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극자외선 노광용 펠리클

  • 기술번호 : KST2022019968
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 극자외선을 이용한 노광 공정에 사용되는 극자외선 노광용 펠리클에 관한 것이다. 본 발명에 따른 극자외선 노광용 펠리클은 M, Si 및 α를 조합한 소재로 형성된 펠리클층을 포함한다. 여기서 M은 Zr, Mo, Ru, Y, W, Ti, Ir 및 Nb 중에 하나이고, 상기 α는 B, N, C, O 및 F 중에 적어도 하나이다.
Int. CL G03F 1/62 (2012.01.01) G03F 1/22 (2012.01.01)
CPC G03F 1/62(2013.01) G03F 1/22(2013.01)
출원번호/일자 1020210048277 (2021.04.14)
출원인 한국전자기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0142024 (2022.10.21) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.07.29)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형근 경기도 용인시 수지구
2 김현미 서울특별시 서초구
3 김슬기 경기도 용인시 기흥구
4 성기훈 경기도 안양시 만안구
5 전준혁 경기도 수원시 장안구
6 윤성호 경기도 군포시 번영로***번길 * 무궁화아파트 *

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2021-0433038-86
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2021.07.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-0879306-55
3 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
2021.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2021-0879307-01
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2022.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
M, Si 및 α를 조합한 소재로 형성된 펠리클층;을 포함하고,상기 M은 Zr, Mo, Ru, Y, W, Ti, Ir 및 Nb 중에 하나이고, 상기 α는 B, N, C, O 및 F 중에 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
2 2
제1항에 있어서, 상기 펠리클층은,M, Si 및 α로 구성된 M-Si-α층을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
3 3
제1항에 있어서,상기 α가 B, N, C, O 및 F 중에 적어도 하나가 결정되면,상기 펠리클층은상기 M-Si-α층; 및M, Si 및 α 소재 중에 복수의 소재로 조합되는 적어도 하나의 조합층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
4 4
제3항에 있어서,상기 M이 Zr이고, 상기 α가 C인 경우,상기 M-Si-α층은 ZrSixCy(1≤x+y≤2)이고,상기 조합층은 ZrSix(x≤2), SiC 및 ZrCx(x≥1) 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
5 5
제3항에 있어서,상기 M이 Zr이고, 상기 α가 N 및 O 인 경우,상기 M-Si-α층은 ZrSixNyOz(1≤x+y+z≤2), ZrSixOy(x+y≥1) 및 ZrSixNy(x+y≥1) 중에 적어도 하나이고,상기 조합층은 ZrSix(x≤2) 및 SiNx(x≥1) 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
6 6
제3항에 있어서,상기 M이 Zr이고, 상기 α가 B 및 C 인 경우,상기 M-Si-α층은 ZrwSixByCz(2≤w+x+y+z≤3)이고,상기 조합층은 ZrSix(x≤2), SiNx(x≥1) 및 B4C 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
7 7
제3항에 있어서,상기 M이 Zr이고, 상기 α가 B, C 및 O 인 경우,상기 M-Si-α층은 ZrSixByOz(x+y+z≥1)이고,상기 조합층은 ZrBxOy(x+y≥1), ZrCxOy(x+y≥1), ZrSix(x≤2), SiNx(x≥1) 및 B4C 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
8 8
제3항에 있어서,상기 M이 Y이고, 상기 α가 N인 경우,상기 M-Si-α층은 YxSiyNz(1≤x+y+z≤2)이고,상기 조합층은 YSix(x≥1), YNx(x≥1) 및 SiNx(x≥1)를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
9 9
제2항에 있어서,상기 M-Si-α층은 Zr-Si-C, Zr-Si-O, Zr-Si-N, Y-Si-N, Zr-Si-N-O, Zr-Si-B-O 및 Zr-Si-B-C 소재 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
10 10
제2항에 있어서, 상기 펠리클층은,지지층;상기 지지층 위에 형성되는 코어층; 및상기 코어층 위에 형성되는 캡핑층;을 포함하고,상기 지지층, 상기 코어층 및 상기 캡핑층 중에 적어도 하나는 상기 M-Si-α층을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
11 11
제10항에 있어서,상기 지지층 및 상기 캡핑층 중에 적어도 하나는 ZrSixNyOz(1≤x+y+z≤2), ZrSixByOz(1≤x+y+z≤2), ZrSixCy(1≤x+y≤2), ZrSixOy(x+y≥1), ZrSixNy(x+y≥1), ZrBxOy(x+y≥1), ZrCxOy(x+y≥1), ZrSix(x≤2), SiNx(x≥1), B4C, SiC 또는 YF3을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
12 12
제2항에 있어서, 상기 펠리클층은,지지층;상기 지지층 위에 형성되는 코어층;상기 코어층 일면 또는 양면에 형성되는 중간층; 및상기 중간층 위에 형성되는 캡핑층;을 포함하고,상기 지지층, 상기 코어층, 상기 중간층 및 상기 캡핑층 중에 적어도 하나는 상기 M-Si-α층을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
13 13
제12항에 있어서,상기 지지층 및 상기 캡핑층 중에 적어도 하나는 ZrSixNyOz(1≤x+y+z≤2), ZrSixByOz(1≤x+y+z≤2), ZrSixCy(1≤x+y≤2), ZrSixOy(x+y≥1), ZrSixNy(x+y≥1), ZrBxOy(x+y≥1), ZrCxOy(x+y≥1), ZrSix(x≤2), SiNx(x≥1), B4C, SiC 또는 YF3을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
14 14
중심 부분에 개방부가 형성된 기판; 및상기 개방부를 덮도록 상기 기판 위에 형성되며, M, Si 및 α를 조합한 소재로 형성된 펠리클층;을 포함하고,상기 M은 Zr, Mo, Ru, Y, W, Ti, Ir 및 Nb 중에 하나이고, 상기 α는 B, N, C, O 및 F 중에 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
15 15
제14항에 있어서, 상기 펠리클층은,M, Si 및 α로 구성된 M-Si-α층을 구비하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
16 16
제15항에 있어서, 상기 펠리클층은,상기 개방부를 덮도록 상기 기판 위에 형성되는 지지층;상기 지지층 위에 형성되는 코어층; 및상기 코어층 위에 형성되는 캡핑층;을 포함하고,상기 지지층, 상기 코어층 및 상기 캡핑층 중에 적어도 하나는 상기 M-Si-α층을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
17 17
제15항에 있어서, 상기 펠리클층은,상기 개방부를 덮도록 상기 기판 위에 형성되는 지지층;상기 지지층 위에 형성되는 코어층;상기 코어층 일면 또는 양면에 형성되는 중간층; 및상기 중간층 위에 형성되는 캡핑층;을 포함하고,상기 지지층, 상기 코어층, 상기 중간층 및 상기 캡핑층 중에 적어도 하나는 상기 M-Si-α층을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 노광용 펠리클
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전자기술연구원 원천기술개발사업 (C) 5nm급 이하 반도체 노광 공정용 EUV 투과 소재 기술 개발