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이트륨화합물을 함유하는 극자외선 노광용 펠리클

  • 기술번호 : KST2022019867
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 극자외선을 이용한 노광 공정에 사용되는 이트륨화합물을 함유하는 극자외선 노광용 펠리클에 관한 것이다. 본 발명에 따른 극자외선 노광용 펠리클은 이트륨화합물을 함유하는 이트륨화합물 함유층을 구비하는 펠리클층을 포함한다. 여기서 이트륨화합물은 YF3, YN, YON, YAG(Y3Al5O12), YAM(Y4Al2O9), YAP(YAlO3), YOF, Y2OC, Y2SiO5 또는 Y2Si3O9을 포함한다.
Int. CL G03F 1/62 (2012.01.01) G03F 1/22 (2012.01.01)
CPC G03F 1/62(2013.01) G03F 1/22(2013.01)
출원번호/일자 1020210047208 (2021.04.12)
출원인 한국전자기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0141374 (2022.10.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.07.29)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형근 경기도 용인시 수지구
2 김슬기 경기도 용인시 기흥구
3 김현미 서울특별시 서초구
4 임형묵 경기도 성남시 분당구
5 김혜영 경기도 부천시 성지로
6 전준혁 경기도 수원시 장안구
7 이상민 경기도 부천시 경인로***번길

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2021-0424076-00
2 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
2021.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2021-0879276-73
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2021.07.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-0879275-27
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2022.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
이트륨화합물을 함유하는 이트륨화합물 함유층을 구비하는 펠리클층;을 포함하고,상기 이트륨화합물은 YF3, YN, YON, YAG(Y3Al5O12), YAM(Y4Al2O9), YAP(YAlO3), YOF, Y2OC, Y2SiO5 또는 Y2Si3O9을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
2 2
제1항에 있어서,상기 이트륨화합물 함유층은 상기 이트륨화합물로 구성된 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
3 3
제1항에 있어서,상기 이트륨화합물 함유층은 M-A-Si-이트륨화합물(M은 Zr, Mo, Ru, W, Ti 또는 Ir 이고, A는 B, C, N 또는 O 임)으로 표시되는 4성분계 소재를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
4 4
제3항에 있어서,상기 이트륨화합물 함유층은 상기 이트륨화합물이 YF3인 경우,M-AxSiyYF3(x+y≥1)를 포함하거나, M-AxYF3(x≥1) 및 M-SiyYF3(y≥1)를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
5 5
제4항에 있어서, 상기 이트륨화합물 함유층은,적어도 하나의 M-AxYF3(x≥1)층과, 적어도 하나의 M-SiyYF3(y≥1)층이 교대로 적층된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
6 6
제5항에 있어서,상기 펠리클층은 코어층을 포함하고, 상기 코어층이 상기 이트륨화합물 함유층인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
7 7
제3항에 있어서, 상기 이트륨화합물 함유층은,적어도 하나의 ZrB2층과, 적어도 하나의 ZrSi2층이 교대로 적층되는 적층체; 및상기 ZrB2층과 상기 ZrSi2층 간의 적어도 하나의 계면 또는 상기 적층체의 상부면 또는 하부면에 형성된 YF3층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
8 8
제7항에 있어서,상기 펠리클층은 코어층을 포함하고, 상기 코어층이 상기 이트륨화합물 함유층인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
9 9
제1항에 있어서, 상기 펠리클층은,지지층;상기 지지층 위에 형성되는 코어층; 및상기 코어층 위에 형성되는 캡핑층;을 포함하고,상기 지지층, 상기 코어층 및 상기 캡핑층 중에 적어도 하나는 상기 이트륨화합물 함유층인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
10 10
제9항에 있어서, 상기 코어층이 상기 이트륨화합물 함유층인 경우,상기 캡핑층의 소재는 상기 이트륨화합물, B, C, Zr, B4C, BN, 금속산화물, SiNx(x≥1), MoSi2, RuC, NbCx(0003c#x≤1), ZrSix(x≤2), ZrCx(0
11 11
제9항에 있어서, 상기 캡핑층이 상기 이트륨화합물 함유층인 경우,상기 코어층의 소재는 상기 이트륨화합물, Y, 그래핀, Me-α(Me는 Zr 및 Mo 중에 적어도 하나, α는 질화물(nitride), 붕소화물(boride), 탄화물(carbide) 및 규화물(silicide) 중에 적어도 하나), ZrSi2, ZrBx(2≤x003c#16), ZrBxSiy(x≥2, y≥2) 및 YBx(x≥2) 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
12 12
제11항에 있어서,상기 캡핑층의 소재는 Y2SiO5, YF3, YN, YOF 또는 YON 인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
13 13
제1항에 있어서, 상기 펠리클층은,지지층;상기 지지층 위에 형성되는 코어층;상기 코어층 일면 또는 양면에 형성되는 중간층; 및상기 중간층 위에 형성되는 캡핑층;을 포함하고,상기 지지층, 상기 코어층, 상기 중간층 및 상기 캡핑층 중에 적어도 하나는 상기 이트륨화합물 함유층인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
14 14
제13항에 있어서, 상기 코어층이 상기 이트륨화합물 함유층인 경우,상기 지지층, 상기 중간층 및 상기 캡핑층의 소재는 상기 이트륨화합물, B, C, Zr, B4C, BN, 금속산화물, SiNx(x≥1), MoSi2, RuC, NbCx(0003c#x≤1), ZrSix(x≤2), ZrCx(0
15 15
제13항에 있어서, 상기 지지층, 상기 중간층 및 상기 캡핑층 중에 적어도 하나가 상기 이트륨화합물 함유층인 경우,상기 코어층의 소재는 상기 이트륨화합물, Y, 그래핀, Me-α(Me는 Zr 및 Mo 중에 적어도 하나, α는 질화물(nitride), 붕소화물(boride), 탄화물(carbide) 및 규화물(silicide) 중에 적어도 하나), ZrSi2, ZrBx(2≤x003c#16), ZrBxSiy(x≥2, y≥2) 및 YBx(x≥2) 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
16 16
중심 부분에 개방부가 형성된 기판; 및상기 개방부를 덮도록 상기 기판 위에 형성되며, 이트륨화합물을 함유하는 이트륨화합물 함유층을 구비하는 펠리클층;을 포함하고,상기 이트륨화합물은 YF3, YN, YON, YAG(Y3Al5O12), YAM(Y4Al2O9), YAP(YAlO3), YOF, Y2OC, Y2SiO5 또는 Y2Si3O9을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
17 17
제16항에 있어서,상기 이트륨화합물 함유층은 상기 이트륨화합물로 구성된 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
18 18
제16항에 있어서,상기 이트륨화합물 함유층은 M-A-Si-이트륨화합물(M은 Zr, Mo, Ru, W, Ti 또는 Ir 이고, A는 B, C, N 또는 O 임)으로 표시되는 4성분계 소재를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
19 19
제16항에 있어서, 상기 펠리클층은,상기 개방부를 덮도록 상기 기판 위에 형성되는 지지층;상기 지지층 위에 형성되는 코어층; 및상기 코어층의 일면 또는 양면에 형성되는 캡핑층;을 포함하고,상기 코어층 및 상기 캡핑층 중에 적어도 하나는 상기 이트륨화합물 함유층인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
20 20
제16항에 있어서, 상기 펠리클층은,상기 개방부를 덮도록 상기 기판 위에 형성되는 지지층;상기 지지층 위에 형성되는 코어층;상기 코어층 일면 또는 양면에 형성되는 중간층; 및상기 중간층 위에 형성되는 캡핑층;을 포함하고,상기 지지층, 상기 코어층, 상기 중간층 및 상기 캡핑층 중에 적어도 하나는 상기 이트륨화합물 함유층인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전자기술연구원 원천기술개발사업 (C) 5nm급 이하 반도체 노광 공정용 EUV 투과 소재 기술 개발