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하기 화학식 1로 표시되는 불소계 고분자:[화학식 1](상기 화학식 1에서,Rf는 C1-20의 불소화된 직쇄 알킬 또는 C3-20의 불소화된 분지쇄 알킬이되, 이 중, 불화탄소의 수는 3 내지 5개이고;R1-4는 각각 독립적으로 수소(H), 메틸(CH3) 또는 할로겐기이고;R5는 C1-20의 직쇄 알킬 또는 C3-20의 분지쇄 알킬이고;x+y+p+q=100인 몰비 기준으로, x는 30 이상 70 이하이고, p는 5 이상 20 이하이고, y+q는 20 이상 60 이하이고;z는 1-5이다)
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제1항에 있어서,상기 불소계 고분자는 수평균분자량이 70,000 이상 100,000 이하인 것을 특징으로 하는 불소계 고분자
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제1항에 있어서,상기 불소계 고분자는 유기 용매에 용해되는 것을 특징으로 하는 불소계 고분자
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하기 화학식 1로 표시되는 불소계 고분자 및 유기 용매를 포함하는 불소계 고분자 조성물:[화학식 1](상기 화학식 1에서,Rf는 C1-20의 불소화된 직쇄 알킬 또는 C3-20의 불소화된 분지쇄 알킬이되, 이 중, 불화탄소의 수는 3 내지 5개이고;R1-4는 각각 독립적으로 수소(H), 메틸(CH3) 또는 할로겐기이고;R5는 C1-20의 직쇄 알킬 또는 C3-20의 분지쇄 알킬이고;x+y+p+q=100인 몰비 기준으로, x는 30 이상 70 이하이고, p는 5 이상 20 이하이고, y+q는 20 이상 60 이하이고;z는 1-5이다)
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제4항에 있어서,상기 유기 용매는 테트라하이드로퓨란(THF), 2-부탄올(MEK), 메틸이소부틸케톤(MIBK), 프로필렌글리콜메틸이써(PGMEA)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 불소계 고분자 조성물
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제4항에 있어서, 상기 불소계 고분자 조성물은 이소시아네이트기를 포함하는 경화제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 불소계 고분자 조성물
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제6항에 있어서, 상기 이소시아네이트기를 포함하는 경화제는 상기 불소계 고분자의 히드록시기 총 몰수 대비 1
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하기 화학식 1로 표시되는 불소계 고분자를 포함하는 불소계 고분자막:[화학식 1](상기 화학식 1에서,Rf는 C1-20의 불소화된 직쇄 알킬 또는 C3-20의 불소화된 분지쇄 알킬이되, 이 중, 불화탄소의 수는 3 내지 5개이고;R1-4는 각각 독립적으로 수소(H), 메틸(CH3) 또는 할로겐기이고;R5는 C1-20의 직쇄 알킬 또는 C3-20의 분지쇄 알킬이고;x+y+p+q=100인 몰비 기준으로, x는 30 이상 70 이하이고, p는 5 이상 20 이하이고, y+q는 20 이상 60 이하이고;z는 1-5이다)
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제8항에 있어서, 상기 불소계 고분자막은 이소시아네이트를 포함하는 경화제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 불소계 고분자막
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제9항에 있어서, 상기 이소시아네이트기를 포함하는 경화제는 상기 불소계 고분자의 히드록시기 총 몰수 대비 1
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제1항의 불소계 고분자를 유기 용매에 용해시켜 고분자 용액을 준비하는 단계(단계 1); 및상기 단계 1의 고분자 용액을 기판 위에 도포하고 건조하여 고분자막을 형성하는 단계(단계 2);를 포함하는 불소계 고분자막의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 제조방법은 상기 단계 1에서 준비된 고분자 용액에 이소시아네이트기를 포함하는 경화제를 혼합하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 불소계 고분자막의 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 경화제는 상기 불소계 고분자의 히드록시기의 총 몰수 대비 1
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제1항의 불소계 고분자를 유기 용매에 용해시켜 고분자 용액을 준비하는 단계(단계 1); 및상기 단계 1의 고분자 용액을 대상 기판 위에 도포하고 건조하여 고분자막을 형성하는 단계(단계 2);를 포함하는 방오성 코팅막의 형성방법
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제14항에 있어서, 상기 형성방법은 상기 단계 1에서 준비된 고분자 용액에 이소시아네이트기를 포함하는 경화제를 혼합하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방오성 코팅막의 형성방법
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제14항에 있어서, 상기 경화제는 상기 불소계 고분자의 히드록시기의 총 몰수 대비 1
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