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이트륨계 기반의 극자외선 노광용 펠리클

  • 기술번호 : KST2022019868
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 극자외선을 이용한 노광 공정에 사용되는 이트륨계 기반의 극자외선 노광용 펠리클에 관한 것이다. 본 발명에 따른 극자외선 노광용 펠리클은 Y-M(M은 B, Si, O 및 F 중에 하나)으로 표시되는 이트륨 기반 소재를 코어층으로 구비하는 펠리클층을 포함한다.
Int. CL G03F 1/62 (2012.01.01) G03F 1/22 (2012.01.01)
CPC G03F 1/62(2013.01) G03F 1/22(2013.01)
출원번호/일자 1020210047239 (2021.04.12)
출원인 한국전자기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0141378 (2022.10.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.06.01)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형근 경기도 용인시 수지구
2 김현미 서울특별시 서초구
3 김슬기 경기도 용인시 기흥구
4 유찬세 경기도 과천시 별양로 *
5 조진우 서울시 성동구
6 성기훈 경기도 안양시 만안구
7 이규현 경기도 수원시 팔달구
8 김혜영 경기도 부천시 성지로
9 전준혁 경기도 수원시 장안구
10 윤성호 경기도 군포시 번영로***번길 * 무궁화아파트 *

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2021-0424294-46
2 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
2021.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2021-0629850-29
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2022.05.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
Y-M(M은 B, Si, O 및 F 중에 하나)으로 표시되는 이트륨 기반 소재를 코어층으로 구비하는 펠리클층;을 포함하는 극자외선 노광용 펠리클
2 2
제1항에 있어서,상기 이트륨 기반 소재는 Y-Bx(x≥2), Y-Six(x≥1), Y2O3 또는 YF3을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
3 3
제1항에 있어서,상기 이트륨 기반 소재는 YB2, YB4, YB6, YB12, YB25, YB50 또는 YB66을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
4 4
제1항에 있어서,상기 이트륨 기반 소재는 YSi2 또는 Y3Si5를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
5 5
제1항에 있어서, 상기 펠리클층은,상기 코어층; 및상기 코어층의 일면 또는 양면에 형성되는 캡핑층;을 포함하고,상기 캡핑층의 소재는 Y-M-α(M은 B, Si, O 및 F 중에 하나이고, α는 Si, C, B, N, O 및 Ru 중에 하나)로 표시되는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
6 6
제5항에 있어서,상기 캡핑층의 소재는 YCxSiy(x+y≥1), YCxBy(x+y≥1), YSixNy(x+y≥1), YCx(x≥1), YSix(x≥1), YNx(x≥1), SiNx(x≥1), SiO2, B4C 또는 RuC를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
7 7
제1항에 있어서, 상기 펠리클층은,상기 코어층;상기 코어층 일면 또는 양면에 형성되는 중간층; 및상기 중간층 위에 형성되는 캡핑층;을 포함하고,상기 중간층 및 상기 캡핑층의 소재는 Y-M-α(M은 B, Si, O 및 F 중에 하나이고, α는 Si, C, B, N, O 및 Ru 중에 하나)로 표시되는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
8 8
제7항에 있어서,상기 중간층 및 캡핑층의 소재는 YCxSiy(x+y≥1), YCxBy(x+y≥1), YSixNy(x+y≥1), YCx(x≥1), YSix(x≥1), YNx(x≥1), SiNx(x≥1), SiO2, B4C 또는 RuC를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
9 9
중심 부분에 개방부가 형성된 기판; 및상기 개방부를 덮도록 상기 기판 위에 형성되며, Y-M(M은 B, Si, O 및 F 중에 하나)으로 표시되는 이트륨 기반 소재를 코어층으로 구비하는 펠리클층;을 포함하는 극자외선 노광용 펠리클
10 10
제9항에 있어서,상기 이트륨 기반 소재는 Y-Bx(x≥2), Y-Six(x≥1), Y2O3 또는 YF3을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
11 11
제9항에 있어서, 상기 펠리클층은,상기 개방부를 덮도록 상기 기판 위에 형성되는 상기 코어층; 및상기 코어층 위에 형성되는 캡핑층;을 포함하고,상기 캡핑층의 소재는 Y-M-α(M은 B, Si, O 및 F 중에 하나이고, α는 Si, C, B, N, O 및 Ru 중에 하나)로 표시되는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
12 12
제11항에 있어서,상기 캡핑층의 소재는 YCxSiy(x+y≥1), YCxBy(x+y≥1), YSixNy(x+y≥1), YCx(x≥1), YSix(x≥1), YNx(x≥1), SiNx(x≥1), SiO2, B4C 또는 RuC를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
13 13
제9항에 있어서, 상기 펠리클층은,상기 개방부를 덮도록 상기 기판 위에 형성되는 상기 코어층;상기 코어층 일면 또는 양면에 형성되는 중간층; 및상기 중간층 위에 형성되는 캡핑층;을 포함하고,상기 중간층 및 상기 캡핑층의 소재는 Y-M-α(M은 B, Si, O 및 F 중에 하나이고, α는 Si, C, B, N, O 및 Ru 중에 하나)로 표시되는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
14 14
제13항에 있어서,상기 중간층 및 캡핑층의 소재는 YCxSiy(x+y≥1), YCxBy(x+y≥1), YSixNy(x+y≥1), YCx(x≥1), YSix(x≥1), YNx(x≥1), SiNx(x≥1), SiO2, B4C 또는 RuC를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전자기술연구원 원천기술개발사업 (C) 5nm급 이하 반도체 노광 공정용 EUV 투과 소재 기술 개발