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무기 광결정 패턴의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 무기 광결정 패턴

  • 기술번호 : KST2022020061
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 기판 위에 연성 입자들을 조밀한 단층막(close-packed colloidal monolayer) 형태로 코팅하는 제1 단계, 그리고 상기 단층막에 무기물 전구체를 포함하는 용액을 가하여, 무기 광결정 패턴을 형성하는 제2 단계를 포함하는, 무기 광결정 패턴의 제조방법을 제공한다.
Int. CL G02B 1/00 (2022.01.01) G02B 1/02 (2006.01.01) C09D 5/02 (2006.01.01)
CPC G02B 1/005(2013.01) G02B 1/02(2013.01) C09D 5/027(2013.01)
출원번호/일자 1020210046490 (2021.04.09)
출원인 현대자동차주식회사, 기아 주식회사, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0140245 (2022.10.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 현대자동차주식회사 대한민국 서울특별시 서초구
2 기아 주식회사 대한민국 서울특별시 서초구
3 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍웅표 경기도 화성
2 박정연 경기도 화성
3 조은철 서울특별시 성동구
4 편승범 경기도 안산시 단원구
5 김정연 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.04.09 수리 (Accepted) 1-1-2021-0418192-02
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번호 청구항
1 1
기판 위에 연성 입자들을 조밀한 단층막(close-packed colloidal monolayer) 형태로 코팅하는 제1 단계, 그리고상기 단층막에 무기물 전구체를 포함하는 용액을 가하여, 무기 광결정 패턴을 형성하는 제2 단계를 포함하는, 무기 광결정 패턴의 제조방법
2 2
제1항에서, 상기 무기 광결정 패턴은, 복수의 무기 광결정 입자들이 간격을 두고 규칙적으로 배열된 것인, 무기 광결정 패턴의 제조방법
3 3
제1항에서, 상기 제1 단계는, 연성 입자들을 분산매에 분산시킨 후, 연성 입자들을 규칙적인 육방 격자 형태로 자기조립(self-assembly)시켜 이루어지는, 무기 광결정 패턴의 제조방법
4 4
제3항에서,상기 연성 입자는, 폴리(N-이소프로필 아크릴아미드)[poly(N-isopropylacrylamide), pNIPAM], 폴리(N-이소프로필 아크릴아미드-co-알릴아민)[poly(N-isopropyl acrylamide-co-allylamine), poly(NIPAM-co-AA)], 폴리(N-이소프로필 아크릴아미드-co-2-(디메틸아미노)에틸 메타아크릴레이트)[poly(N-isopropylacrylamide-co-2-(dimethylamino)ethyl methacrylate), poly(NIPAM-co-DMAEMA)], 폴리(N-이소프로필 아크릴아미드-co-2-(디메틸아미노)에틸 아크릴레이트)[poly(N-isopropyl acrylamide-co-2-(dimethylamino)ethyl acrylate), poly(NIPAM-co-DMAEA)], 폴리(N-이소프로필 아크릴아미드-co-아크릴산)[poly(N-isopropyl acrylamide-co-acrylic acid), poly(NIPAM-co-AAc)], 폴리(N-이소프로필 아크릴아미드-co-메타아크릴산)[poly(N-isopropyl acrylamide-co-methacrylic acid), poly(NIPAM-co-MAAc)], 폴리(N,N-디에틸아크릴아미드)[poly(N,N-diethylacrylamide)], 폴리(N-비닐카프롤락탐)[poly(N-vinlycaprolactam)], 폴리(에틸렌 글리콜)[poly(ethylene glycol)], 폴리(에틸렌 글리콜-b-프로필렌 글리콜-b-에틸렌 글리콜)[poly(ethylene glycol-b-propylene glycol-b-ethylene glycol)], 또는 이들의 조합을 포함하는, 무기 광결정 패턴의 제조방법
5 5
제3항에서,상기 분산매는 물, 메탄올, 에탄올, 부탄올, 아이소프로필 알코올, 테트라히드라 퓨란, 디메틸설폭사이드(dimethylsulfoxide), 디메틸포름아미드(dimethylformaide), 에틸렌글리콜, 글리세롤, 또는 이들의 조합을 포함하는, 무기 광결정 패턴의 제조방법
6 6
제1항에서,상기 제2 단계에서,상기 무기물 전구체를 포함하는 용액은 상기 연성 입자들을 수축시켜 광결정 패턴을 형성하고, 상기 무기물 전구체를 광결정 입자 표면에 흡착시키거나 광결정 입자 내부로 침투시키는,무기 광결정 패턴의 제조방법
7 7
제1항에서,상기 무기물 전구체는 머캅토프로필트리메톡시실란(mercaptopropyltrimethoxysilane, MPTMS), 머캅토프로필트리에톡시실란(3-mercaptopropyltriethoxysilane), 메틸트리메톡시실란(methyltrimethoxysilane, MTMS), 트리에톡시메틸실란(triethoxymethylsilane), 트리메톡시(1H,1H,2H,2H-헵타데카플루오로데실)실란(trimethoxy(1H,1H,2H,2H-heptadecafluorodecyl)silane), 비닐트리메톡시실란(vinyltrimethoxysilane), 테트라에틸오르쏘실리케이트(tetraethylorthosilicate), 티타늄 이소프로폭사이드(titanium isopropoxide), 알루미늄 나이트레이트(aluminium nitrate), 또는 이들의 조합을 포함하는, 무기 광결정 패턴의 제조방법
8 8
제1항에서,상기 무기물 전구체를 포함하는 용액은 서로 다른 종류의 무기물 전구체들을 포함하는, 무기 광결정 패턴의 제조방법
9 9
제1항에서,상기 무기물 전구체를 포함하는 용액은 물과 알코올의 혼합 용매를 포함하는, 무기 광결정 패턴의 제조방법
10 10
제9항에서,상기 무기물 전구체를 포함하는 용액은 알코올 및 물을 15 : 85 내지 50 : 50의 몰비율로 포함하는 혼합 용매를 포함하는, 무기 광결정 패턴의 제조방법
11 11
제1항에서,상기 무기물 전구체를 포함하는 용액은 수산화나트륨(sodium hydroxide), 수산화암모늄(ammonium hydroxide), 또는 이들의 혼합물을 포함하는 촉매를 포함하는, 무기 광결정 패턴의 제조방법
12 12
제9항에서,상기 제2 단계는, 10 ℃ 이상 및 상기 혼합 용매의 끓는점 보다 낮은 온도에서 이루어지는, 무기 광결정 패턴의 제조방법
13 13
제1항에서,상기 무기 광결정 패턴의 제조방법은, 상기 무기 광결정 패턴을 120 ℃ 내지 150 ℃에서, 1 시간 내지 2 시간 동안 어닐링(annealing)시키는 단계를 더 포함하는, 무기 광결정 패턴의 제조방법
14 14
기판, 그리고상기 기판 위에 복수의 무기 광결정 입자들이 간격을 두고 규칙적으로 배열된 무기 광결정 패턴을 포함하며,상기 무기 광결정 입자는, 연성 입자, 및 상기 연성 입자 표면 또는 상기 연성 입자 내부에 위치하는 무기물을 포함하는, 무기 광결정 패턴
15 15
제14항에서,상기 무기물은 실리카, 유기실리카(organosilica), 산화 알루미늄(Aluminum oxide), 산화 티타늄(titanium dioxide), 또는 이들의 조합을 포함하는, 무기 광결정 패턴
16 16
제14항에서,상기 무기 광결정 입자의 표면은 1 nm 내지 50 nm 크기의 복수개의 돌기들을 포함하는, 무기 광결정 패턴
17 17
제14항에서,상기 무기 광결정 입자는 상기 연성 입자 표면에 위치하는 제1 무기물 및 상기 제1 무기물 표면에 위치하는 제2 무기물을 포함하는, 무기 광결정 패턴
18 18
제14항에서,상기 무기 광결정 입자의 입경은 50 nm 내지 1000 nm인, 무기 광결정 패턴
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.