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벌크형 CsPbBr3 페로브스카이트 필름을 형성하는 단계; 상기 벌크형 CsPbBr3 페로브스카이트 필름을 클로로포름과 트리부틸포스핀이 혼합된 반응 용액에 침지하는 단계; 및 상기 클로로포름으로부터 제공된 염소가 상기 벌크형 CsPbBr3 페로브스카이트 필름의 브롬과 음이온 교환되어 벌크형 CsPbBr3-xClx (여기에서, 0003c#x003c#3 임) 페로브스카이트 필름을 형성하는 단계를 포함하는, 벌크형 무기 할로겐화물 페로브스카이트 필름의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 벌크형 CsPbBr3-xClx 페로브스카이트 필름은, 460 nm 내지 500 nm 파장 범위의 발광 피크를 가지는, 벌크형 무기 할로겐화물 페로브스카이트 필름의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 트리부틸포스핀은 상기 반응 용액의 전체 부피에 대하여 0
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청구항 1에 있어서,상기 침지하는 단계는 10초 내지 60초 범위의 시간 동안 수행되는, 벌크형 무기 할로겐화물 페로브스카이트 필름의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 벌크형 CsPbBr3 페로브스카이트 필름을 형성하는 단계는,PbBr2 및 CsTFA를 무수 디메틸설폭사이드 용매에 투입하여 용해한 페로브스카이트 전구체 용액을 형성하는 단계;상기 페로브스카이트 전구체 용액을 교반하는 단계; 및상기 페로브스카이트 전구체 용액을 기판 상에 스핀 코팅하여 상기 벌크형 CsPbBr3 페로브스카이트 필름을 형성하는 단계를 포함하는, 벌크형 무기 할로겐화물 페로브스카이트 필름의 제조방법
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청구항 5에 있어서,상기 페로브스카이트 전구체 용액을 형성하는 단계에서, 상기 PbBr2 및 상기 CsTFA는 상기 페로브스카이트 전구체 용액 전체에 대하여 0
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청구항 5에 있어서,상기 페로브스카이트 전구체 용액을 형성하는 단계에서, 상기 PbBr2 및 상기 CsTFA는 1:1 내지 1:2 범위의 몰농도로 혼합되는, 벌크형 무기 할로겐화물 페로브스카이트 필름의 제조방법
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청구항 5에 있어서,상기 교반하는 단계는 40℃ 내지 80℃ 범위의 온도에서, 1 시간 내지 24 시간 동안 수행되는, 벌크형 무기 할로겐화물 페로브스카이트 필름의 제조방법
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청구항 5에 있어서,상기 교반하는 단계를 수행한 후에, 상기 페로브스카이트 전구체 용액을 0
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청구항 5에 있어서,상기 벌크형 CsPbBr3 페로브스카이트 필름을 형성하는 단계는, 상기 스핀 코팅을 수행한 후에, 잔류하는 무수 디메틸설폭사이드 용매를 제거하기 위하여, 100℃ 내지 140℃ 범위의 온도에서 1분 내지 20분간 열처리하는 단계를 더 포함하는, 벌크형 무기 할로겐화물 페로브스카이트 필름의 제조방법
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제1 할로겐 물질을 포함하는 제1 벌크형 무기 할로겐화물 페로브스카이트 필름을 형성하는 단계;상기 제1 벌크형 무기 할로겐화물 페로브스카이트 필름을 제2 할로겐 물질을 포함하는 할로겐 제공물과 친핵체가 혼합된 반응 용액에 침지하는 단계; 및상기 할로겐 제공물로부터 제공된 상기 제2 할로겐 물질이 상기 제1 벌크형 무기 할로겐화물 페로브스카이트 필름의 상기 제1 할로겐 물질과 음이온 교환되어 제2 벌크형 무기 할로겐화물 페로브스카이트 필름을 형성하는 단계를 포함하는, 벌크형 무기 할로겐화물 페로브스카이트 필름의 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 제1 벌크형 무기 할로겐화물 페로브스카이트 필름은 벌크형 CsPbBr3 페로브스카이트 필름을 포함하는, 벌크형 무기 할로겐화물 페로브스카이트 필름의 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 할로겐 제공물은 클로로포름을 포함하는, 벌크형 무기 할로겐화물 페로브스카이트 필름의 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 친핵체는 트리옥틸포스핀, 트리헥실포스핀, 및 트리부틸포스핀 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 벌크형 무기 할로겐화물 페로브스카이트 필름의 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 제2 벌크형 무기 할로겐화물 페로브스카이트 필름은 벌크형 CsPbBr3-xClx (여기에서, 0003c#x003c#3 임) 페로브스카이트 필름을 포함하는, 벌크형 무기 할로겐화물 페로브스카이트 필름의 제조방법
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벌크형 CsPbBr3 페로브스카이트 필름을 구비하는 페로브스카이트 발광 다이오드 구조체를 제공하는 단계;상기 페로브스카이트 발광 다이오드 구조체를 클로로포름과 트리부틸포스핀이 혼합된 반응 용액에 침지하는 단계; 및상기 클로로포름으로부터 제공된 염소가 상기 벌크형 CsPbBr3 페로브스카이트 필름의 브롬과 음이온 교환되어 벌크형 CsPbBr3-xClx (여기에서, 0003c#x003c#3 임) 페로브스카이트 필름을 형성하는 단계를 포함하는, 페로브스카이트 청색 발광 다이오드 소자의 제조방법
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청구항 16에 있어서,상기 페로브스카이트 발광 다이오드 구조체는,하부 투명 전극;상기 하부 투명 전극 상에 위치한 하부 전하 수송층; 및상기 하부 전하 수송층 상에 위치한 청색 발광층;을 포함하고,상기 청색 발광층은 상기 음이온 교환에 의하여 상기 벌크형 CsPbBr3 페로브스카이트 필름이 상기 벌크형 CsPbBr3-xClx 페로브스카이트 필름으로 변화되는, 페로브스카이트 청색 발광 다이오드 소자의 제조방법
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청구항 16에 있어서,상기 페로브스카이트 발광 다이오드 구조체는,하부 투명 전극;상기 하부 투명 전극 상에 위치한 하부 전하 수송층;상기 하부 전하 수송층 상에 위치한 청색 발광층;상기 청색 발광층 상에 위치한 상부 전하 수송층; 및상기 상부 전하 수송층 상에 위치한 상부 전극;을 포함하고,상기 청색 발광층은 상기 하부 전하 수송층과 상기 상부 전하 수송층 사이에 개재된 상태에서, 상기 음이온 교환에 의하여 상기 벌크형 CsPbBr3 페로브스카이트 필름이 상기 벌크형 CsPbBr3-xClx 페로브스카이트 필름으로 변화되는, 페로브스카이트 청색 발광 다이오드 소자의 제조방법
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청구항 16에 있어서,상기 페로브스카이트 발광 다이오드 구조체는,하부 투명 전극;상기 하부 투명 전극 상에 위치한 하부 전하 수송층;상기 하부 전하 수송층 상에 위치한 청색 발광층;상기 청색 발광층 상에 위치한 상부 전하 수송층; 및상기 상부 전하 수송층 상에 위치한 상부 전극;을 포함하고,상기 상부 전극 상에 일부 영역을 차단하는 마스크층을 배치하고, 상기 청색 발광층은 상기 하부 전하 수송층과 상기 상부 전하 수송층 사이에 개재된 상태에서, 상기 마스크층에 의하여 차단되지 않는 상기 청색 발광층의 영역은 상기 음이온 교환에 의하여 상기 벌크형 CsPbBr3 페로브스카이트 필름이 상기 벌크형 CsPbBr3-xClx 페로브스카이트 필름으로 변화되는, 페로브스카이트 청색 발광 다이오드 소자의 제조방법
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하부 투명 전극;상기 하부 투명 전극 상에 위치한 하부 전하 수송층;상기 하부 전하 수송층 상에 위치한 청색 발광층;상기 청색 발광층 상에 위치한 상부 전하 수송층; 및상기 상부 전하 수송층 상에 위치한 상부 전극;을 포함하고,상기 청색 발광층은 음이온 교환에 의하여 상기 벌크형 CsPbBr3 페로브스카이트 필름이 상기 벌크형 CsPbBr3-xClx (여기에서, 0003c#x003c#3 임) 페로브스카이트 필름으로 변화된, 페로브스카이트 청색 발광 다이오드 소자
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