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기설정된 갭(gap)을 두고 서로 이격된 복수의 도파관(waveguide)이 형성된 기판을 챔버로 로딩하는 단계 및 원자층 증착법을 통해 상기 복수의 도파관 각각에 금속 산화물을 증착하는 단계를 포함하는 광학 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 복수의 도파관은, 실리콘(Si) 물질에 기초하여 형성되는 제1 도파관 및 제2 도파관을 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 소자의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 제1 도파관은,400nm의 폭(width)과 220nm의 두께(thickness)로 형성되는 것을 특징으로 하는 광학 소자의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 제2 도파관은, 350nm의 폭(width)과 220nm의 두께(thickness)로 형성되는 것을 특징으로 하는 광학 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 산화물을 증착하는 단계는, 상기 기판 상에 금속 전구체를 노출시키는 단계;상기 금속 전구체를 상기 챔버로부터 퍼지시키는 단계; 상기 기판 상에 반응 가스를 노출시키는 단계; 및상기 반응 가스를 상기 챔버로부터 퍼지시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 소자의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 금속 전구체는, 실리콘(Si), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta), 알루미늄(Al), 란타넘(La), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg), 스트론튬(Sr), 납(Pb), 티타늄(Ti), 니오븀(Nb), 세륨(Ce), 루테늄(Ru), 바륨(Ba), 칼슘(Ca), 인듐(In), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 바나듐(V), 비소(As), 프라세오디뮴(Pr), 안티모니(Sb) 및 인(P) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 광학 소자의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 반응 가스는 산소(O2), 오존(O3), 일산화 질소(NO) 및 이산화 질소(N2O) 중 적어도 하나를 포함하는 가스인 것을 특징으로 광학 소자의 제조방법
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상기 금속 산화물은, Al2O3, SiO2, HfO2, Ta2O5, La2O3, Y2O3, ZrO2, MgO, SrO, PbO, TiO2, Nb2O5, CeO2, SrTiO3, PbTiO3, SrRuO3, (Ba, Sr)TiO3, Pb(Zr, Ti)O3, (Pb, La)(Zr, Ti)O3, (Sr, Ca)RuO3, In2O3, RuO2, B2O3, GeO2, SnO2, PbO2, Pb3O4, V2O3, As2O5, As2O3, Pr2O3, Sb2O3, Sb2O5, CaO, P2O5, AlON, 및 SiON 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은, 규소(Si, silicon), 산화규소(SiO2, silicon oxide), 산화알루미늄(Al2O3, aluminium oxide), 산화마그네슘(MgO, magnesium oxide), 탄화규소(SiC, silicon carbide), 질화규소(SiN, silicon nitride), 유리(glass), 석영(quartz), 사파이어(sapphire), 그래파이트(graphite), 그래핀(g raphene), 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리에스테르(PE, polyester) 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, poly(2,6-ethylenenaphthalate)), 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA, polymethyl methacrylate), 폴리우레탄(PU, polyurethane), 플루오르폴리머(FEP, fluoropolymers) 및 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate, PET) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 산화물을 증착하는 단계는,상기 금속 산화물을 상기 복수의 도파관 각각에 20nm 내지 50nm의 폭(width)으로 증착하여, 상기 복수의 도파관에 대한 유효 굴절율(effective index)이 2
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제1항에 있어서,상기 금속 산화물을 증착하는 단계는,상기 금속 산화물을 상기 복수의 도파관 각각에 20nm 내지 50nm의 폭(width)으로 증착하여, 상기 복수의 도파관에 대한 위상 시프트(phase shift)가 0 내지 4 Rad가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 광학 소자의 제조방법
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