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Au(금) 또는 Au/MoO3(금/몰리브덴 산화물) 중 어느 하나로 선택된 재질로 형성되는 상단 전극;상기 상단 전극의 하측에 형성되는 버퍼층;상기 버퍼층의 하측에 형성되고, 레이저의 파장대에 높은 흡수율을 갖는 유기 고분자 반도체 재질로 형성되는 광활성층;상기 광활성층의 하측에 형성되고, 두께 최적화를 통해 상기 광활성층의 광흡수율을 최대화시키는 광학 스페이서; 및상기 광학 스페이서의 하측에 형성되고 인듐 주석 산화물(ITO) 재질로 형성되는 하단 전극;을 포함하고,한 개의 상기 광활성층에서 입사된 빛으로부터 광기전(photovoltaic) 효과에 의해 기전력을 발생시키는 단일 접합 구조로 구비되는 것을 특징으로 하는,무선 전력 전송용 유기 PV(photovoltaic) 장치
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제 1 항에 있어서,상기 광활성층은, 670nm 및 850nm 파장대에 대해 높은 흡수율을 갖는 유기 고분자 반도체 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 무선 전력 전송용 유기 PV 장치
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제 2 항에 있어서,상기 광활성층은, PTB7:PC71BM의 복합체인 것을 특징으로 하는 유기 PV 장치
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Au(금) 또는 Au/MoO3(금/몰리브덴 산화물) 중 어느 하나로 선택된 재질로 형성되는 상단 전극;상기 상단 전극의 하측에 형성되고, 레이저의 파장대에 높은 흡수율을 갖는 유기 고분자 반도체 재질로 형성된 제1 광활성층을 포함하는 전면 서브셀;상기 전면 서브셀의 하측에 형성되고 인듐 주석 산화물(ITO) 재질로 형성되는 중간 전극;상기 중간 전극의 하측에 형성되는 광학 스페이서;상기 광학 스페이서의 하측에 형성되고, 레이저의 파장대에 높은 흡수율을 갖는 유기 고분자 반도체 재질로 형성된 제2 광활성층을 포함하는 후면 서브셀; 및상기 후면 서브셀의 하측에 형성되는 하단 전극;을 포함하고,상기 광학 스페이서는 두께 최적화를 통해 상기 제1 광활성층 및 상기 제2 광활성층의 광흡수율을 최대화시키며,상기 전면 서브셀 및 상기 후면 서브셀에 입사된 빛으로부터 각각 광기전(photovoltaic) 효과에 의해 각각 기전력을 발생시키는 탠덤(tandem) 구조로 구비되는 것을 특징으로 하는,무선 전력 전송용 유기 PV(photovoltaic) 장치
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제 4 항에 있어서,상기 제1 광활성층 및 상기 제2 광활성층은은, 670nm 및 850nm 파장대에 대해 높은 흡수율을 갖는 유기 고분자 반도체 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 무선 전력 전송용 유기 PV 장치
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제 5 항에 있어서,상기 제1 광활성층은, Cy7-T:C60 복합체이고,상기 제2 광활성층은, PTB7:PC71BM 복합체인 것을 특징으로 하는 유기 PV 장치
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제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 상단 전극은 Au 재질로 형성되어,불투명 PV 장치(NTPV)로 사용되는 것을 특징으로 하는 무선 전력 전송용 유기 PV 장치
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제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 상단 전극은 Au/MoO3 재질로 형성되어,전면 또는 후면 광입사 PV 장치(FTPV / BTPV)로 사용되는 것을 특징으로 하는 무선 전력 전송용 유기 PV 장치
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