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실리콘 기판 위에 식각 정지층을 형성하는 단계;상기 식각 정지층 위에 비정질 붕소, BN, BCN, B4C 및 Me-X(Me는 Si, Ti, Mo 및 Zr 중에 적어도 하나, X는 B, C 및 N 중에 적어도 하나) 중에 적어도 하나의 소재로 씨드층을 형성하는 단계;상기 씨드층 위에 금속 촉매층을 형성하는 단계;상기 금속 촉매층 위에 비정질 탄소층을 형성하는 단계; 및450 내지 600℃에서의 저온 열처리를 통해서 상기 금속 촉매층과 상기 비정질 탄소층 간의 층간 교환에 의해 상기 씨드층 위에 다층 그래핀을 직성장하는 단계;를 포함하는 다층 그래핀의 저온 직성장 방법
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제1항에 있어서,상기 식각 정지층의 소재는 SiNx, SiO2, SiC, 및 Mo2C 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 그래핀의 저온 직성장 방법
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제1항에 있어서, 상기 씨드층을 형성하는 단계에서,상기 씨드층을 5nm 이하의 두께로 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 다층 그래핀의 저온 직성장 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 촉매층의 소재는 Ni, Co, Fe, Pt, Ir, Ru, Cr 및 Mn 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 그래핀의 저온 직성장 방법
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제4항에 있어서, 상기 금속 촉매층을 형성하는 단계에서,상기 금속 촉매층을 스퍼터링 또는 전자빔 증착법(e-beam evaporation method)으로 10nm 내지 100nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 다층 그래핀의 저온 직성장 방법
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제1항에 있어서,상기 비정질 탄소층 두께(ta-c)와 상기 금속 촉매층 두께(tm)의 비(ta-c/tm)는 0
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제1항에 있어서, 상기 다층 그래핀을 직성장하는 단계에서,상기 열처리는 수소 가스 또는 불활성 가스 분위기에서 30분 내지 4시간 진행되고, 상기 불활성 가스는 질소, 아르곤 및 헬륨 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 그래핀의 저온 직성장 방법
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제1항에 있어서, 상기 다층 그래핀으로 직성장하는 단계 이후에 수행되는,상기 다층 그래핀 위의 상기 금속 촉매층을 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 그래핀의 저온 직성장 방법
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제8항에 있어서, 상기 다층 그래핀을 직성장하는 단계와 상기 금속 촉매층을 제거하는 단계 사이에 수행되는,상기 금속 촉매층 위에 잔존하는 비정질 탄소층을 O2 플라즈마 처리를 통하여 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 그래핀의 저온 직성장 방법
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제1항에 있어서,상기 다층 그래핀의 두께는 20nm 이하 인 것을 특징으로 다층 그래핀의 저온 직성장 방법
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실리콘 기판 위에 다층 그래핀을 저온 직성장하여 코어층을 형성하는 단계;상기 코어층 위에 캡핑층을 형성하는 단계; 및상기 코어층 아래의 상기 실리콘 기판의 중심 부분을 제거하여 상기 코어층이 노출되는 개방부를 형성하는 단계;를 포함하며,상기 코어층을 형성하는 단계는,실리콘 기판 위에 식각 정지층을 형성하는 단계;상기 식각 정지층 위에 비정질 붕소, BN, BCN, B4C 및 Me-X(Me는 Si, Ti, Mo 및 Zr 중에 적어도 하나, X는 B, C 및 N 중에 적어도 하나) 중에 적어도 하나의 소재로 씨드층을 형성하는 단계;상기 씨드층 위에 금속 촉매층을 형성하는 단계;상기 금속 촉매층 위에 비정질 탄소층을 형성하는 단계; 및450 내지 600℃에서의 저온 열처리를 통해서 상기 금속 촉매층과 상기 비정질 탄소층 간의 층간 교환에 의해 상기 씨드층 위에 다층 그래핀을 직성장하는 단계; 및상기 다층 그래핀 위의 상기 금속 촉매층을 제거하는 단계;를 포함하는 다층 그래핀의 저온 직성장 방법을 이용한 극자외선 노광용 펠리클의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 코어층을 형성하는 다층 그래핀의 두께는 20nm 이하 인 것을 특징으로 다층 그래핀의 저온 직성장 방법을 이용한 극자외선 노광용 펠리클의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 개방부를 형성하는 단계에서,상기 식각 정지층 아래의 상기 실리콘 기판의 중심 부분을 제거하여 상기 개방부를 형성하는 것을 특징으로 하는 다층 그래핀의 저온 직성장 방법을 이용한 극자외선 노광용 펠리클의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 캡핑층의 소재는 SiNx, BN, Si-BN, Me-Y(Me는 Zr 및 Mo 중에 적어도 하나, Y는 붕소화물(Boride), 질화물(Nitride) 및 탄화물(Carbide) 중에 적어도 하나), ZrSi2, ZrBx(2≤x003c#16) 및 ZrBxSiy(x≥2, y≥2) 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 그래핀의 저온 직성장 방법을 이용한 극자외선 노광용 펠리클의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 캡핑층을 형성하는 단계에서,상기 캡핑층을 ALD(atomic layer deposition), 전자빔 증착(e-beam evaporation), 스퍼터링(sputtering) 또는 CVD(chemical vapor deposition) 공정으로 상기 코어층 위에 1nm 내지 10nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 다층 그래핀의 저온 직성장 방법을 이용한 극자외선 노광용 펠리클의 제조 방법
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중심 부분에 개방부가 형성되는 실리콘 기판;상기 개방부를 덮도록 실리콘 기판 위에 형성된 식각 정지층;상기 식각 정지층 위에 비정질 붕소, BN, BCN, B4C 및 Me-X(Me는 Si, Ti, Mo 및 Zr 중에 적어도 하나, X는 B, C 및 N 중에 적어도 하나) 중에 적어도 하나의 소재로 형성된 씨드층;상기 씨드층 위에 직성장된 다층 그래핀으로 형성된 코어층; 및상기 코어층 위에 형성된 캡핑층;을 포함하는 극자외선 노광용 펠리클
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제16항에 있어서, 상기 다층 그래핀은,상기 씨드층 위에 금속 촉매층과 비정질 탄소층을 순차적으로 형성한 후, 450 내지 600℃에서의 저온 열처리를 통해서 상기 금속 촉매층과 상기 비정질 탄소층 간의 층간 교환에 의해 상기 씨드층 위에 직성장하여 형성되는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
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