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실리콘 양자우물 구조를 갖는 터널 산화막 실리콘 태양전지 및 이의 제조 방법

기술번호 : KST2022019880
담당센터 : 경기기술혁신센터
전화번호 : 031-8006-1570

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 실리콘 산화막/ 비정질 실리콘/ 실리콘 산화막 적층을 통해 실리콘 양자 우물(Silicon Quantum well) 구조의 형성 및 이러한 구조를 이용한 고효율 실리콘 태양전지 구조를 포함한다. 제안하는 발명은 기존에 실리콘 산화막/poly-Si층을 이용한 터널 산화막 전하선택형 실리콘 태양전지 구조에서 각각의 장비로 실리콘 산화막과 poly-Si층을 형성하였으나 본 발명을 적용하면 단일 장비를 통한 인시츄(in-situ) 공정이 가능하여 공정 단순화와 효율 향상을 이룰 수 있다.
Int. CL	H01L 31/0352 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/028 (2006.01.01) H01L 31/068 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC	H01L 31/035236(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/028(2013.01) H01L 31/068(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1868(2013.01)
출원번호/일자	1020210047486 (2021.04.13)
출원인	성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2022-0141399 (2022.10.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	공개
심사진행상태	수리
심판사항
구분	국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2021.04.13)
심사청구항수	15

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	성균관대학교산학협력단	대한민국	경기도 수원시 장안구

발명자

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번호	이름	주소
1	이준신	경기도 과천시 관문로 ***
2	조은철	경기도 수원시 장안구
3	PHAM DUY PHONG	경기도 수원시 장안구
4	이선화	경기도 수원시 장안구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	차상윤	대한민국	서울특별시 영등포구 경인로 **, 동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2	박종수	대한민국	서울특별시 영등포구 경인로 **, 동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3	남건필	대한민국	서울특별시 영등포구 경인로 **, 동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2021.04.13	수리 (Accepted)	1-1-2021-0426689-13
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2022.10.14	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 제 1 도전형의 실리콘 기판을 준비하는 단계;상기 실리콘 기판의 후면에 실리콘 양자우물(silicon quantum well) 구조층을 형성하는 단계;상기 실리콘 양자우물 구조층 상에 제 1 도전형의 후면 전계층을 형성하는 단계;상기 실리콘 기판의 전면에 제 1 도전형과 상이한 제 2 도전형의 전면 에미터층을 형성하는 단계;상기 전면 에미터층 상에 전면 패시베이션층을 형성하고 상기 후면 전계층 상에 후면 패시베이션층을 형성하는 단계; 및전면 전극 및 후면 전극을 형성하는 단계를 포함하는,실리콘 양자우물 구조를 갖는 터널 산화막 실리콘 태양전지의 제조 방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 실리콘 양자우물 구조층을 형성하는 단계는,i) 상기 실리콘 기판 후면에 비정질 실리콘 옥사이드 박막을 형성하는 단계;ii)상기 비정질 실리콘 옥사이드 박막 상에 비정질 실리콘 박막을 형성하는 단계; 및iii) 상기 비정질 실리콘 박막 상에 실리콘 옥사이드 박막을 형성하는 단계를 포함하는,실리콘 양자우물 구조를 갖는 터널 산화막 실리콘 태양전지의 제조 방법
3	3 제 2 항에 있어서,상기 i) 내지 iii) 단계는 반복되어 수행되는,실리콘 양자우물 구조를 갖는 터널 산화막 실리콘 태양전지의 제조 방법
4	4 제 2 항에 있어서,상기 비정질 실리콘 옥사이드 박막의 두께는 1 내지 2nm인,실리콘 양자우물 구조를 갖는 터널 산화막 실리콘 태양전지의 제조 방법
5	5 제 2 항에 있어서,상기 실리콘 양자우물 구조층 상에 제 1 도전형의 후면 전계층을 형성하는 단계는,상기 비정질 실리콘 옥사이드 박막 상에 제 1 도전형의 물질이 도핑된 비정질 실리콘 박막을 형성하는,실리콘 양자우물 구조를 갖는 터널 산화막 실리콘 태양전지의 제조 방법
6	6 제 1 항에 있어서,상기 실리콘 양자우물 구조층 상에 제 1 도전형의 후면 전계층을 형성하는 단계 이후,상기 비정질 실리콘 옥사이드 박막 및 상기 비정질 실리콘 박막을 열처리하여 결정화시키는 단계를 추가로 포함하는,실리콘 양자우물 구조를 갖는 터널 산화막 실리콘 태양전지의 제조 방법
7	7 제 2 항에 있어서,상기 실리콘 양자우물 구조층 상에 제 1 도전형의 후면 전계층을 형성하는 단계 이후,상기 비정질 실리콘 옥사이드 박막 및 상기 비정질 실리콘 박막을 열처리하여 결정화시키는 단계를 추가로 포함하는,실리콘 양자우물 구조를 갖는 터널 산화막 실리콘 태양전지의 제조 방법
8	8 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 실리콘 양자우물 구조를 갖는 실리콘 태양전지의 제조 방법에 의해 제조된,실리콘 양자우물 구조를 갖는 터널 산화막 실리콘 태양전지
9	9 제 1 도전형의 실리콘 기판;상기 실리콘 기판의 후면에 형성된 실리콘 양자우물(silicon quantum well) 구조층;상기 실리콘 양자우물 구조층 상의 제 1 도전형의 후면 전계층;상기 실리콘 기판의 전면 상에 형성된 제 1 도전형과 상이한 제 2 도전형의 전면 에미터층;상기 전면 에미터층 상의 전면 패시베이션층 및 상기 후면 전계층 상의 후면 패시베이션층; 및전면 전극 및 후면 전극를 포함하는,실리콘 양자우물 구조를 갖는 터널 산화막 실리콘 태양전지
10	10 제 9 항에 있어서,상기 실리콘 양자우물 구조층은,i) 상기 실리콘 기판 후면 상의 비정질 실리콘 옥사이드 박막;ii) 상기 비정질 실리콘 옥사이드 박막 상의 비정질 실리콘 박막; 및iii) 상기 비정질 실리콘 박막 상의 실리콘 옥사이드 박막을 포함하는,실리콘 양자우물 구조를 갖는 터널 산화막 실리콘 태양전지
11	11 제 10 항에 있어서,상기 실리콘 양자우물 구조층은 i) 내지 iii)이 복수회 적층되어 있는,실리콘 양자우물 구조를 갖는 터널 산화막 실리콘 태양전지
12	12 제 10 항에 있어서,상기 비정질 실리콘 옥사이드 박막의 두께는 1 내지 2nm인,실리콘 양자우물 구조를 갖는 터널 산화막 실리콘 태양전지
13	13 제 10 항에 있어서,상기 비정질 실리콘 박막의 두께는 0
14	14 제 9 항에 있어서,상기 실리콘 양자우물 구조층 상의 제 1 도전형의 후면 전계층은 상기 비정질 실리콘 옥사이드 박막 상에 형성된 제 1 도전형의 물질이 도핑된 비정질 실리콘 박막인,실리콘 양자우물 구조를 갖는 터널 산화막 실리콘 태양전지
15	15 제 14 항에 있어서,상기 제 1 도전형의 후면 전계층의 두께는 30 내지 100nm로 제어되어 양면 수광이 가능한,실리콘 양자우물 구조를 갖는 터널 산화막 실리콘 태양전지

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	산업통상자원부	성균관대학교산학협력단	신재생에너지핵심기술개발(R＆D)	고효율 터널 산화막을 이용한 패시베이션 전극형 셀과 모듈 개발
2	산업통상자원부	한화솔루션 주식회사	신재생에너지핵심기술개발(R＆D)	발전량 증대를 위한 효율 26%급, 6인치 페로브스카이트/결정질 실리콘 탠덤 태양전지 셀 제작기술 개발

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2021.04.13	수리 (Accepted)	1-1-2021-0426689-13
2	선행기술조사의뢰서	2022.10.14	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89

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