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베이스 기판;상기 베이스 기판 상에 형성된 하이브리드 나노입자(hybrid nanoparticles, HNPs)을 포함하는 하이브리드 나노입자층;상기 하이브리드 나노입자층 상에 형성된 이산화티타늄(TiO2)층; 및상기 TiO2층 상에 형성된 그래핀 양자점(graphene quantum dots, GQDs)층;을 포함하는, UV 광검출기용 기판
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제1항에 있어서,상기 베이스 기판은 사파이어(Al2O3)인, UV 광검출기용 기판
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제1항에 있어서,상기 하이브리드 나노입자(HNPs)는 PdAg 입자인, UV 광검출기용 기판
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제1항에 있어서,상기 하이브리드 나노입자층은 Ag 나노입자를 포함하는, UV 광검출기용 기판
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제1항에 있어서,상기 TiO2은 아나타제(anatase) 상인, UV 광검출기용 기판
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제1항에 있어서,상기 TiO2층의 두께는 1 내지 50nm인, UV 광검출기용 기판
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제1항에 있어서,상기 그래핀 양자점(GQDs)의 평균 직경은 1 내지 10nm인, UV 광검출기용 기판
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제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 UV 광검출기용 기판; 및상기 UV 검출기용 기판 상에 일정 간격으로 형성된 전극;을 포함하는, UV 광검출기
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제8항에 있어서,상기 전극은 Pt로 구성되고, 상기 베이스 기판은 사파이어로 구성되는, UV 광검출기
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제8항에 있어서,상기 UV 광검출기는 10V의 바이어스에서 30mA/W 이상의 응답성을 갖는, UV 광검출기
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제8항에 있어서,상기 UV 광검출기는 10V의 바이어스에서 0
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베이스 기판 상에 하이브리드 나노입자(HNPs)를 포함하는 하이브리드 나노입자층을 형성하는 하이브리드 나노입자층 형성단계;상기 하이브리드 나노입자층 상에 TiO2를 증착하는 TiO2층 증착단계; 및상기 TiO2층 상에 그래핀 양자점층을 형성하는 그래핀 양자점층 형성단계;를 포함하는, UV 광검출기의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 하이브리드 나노입자층 형성 단계는 상기 베이스 기판 상에 제1 금속과 In을 2중층을 형성하고, In을 승화시키는 단계; 및 상기 제1 금속 상에 제2 금속을 증착하고 어닐링하는 단계를 포함하는, UV 광검출기의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 제1 금속은 Pd이며, 상기 제2 금속은 Ag이고, 상기 HNPs는 PdAg인, UV 광검출기의 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 하이브리드 나노입자층 형성 단계는 상기 베이스 기판 상에 Pd와 In을 750 내지 850℃에서 디웨팅으로 2중층을 형성하고, In을 승화시키는 단계; 및 상기 Pd 상에 제2 금속을 증착하고 550 내지 650℃에서 어닐링하는 단계를 포함하는, UV 광검출기의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 하이브리드 나노입자는 제1 금속 상에 제2 금속이 코팅된 형태로 형성되는, UV 광검출기의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 TiO2은 복수의 층으로 증착되는, UV 광검출기의 제조 방법
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제17항에 있어서,상기 TiO2층은 티타늄 부톡사이드를 디메톡시에탄올에 용해시킨 용액을 스핀코팅하여 제조되는, UV 광검출기의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 그래핀 양자점층 형성단계는 그래핀 양자점(GQD) 용액을 스핀코팅하고 건조하는 단계를 포함하는, UV 광검출기의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 그래핀 양자점층 상에 150 내지 250 μm 간격의 섀도 마스크를 도입한 후 금속을 증착하여 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는, UV 광검출기의 제조 방법
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