1 |
1
전자전도상 물질과 이온전도상 물질이 혼합된 복합물로 이루어진 복합체층; 및상기 복합체층 일면 또는 양면에 형성되는 다공성 전극 활성층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 고투과성 산소 투과 분리막
|
2 |
2
제1항에 있어서,상기 복합체층은 상기 전자전도상 물질 및 상기 이온전도상 물질을 8:2 내지 2:8의 부피비로 혼합된 복합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고투과성 산소 투과 분리막
|
3 |
3
제1항에 있어서,상기 전자전도상 물질은 란타늄 스트론튬 페라이트(Lanthanum strontium ferrite), 란타늄 스트론튬 망가나이트(Lanthanum strontium Manganite), 란타늄 스트론튬 코발타이트(Lanthanum strontium Cobatite), 란타늄 스트론튬 크로마이트(Lanthanum strontium Chromite), 란타늄 스트론튬 코발트 페라이트(Lanthanum strontium cobalt ferrite), 망간 페라이트(MnFe2O4) 및 니켈 페라이트(NiFe2O4)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 고투과성 산소 투과 분리막
|
4 |
4
제1항에 있어서,상기 이온전도상 물질은 가돌리니아 주입 세리아(gadolinia doped-ceria), 사마리움 주입 세리아(Smaria doped-Ceria) 및 이트리아 안정화 세리아(yttria-stabilized ceria)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 산소 투과 분리막
|
5 |
5
제1항에 있어서,상기 다공성 전극 활성층은 SrCo0
|
6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 복합체층의 두께는 20㎛ 내지 300㎛인 것을 특징으로 하는 산소 투과 분리막
|
7 |
7
(a) 전자전도상 물질 및 이온전도상 물질을 포함하는 복합체층을 제조하는 단계;(b) 상기 복합체층을 소결하는 단계; 및(c) 상기 복합체층의 일면 또는 양면에 다공성 전극 활성층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산소 투과 분리막 제조방법
|
8 |
8
제7항에 있어서,상기 (a) 단계는,상기 전자전도상 물질 및 상기 이온전도상 물질을 8:2 내지 2:8의 부피비로 혼합된 복합물을 형성하고 테이프 캐스팅(Tape casting) 공정을 이용하여 상기 복합체층을 제조하는 것을 특징으로 하는 산소 투과 분리막 제조방법
|
9 |
9
제7항에 있어서,상기 전자전도상 물질은 란타늄 스트론튬 페라이트(Lanthanum strontium ferrite), 란타늄 스트론튬 망가나이트(Lanthanum strontium Manganite), 란타늄 스트론튬 코발타이트(Lanthanum strontium Cobatite), 란타늄 스트론튬 크로마이트(Lanthanum strontium Chromite), 란타늄 스트론튬 코발트 페라이트(Lanthanum strontium cobalt ferrite), 망간 페라이트(MnFe2O4) 및 니켈 페라이트(NiFe2O4)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 산소 투과 분리막 제조방법
|
10 |
10
제7항에 있어서,상기 이온전도상 물질은 가돌리니아 주입 세리아(gadolinia doped-ceria), 사마리움 주입 세리아(Smaria doped-Ceria) 및 이트리아 안정화 세리아(yttria-stabilized ceria)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 산소 투과 분리막 제조방법
|
11 |
11
제7항에 있어서,상기 (b) 단계는,상기 복합체층을 1200℃ 내지 1400℃에서 소결하는 것을 특징으로 하는 산소 투과 분리막 제조방법
|
12 |
12
제7항에 있어서,상기 (c) 단계는 SrCo0
|
13 |
13
제7항에 있어서,상기 복합체층의 두께는 20㎛ 내지 300㎛인 것을 특징으로 하는 고투과성 산소 투과 분리막 제조방법
|
14 |
14
제7항에 있어서,상기 (c) 단계 이후에 상기 다공성 전극 활성층을 800℃ 내지 1200℃에서 소성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 산소 투과 분리막 제조방법
|