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2차원 반도체 물질층을 준비하는 단계;상기 2차원 반도체 물질층 방향으로 나노스케일 팁(tip)을 위치시키는 단계;상기 나노스케일 팁을 이용하여 상기 2차원 반도체 물질층의 나노주름이 형성된 영역을 관찰하는 단계; 및상기 나노주름이 형성된 영역에 상기 나노스케일 팁으로 압력을 가하여 상기 나노주름을 변형시키는 단계;를 포함하는, 나노주름 광원의 제어 및 분석 방법
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제1항에 있어서,상기 2차원 반도체 물질층은, 2차원 반도체 물질의 단일층인 것인, 나노주름 광원의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 팁의 반경은, 15 nm 이하이고, 상기 팁은, Au, Ag, Al, Cu, Co, Cr, Pt, Pd, Rh, Ti 및 Ni로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것인,나노주름 광원의 제어 및 분석 방법
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제1항에 있어서,상기 나노스케일 팁은, 전단력 (shear-force) AFM에 장착된 플라즈모닉 팁이고, 상기 플라즈모닉 팁은, TEPL (tip-enhanced photoluminescence spectroscopy), TERS (tip-enhanced Raman spectroscopy) 및 TEEL (tip-enhanced electroluminescence) 중 적어도 하나를 측정하는 것인, 나노주름 광원의 제어 및 분석 방법
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제1항에 있어서,상기 나노주름을 변형시키는 단계 중 실시간으로 상기 나노주름의 구조적, 전기적 및 광학적 특성 중 적어도 하나를 모니터링하는 것인, 나노주름 광원의 제어 및 분석 방법
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제1항에 있어서,상기 나노주름을 변형시키는 단계는, 상기 나노주름 영역의 변형률, 밴드갭, 광발광 에너지 파장, 광발광 에너지 파장 세기, 엑시톤 거동 및 엑시톤 밀도 중 적어도 하나를 제어하는 것인, 나노주름 광원의 제어 및 분석 방법
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제1항에 있어서,상기 나노주름을 변형시키는 단계는, 상기 나노주름의 구조적, 전기적 및 광학적 특성 중 적어도 하나의 가역적 변형을 유도하고,상기 나노주름의 구조적, 전기적 및 광학적 특성 중 적어도 하나를 능동적으로 제어하는 것인, 나노주름 광원의 제어 및 분석 방법
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제1항에 있어서,상기 나노주름을 변형시키는 단계는, 상기 나노주름의 구조적, 전기적 및 광학적 특성 중 적어도 하나를 영구적 변형을 유도하고, 2차원 물질의 결정면(crystal face) 특성으로 유도하는 것인, 나노주름 광원의 제어 및 분석 방법
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제1항에 있어서,상기 나노주름을 변형시키는 단계는, 상기 나노주름의 구조적 변형을 통해 상기 나노주름 중 적어도 일부 또는 전부를 제거하는 것인, 나노주름 광원의 제어 및 분석 방법
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제1항에 있어서,상기 나노주름을 변형시키는 단계는,상기 나노주름의 발광 특성을 상기 나노스케일 팁 높이에 따라 2단계 스위칭, 3단계 변조 또는 이 둘에 의해 조정하는 것인, 나노주름 광원의 제어 및 분석 방법
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제1항에 있어서,상기 나노스케일 팁은, 최초 높이 원자현미경 기준 신호의 1 % 내지 100 % 미만에서 압력을 가하고,상기 나노스케일 팁은, 10 nm 이하의 단위로 수직 이동하여 상기 나노주름에 압력을 가하는 것인, 나노주름 광원의 제어 및 분석 방법
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제1항에 있어서,상기 나노주름을 변형시키는 단계는, 상기 나노주름의 변형률을 30% 이하 및 시분해 상으로 1 kHz 이하의 주파수로 국소적 또는 가역적으로 제어하는 것인, 나노주름 광원의 제어 및 분석 방법
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제1항에 있어서,상기 나노주름을 변형시키는 단계는,변형률 변화에 의한 고속 변조되는 상기 나노주름의 전기적, 광학적 또는 이 둘의 특성을 실시간으로 증폭하여 초고분해분광을 측정하고 이미징하는 것인, 나노주름 광원의 제어 및 분석 방법
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2차원 반도체 물질층이 위치하는 기판;상기 2차원 반도체 물질층을 향해 배치되는 나노스케일 팁; 및2차원 반도체 물질층의 구조적, 전기적 및 광학적 특성 중 적어도 하나의 초고분해분광 측정 및 분석을 위한 장비; 를 포함하고, 상기 나노스케일 팁은, 전단력 (shear-force) AFM에 장착된 플라즈모닉 팁이고, 상기 나노스케일 팁은, 상기 2차원 반도체 물질층의 나노주름이 형성된 영역에 압력을 가하여 나노주름을 변형시키고, 실시간으로 상기 나노주름의 구조적, 전기적 및 광학적 특성 중 적어도 하나를 모니터링하는 것인, 나노주름 광원의 제어 및 분석 시스템
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제14항에 있어서,상기 나노주름 광원의 제어 및 분석 시스템은, 상기 나노주름 영역의 TEPL (tip-enhanced photoluminescence spectroscopy), TERS (tip-enhanced Raman spectroscopy) 및 TEEL (tip-enhanced electroluminescence) 중 적어도 하나를 측정하는 것인, 나노주름 광원의 제어 및 분석 시스템
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나노주름 영역을 갖는 2차원 반도체 물질층을 포함하고, 상기 나노주름의 전기적, 광학적 또는 이 둘의 특성이 초고분해분광에서 15 nm 이하의 분해능을 갖는 것인, 나노주름 광원
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제16항에 있어서,상기 나노주름 광원은, 전기적, 광학적 또는 이 둘의 특성을 능동적 제어가 가능하거나 또는 2차원 물질의 결정면(crystal face) 특성을 갖는 것인, 나노주름 광원
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나노주름 영역을 갖는 2차원 반도체 물질층을 포함하는 나노주름 광원;을 포함하고,상기 나노주름 광원은, 상기 나노주름의 전기적, 광학적 또는 이 둘의 특성이 초고분해분광에서 15 nm 이하의 분해능을 갖는 것인, 나노 광소자
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