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2 이상의 질소함유 화합물이 서로 수소 결합하여 형성된 복수의 복합체 단위; 및상기 복수의 복합체 단위를 수소 결합으로 연결하는 링커 단위를 포함하고,상기 질소함유 화합물 및 링커 단위는 각각 독립적으로 -NH기 및 상기 -NH기와 수소결합 가능하고, N, S 및 O로 이루어진 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 초분자 자기조립체
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제1항에 있어서,상기 질소함유 화합물 중 적어도 하나는 S 또는 O를 포함하되, 상기 링커 단위에 포함되는 헤테로원자와는 상이한 초분자 자기조립체
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3
제1항에 있어서,상기 질소함유 화합물은 -NH기와 N을 가지는 제1질소함유화합물과, -NH기와 O를 가지는 제2질소함유화합물을 포함하고,상기 링커는 -NH기와 S을 포함하는 화합물을 포함하는 초분자 자기조립체
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제1항에 있어서,상기 복수의 복합체는 1,3,5-트리아진(1,3,5-triazine) 골격 및 1,3,5-트리아지네인(1,3,5-triazinane) 골격을 포함하는 초분자 자기초립체
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5
제1항에 있어서,상기 링커는 티오우레아, 티오우레아 이합체 또는 이들의 조합을 포함하는 초분자 자기조립체
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6
제1항에 있어서,CuKα선을 이용한 X선 회절 측정 시 2θ=10
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7
제1항에 있어서,FT-IR 측정 시 1084±20cm-1에서 피크를 나타내는 초분자 자기조립체
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8
전구체를 이용하여 수열반응으로 초분자 자기조립체를 제조하는 초분자 자기조립체의 제조방법으로서,상기 전구체는,-NH기를 가지는 질소함유 화합물; 및상기 -NH기와 수소결합 가능하고, N, S 및 O로 이루어진 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 가지는 화합물을 포함하는 초분자 자기조립체의 제조방법
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제8항에 있어서,전구체는 하기 (a) 내지 (c)를 포함하는 초분자 자기조립체의 제조방법:(a) 질소 원자를 2 내지 6개 포함하는 화합물;(b) 질소 원자를 2 내지 4개 포함하고, 산소 원자를 1개 이상 포함하는 화합물; 및(c) 질소 원자를 1개 이상 포함하고, 황 원자를 1개 이상 포함하는 화합물
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10
제9항에 있어서,상기 (a) 또는 (b)와 (c)의 몰비는 1:0
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제8항에 있어서,상기 수열반응은 용매에 전구체를 용해시킨 후 60℃ 내지 180℃에서 1 내지 12 시간 동안 수행되는 것인 초분자 자기조립체의 제조방법
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헵타진(Heptazine) 골격을 포함하는 탄소 질화물로서,C 1s X선 광전자 분광(XPS) 분석시, C-C 결합에너지를 나타내는 피크가 284
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13
제12항에 있어서,밴드갭 에너지가 2
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제1항의 초분자 자기조립체를 축중합 및 열처리하여 탄소 질화물을 제조하는 탄소 질화물의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 축중합은 500℃ 내지 600℃에서 2 시간 내지 5 시간 동안 수행되는 것인 탄소 질화물의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 열처리는 450℃ 내지 550℃에서 1 시간 내지 5 시간 동안 수행되는 것인 탄소 질화물의 제조방법
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제12항의 탄소 질화물; 및상기 탄소 질화물의 표면 및/또는 내부에 형성된 금속 산화물을 포함하는 광촉매
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제17항에 있어서,상기 금속 산화물은 텅스텐, 바나듐 및 몰리브덴에서 선택된 적어도 하나의 금속 산화물인 광촉매
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제17항에 있어서,기공 크기가 30nm 이상이고, 기공 부피가 0
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초분자 자기조립체를 축중합하는 단계; 및축중합된 자기조립체를 열처리하는 단계를 포함하되,상기 축중합하는 단계는 금속함유 전구체와 자기 조립체를 용매에 분산하여 축중합하고, 또는상기 열처리하는 단계에서 금속함유 전구체와 축중합된 자기조립체를 용매에 분산하여 열처리하는 광촉매의 제조방법
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