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제1면 및 상기 제1면의 반대측의 제2면을 포함하는 반도체 기판, 그리고상기 반도체 기판을 관통하고, 상기 반도체 기판의 제1면과 제2면에 대하여 경사진 경사부를 포함하는 복수의 관통홀을 포함하되,상기 복수의 관통홀은, 상기 반도체 기판의 제1면에 대하여 예각으로 형성되어 관통하는 제1 관통홀, 상기 반도체 기판의 제1면에 대하여 둔각으로 형성되어 관통하는 제2 관통홀을 포함하는 투명 반도체 기판
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제1항에 있어서,상기 제1면, 상기 제2면 및 상기 경사부의 상면에 부착되는 부동화층, 그리고상기 부동화층의 상면에 코팅되는 광-반사방지층을 더 포함하는 투명 반도체 기판
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3
제1항에 있어서,상기 제1 관통홀은, 상기 제1면에 형성된 직경이 제2면에 형성된 직경보다 작고, 상기 제2 관통홀은, 상기 제1면에 형성된 직경이 제2면에 형성된 직경보다 큰 투명 반도체 기판
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제1항에 있어서,상기 제1 관통홀과 제2 관통홀은 서로 하나씩 교차되어 형성되는 투명 반도체 기판
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제1항에 있어서,상기 복수의 관통홀은 복수의 영역으로 구분되며,상기 복수의 영역은 상기 제1 관통홀이 군집화하여 형성된 제1 영역과상기 제2 관통홀이 군집화하여 형성된 제2 영역을 포함하는 투명 반도체 기판
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제1항에 있어서,상기 복수의 관통홀은 복수의 영역으로 구분되며,각각의 영역에는 상기 제1 관통홀과 제2 관통홀의 개수 또는 패턴이 다르게 형성되는 투명 반도체 기판
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제1항에 있어서,상기 관통홀의 길이방향의 단면은 평행사변형 형상인 반도체 기판
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제2항에 있어서,상기 부동화층은,금속, 전이금속 및 준금속 중에서 선택된 1종 이상의 원소의 산화물, 탄화물 또는 질화물을 포함하는 투명 반도체 기판
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제2항에 있어서,상기 광-반사방지층은,광-반사방지층 및 부동화층(Passivation Layer) 중에서 어느 하나로 형성되는 투명 반도체 기판
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제1항에 있어서,상기 반도체 기판은,결정질 실리콘(c-Si), 게르마늄(Ge), 갈륨비소(GaAs), 갈륨비소인(GaAsP), 비정질 실리콘(a-Si) 또는 이들의 조합으로 구성되는 투명 반도체 기판
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제1항에 있어서,투명 태양 전지에 적용되는 투명 반도체 기판
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제1면 및 상기 제1면의 반대측에 위치한 제2면을 포함하는 반도체 기판을 준비하는 단계, 그리고상기 반도체 기판을 관통하고, 상기 반도체 기판의 제1면과 제2면에 대하여 경사진 경사부를 포함하는 관통홀을 형성하는 단계를 포함하되,상기 복수의 관통홀은, 상기 반도체 기판의 제1면에 대하여 예각으로 형성되어 관통하는 제1 관통홀, 상기 반도체 기판의 제1면에 대하여 둔각으로 형성되어 관통하는 제2 관통홀을 포함하는 투명 반도체 기판의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 제1면, 상기 제2면 및 상기 경사부의 상면에 부동화층을 형성하는 단계 그리고상기 부동화층의 상면에 광-반사방지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 투명 반도체 기판의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 제1 관통홀과 제2 관통홀은 서로 하나씩 교차되어 형성되는 투명 반도체 기판의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 복수의 관통홀은 복수의 영역으로 구분되며,상기 복수의 영역은 상기 제1 관통홀이 군집화하여 형성된 제1 영역과상기 제2 관통홀이 군집화하여 형성된 제2 영역을 포함하는 투명 반도체 기판의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 복수의 관통홀은 복수의 영역으로 구분되며,각각의 영역에는 상기 제1 관통홀과 제2 관통홀의 개수 또는 패턴이 다르게 형성되는 투명 반도체 기판의 제조방법
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제12항에 있어서,투명 태양 전지에 적용되는 투명 반도체 기판의 제조방법
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