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상변화 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2022019858
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 상변화 메모리 소자는 기판 상의 하부전극; 상기 기판 상에 배치되고, 상기 하부전극의 상면을 노출하는 오프닝을 포함하고, 제 1 서브절연층 및 제 2 서브절연층을 포함하는 제 1 절연층; 상기 오프닝 내에서 상기 하부전극 상에 배치되는 히터; 상기 오프닝의 내측면(inner sidewall)을 덮는 상변화 물질층; 상기 오프닝 내에 배치되고, 상기 상변화 물질층과 상기 히터 사이에 개재되는 제 2 절연층; 및 상기 제 1 서브절연층 및 제 2 서브절연층 사이에 배치되고, 상기 상변화 물질층에 연결되고, 상기 기판의 상면에 평행한 제 1 방향을 따라 연장되는 도전라인을 포함한다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01) G11C 13/00 (2006.01.01)
CPC H01L 45/1286(2013.01) H01L 45/1233(2013.01) H01L 45/1293(2013.01) G11C 13/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020210047570 (2021.04.13)
출원인 삼성전자주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0141435 (2022.10.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.04.21)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상범 서울특별시 관악구
2 최인혁 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2021.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2021-0427483-94
2 보정요구서
Request for Amendment		 2021.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2021-0061304-49
3 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2021.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2021-0459985-96
4 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
 2021.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2021-0468270-71
5 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2021.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2021-5205564-29
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2022.02.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2022.04.04 수리 (Accepted) 4-1-2022-5079741-71
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2022.04.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2022-0148810-69
9 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2022.08.11 수리 (Accepted) 4-1-2022-5189083-38
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2022.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0628931-32
11 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2022.10.07 수리 (Accepted) 4-1-2022-5235636-01
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2022.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2022-1070704-85
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2022.10.12 1-1-2022-1070705-20
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상의 하부전극;상기 기판 상에 배치되고, 상기 하부전극의 상면을 노출하는 오프닝을 포함하고, 제 1 서브절연층 및 제 2 서브절연층을 포함하는 제 1 절연층;상기 오프닝 내에서 상기 하부전극 상에 배치되는 히터;상기 오프닝의 내측면(inner sidewall)을 덮는 상변화 물질층;상기 오프닝 내에 배치되고, 상기 상변화 물질층과 상기 히터 사이에 개재되는 제 2 절연층; 및상기 제 1 서브절연층 및 제 2 서브절연층 사이에 배치되고, 상기 상변화 물질층에 연결되고, 상기 기판의 상면에 평행한 제 1 방향을 따라 연장되는 도전라인을 포함하는 상변화 메모리 소자
2 2
제 1항에 있어서,상기 상변화 물질층은 상기 제 2 서브절연층의 상면 및 상기 하부전극의 상면 상으로 연장되고, 상기 히터의 하부 측벽과 접하는 상변화 메모리 소자
3 3
제 1항에 있어서,상기 도전라인의 하면은 상기 히터 높이의 절반보다 높은 상변화 메모리 소자
4 4
제 1항에 있어서,상기 히터는 상기 하부전극 상에 차례로 적층된 하부히터 및 상부히터를 포함하는 상변화 메모리 소자
5 5
제 4항에 있어서,상기 도전라인의 하면은 상기 하부히터 및 상기 상부히터 사이의 계면의 높이보다 높은 상변화 메모리 소자
6 6
기판 상의 하부전극;상기 기판 상에 배치되고, 상기 하부전극의 상면을 노출하는 오프닝을 포함하고, 제 1 서브절연층 및 제 2 서브절연층을 포함하는 제 1 절연층;상기 오프닝의 내측면을 덮고, 상기 제 2 서브절연층의 상면 및 상기 하부전극의 상면 상으로 연장되는 상변화 물질층;상기 오프닝 내에 상기 상변화 물질층 상에 배치되는 히터, 상기 히터의 하면은 상기 상변화 물질층과 접하는 것;상기 오프닝 내에 배치되고, 상기 상변화 물질층과 상기 히터 사이에 개재되는 제 2 절연층; 및상기 제 1 서브절연층 및 제 2 서브절연층 사이에 배치되고, 상기 상변화 물질층에 연결되고, 상기 기판의 상면에 평행한 제 1 방향을 따라 연장되는 도전라인을 포함하는 상변화 메모리 소자
7 7
제 6항에 있어서,상기 도전라인의 하면은 상기 히터 높이의 절반보다 높은 상변화 메모리 소자
8 8
제 6항에 있어서,상기 히터는 상기 상변화 물질층 상에 차례로 적층된 하부히터 및 상부히터를 포함하는 상변화 메모리 소자
9 9
제 8항에 있어서,상기 도전라인의 하면은 상기 하부히터 및 상기 상부히터 사이의 계면의 높이보다 높은 상변화 메모리 소자
10 10
제 1항 또는 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,상부전극을 더 포함하며,상기 하부전극의 하면에 접하는 하부 열장벽 또는 상기 상부전극의 상면에 접하는 상부 열장벽을 더 포함하는 상변화 메모리 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.