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초음파 변환자에 있어서,외부로부터 신호를 받아 초음파를 발생시키는 압전 디스크;상기 압전 디스크의 일면에 형성되고 분할된 구조를 가지는 적어도 하나의 링 전극부를 포함하는 제1전극;상기 압전 디스크의 타면에 형성되고 분할된 구조를 가지는 적어도 하나의 링 전극부를 포함하는 제2전극;상기 링 전극부의 분할된 경계 상에 배치되는 복수의 커패시터,를 포함하는 초음파 변환자
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제1항에 있어서,상기 제1전극 및 상기 제2전극은 각각 분할된 구조를 가지는 센터 디스크를 포함하고, 상기 링 전극부는 상기 센터 디스크의 외곽에 위치하는 것인, 초음파 변환자
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제2항에 있어서,상기 제1전극 및 상기 제2전극은 각각 2개의 상기 링 전극부를 포함하고, 상기 2개의 링 전극부는 동심원 관계인 것인, 초음파 변환자
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제3항에 있어서,상기 링 전극부 각각 및 상기 센터 디스크는 2 분할 내지 10 분할된 구조를 갖는 것인, 초음파 변환자
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제4항에 있어서,상기 링 전극부 각각 및 상기 센터 디스크는 4등분되어 분할된 구조를 가지는 것인, 초음파 변환자
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제4항에 있어서,상기 복수의 커패시터는 상기 링 전극부 각각 및 상기 센터 디스크의 분할된 경계 상에 위치하는 것인, 초음파 변환자
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제1항에 있어서,상기 제1전극 및 상기 제2전극은 각각 독립적으로 Au, Cr, Ag, Pt, Fe, Co, Ni, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 초음파 변환자
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제7항에 있어서,상기 제1전극 및 상기 제2전극은 상기 압전 디스크 상에 형성된 Cr 층 및 상기 Cr 층 상에 형성된 Au 층을 포함하는 것인, 초음파 변환자
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제1항에 있어서,상기 커패시터는 상기 전극의 중심부 및 적어도 하나 이상의 외곽부 내부의 분할된 면을 전기적으로 연결하는 것인, 초음파 변환자
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10
제1항에 있어서,상기 압전 디스크는 PZT, PLZT, 에폭시, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 초음파 변환자
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11
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 초음파 변환자의 제조 방법에 있어서,압전 디스크를 준비하는 단계;상기 압전 디스크의 일면에 분할된 구조를 갖는 적어도 하나의 링 전극부를 포함하는 제1전극을 형성하는 단계;상기 압전 디스크의 타면에 분할된 구조를 갖는 적어도 하나의 링 전극부를 포함하는 제2전극을 형성하는 단계; 및상기 링 전극부의 분할된 경계 상에 복수의 커패시터를 형성하는 단계;를 포함하는,초음파 변환자의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 제1전극 및 상기 제2전극을 형성하는 단계는, 각각 독립적으로 상기 압전 디스크 상에 전극층을 형성하는 단계, 및 상기 전극층의 내부를 분할하는 단계를 포함하는 것인, 초음파 변환자의 제조 방법
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초음파 자극기기에 있어서,제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 초음파 변환자; 및상기 초음파 변환자를 제어하기 위한 회로부; 를 포함하는,초음파 자극기기
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제13항에 있어서,상기 회로부는, 상기 초음파 자극기기에 전원을 공급하는 전원부, 상기 초음파 변환자에 신호를 공급하는 신호 공급부, 및 상기 신호를 제어하는 신호 제어부를 포함하는 것인, 초음파 자극기기
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