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탄화몰리브데넘을 포함하는 극자외선 노광용 펠리클

  • 기술번호 : KST2022019865
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 극자외선을 이용한 노광 공정에 사용되는 극자외선 노광용 펠리클에 관한 것이다. 본 발명에 따른 극자외선 노광용 펠리클은 중심 부분에 개방부가 형성된 기판과 펠리클층을 포함한다. 펠리클층은 개방부를 덮도록 기판 위에 형성되며, MoC1-x(0003c#x003c#1)으로 표시되는 탄화몰리브데넘을 함유하는 탄화몰리브데넘 함유 층을 구비한다.
Int. CL G03F 1/62 (2012.01.01) G03F 1/22 (2012.01.01)
CPC G03F 1/62(2013.01) G03F 1/22(2013.01)
출원번호/일자 1020210046187 (2021.04.09)
출원인 한국전자기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0140105 (2022.10.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.07.29)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형근 경기도 용인시 수지구
2 김슬기 경기도 용인시 기흥구
3 김현미 서울특별시 서초구
4 유찬세 경기도 과천시 별양로 *
5 조진우 서울시 성동구
6 김용경 경기도 광주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.04.09 수리 (Accepted) 1-1-2021-0415215-49
2 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
2021.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2021-0879244-12
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2021.07.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-0879243-77
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2022.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
중심 부분에 개방부가 형성된 기판; 및상기 개방부를 덮도록 상기 기판 위에 형성되며, MoC1-x(0003c#x003c#1)으로 표시되는 탄화몰리브데넘을 함유하는 탄화몰리브데넘 함유 층을 구비하는 펠리클층;을 포함하는 극자외선 노광용 펠리클
2 2
제1항에 있어서,상기 탄화몰리브데넘 함유 층은 결정질 또는 비정질의 탄화몰리브데넘이 혼합물 또는 일부 결정립 형태로 포함되는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
3 3
제1항에 있어서,상기 탄화몰리브데넘 함유 층은 Mo2C를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
4 4
제1항에 있어서, 상기 펠리클층은,상기 개방부를 덮도록 상기 기판 위에 형성되는 코어층;을 포함하고,상기 코어층이 상기 탄화몰리브데넘 함유 층인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
5 5
제1항에 있어서, 상기 펠리클층은,상기 개방부를 덮도록 상기 기판 위에 형성되는 코어층; 및상기 코어층 위에 형성되는 캡핑층;을 포함하고,상기 코어층 및 상기 캡핑층 중에 적어도 하나는 상기 탄화몰리브데넘 함유 층인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
6 6
제5항에 있어서,상기 코어층이 상기 탄화몰리브데넘 함유 층인 경우,상기 캡핑층의 소재는 질화물(nitride), 산화물(oxide), 붕소화물(boride), 탄화물(carbide) 및 규화물(silicide) 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
7 7
제5항에 있어서,상기 캡핑층이 상기 탄화몰리브데넘 함유 층인 경우,상기 코어층의 소재는 그래핀, Me-α(Me는 Zr 및 Mo 중에 적어도 하나, α는 질화물(nitride), 붕소화물(boride), 탄화물(carbide) 및 규화물(silicide) 중에 적어도 하나), ZrSi2, ZrBx(2≤x003c#16), ZrBxSiy(x≥2, y≥2) 및 YBx(x≥2) 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
8 8
제1항에 있어서,상기 기판과 상기 펠리클층 사이에 개재되며, 상기 개방부를 덮도록 상기 기판 위에 형성되며, SiNx, SiO2, SiC, 및 Mo2C 중에 적어도 하나의 소재로 형성되는 지지층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
9 9
제1항에 있어서, 상기 펠리클층은,상기 개방부를 덮도록 상기 기판 위에 형성되는 코어층;상기 코어층 위에 형성되는 캡핑층; 및상기 기판과 상기 코어층 사이, 및 상기 코어층과 상기 캡핑층 사이 중에 적어도 하나에 형성되는 버퍼층;을 포함하고,상기 코어층, 상기 캡핑층 및 상기 버퍼층 중에 적어도 하나는 상기 탄화몰리브데넘 함유 층인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
10 10
제9항에 있어서,상기 버퍼층이 상기 탄화몰리브데넘 함유 층인 경우,상기 캡핑층의 소재는 질화물(nitride), 산화물(oxide), 붕소화물(boride), 탄화물(carbide) 및 규화물(silicide) 중에 적어도 하나를 포함하고,상기 코어층의 소재는 그래핀, Me-α(Me는 Zr 및 Mo 중에 적어도 하나, α는 질화물(nitride), 붕소화물(boride), 탄화물(carbide) 및 규화물(silicide) 중에 적어도 하나), ZrSi2, ZrBx(2≤x003c#16), ZrBxSiy(x≥2, y≥2) 및 YBx(x≥2) 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
11 11
제9항에 있어서,상기 코어층 및 상기 캡핑층 중에 적어도 하나가 상기 탄화몰리브데넘 함유 층인 경우,상기 버퍼층의 소재는 B, C, Zr, B4C, BN, SiNx(x≥1), MoSi2, RuC, NbCx(0003c#x≤1), YCx(0
12 12
MoC1-x(0003c#x003c#1)으로 표시되는 탄화몰리브데넘을 함유하는 탄화몰리브데넘 함유 층을 구비하는 펠리클층;을 포함하는 극자외선 노광용 펠리클
13 13
제12항에 있어서,상기 탄화몰리브데넘 함유 층은 결정질 또는 비정질의 탄화몰리브데넘이 혼합물 또는 일부 결정립 형태로 포함되는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
14 14
제12항에 있어서,상기 탄화몰리브데넘 함유 층은 Mo2C를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
15 15
제12항에 있어서,상기 펠리클층은 코어층을 포함하고, 상기 코어층이 상기 탄화몰리브데넘 함유 층인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
16 16
제12항에 있어서, 상기 펠리클층은,코어층; 및상기 코어층의 일면 또는 양면에 형성되는 캡핑층;을 포함하고,상기 코어층 및 상기 캡핑층 중에 적어도 하나는 상기 탄화몰리브데넘 함유 층인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
17 17
제12항에 있어서, 상기 펠리클층은,코어층;상기 코어층 일면 또는 양면에 형성되는 버퍼층; 및상기 버퍼층 위에 형성되는 캡핑층;을 포함하고,상기 코어층, 상기 버퍼층 및 상기 캡핑층 중에 적어도 하나는 상기 탄화몰리브데넘 함유 층인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전자기술연구원 원천기술개발사업 (C) 5nm급 이하 반도체 노광 공정용 EUV 투과 소재 기술 개발