(boride), 탄화물(carbide) 및 규화물(silicide) 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
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제2항에 있어서,상기 캡핑층이 비정질 탄소층인 경우, 두께는 10nm 이하인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
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제5항에 있어서,상기 코어층의 소재는 그래핀, Me-α(Me는 Zr 및 Mo 중에 적어도 하나, α는 질화물(nitride), 붕소화물(boride), 탄화물(carbide) 및 규화물(silicide) 중에 적어도 하나), ZrSi2, ZrBx(2≤x003c#16), ZrBxSiy(x≥2, y≥2) 및 YBx(x≥2) 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
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제1항에 있어서, 상기 펠리클층은,상기 지지층 위에 형성되는 코어층;상기 코어층 위에 형성되는 캡핑층; 및상기 지지층과 코어층 사이, 및 상기 코어층과 상기 캡핑층 사이 중에 적어도 하나에 형성되며, 비정질 탄소를 포함하는 버퍼층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
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제7항에 있어서,상기 버퍼층의 두께는 7nm 이하인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
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제8항에 있어서,상기 캡핑층의 소재는 질화물(nitride), 산화물(oxide), 붕소화물(boride), 탄화물(carbide) 및 규화물(silicide) 중에 적어도 하나를 포함하고,상기 코어층의 소재는 그래핀, Me-α(Me는 Zr 및 Mo 중에 적어도 하나, α는 질화물(nitride), 붕소화물(boride), 탄화물(carbide) 및 규화물(silicide) 중에 적어도 하나), ZrSi2, ZrBx(2≤x003c#16), ZrBxSiy(x≥2, y≥2) 및 YBx(x≥2) 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
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제1항에 있어서,상기 비정질 탄소의 밀도(density)는 1
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실리콘 기판 위에 지지층을 형성하는 단계;상기 지지층 위에 비정질 탄소를 포함하는 펠리클층을 형성하는 단계; 및상기 지지층 아래의 상기 실리콘 기판의 중심 부분을 제거하여 상기 지지층이 노출되는 개방부를 형성하는 단계;를 포함하는 극자외선 노광용 펠리클의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 펠리클층을 형성하는 단계는,상기 지지층 위에 코어층을 형성하는 단계; 및상기 코어층 위에 캡핑층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 코어층 및 캡핑층 중에 적어도 하나는 상기 비정질 탄소를 포함하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 펠리클층을 형성하는 단계는,상기 지지층 위에 상기 코어층을 형성하는 단계;상기 코어층 위에 비정질 탄소를 포함하는 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 버퍼층 위에 캡핑층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 펠리클층을 형성하는 단계는,상기 지지층 위에 제1 버퍼층을 형성하는 단계;상기 제1 버퍼층 위에 상기 코어층을 형성하는 단계;상기 코어층 위에 제2 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 제2 버퍼층 위에 캡핑층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제1 및 제2 버퍼층 중에 적어도 하나는 비정질 탄소를 포함하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클의 제조 방법
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