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표면 산화된 Bi2-XSbXTe3 (0003c#x003c#2), 표면 산화된 Bi2Te3-XSeX (0003c#x003c#3) 또는 이 둘; 을 포함하는 열전 물질; 및ChaM 음이온 (chalcogenidometallate anion); 을 포함하는, 열전 잉크 조성물
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제1항에 있어서,상기 열전 잉크 조성물의 점도는 104 이상이고, 상기 열전 잉크 조성물은 전-무기물 잉크 조성물인 것인, 열전 잉크 조성물
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제1항에 있어서,상기 Bi2-XSbXTe3 및 Bi2Te3-XSeX는, 각각, 0
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제1항에 있어서,상기 ChaM 음이온은,상기 열전 물질 100 중량부에 대해 10 중량부 내지 40 중량부로 포함되는 것인,열전 잉크 조성물
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제1항에 있어서,상기 ChaM 음이온은, Sb2Tez (3≤z≤7)를 포함하는 것인, 열전 잉크 조성물
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제1 전극층;상기 제1 전극층 상에 형성되고, 열전 잉크 조성물을 포함하는 3차원 구조체를 포함하는 열전부; 및상기 3차원 구조체의 적어도 일부분에 형성된 제2 전극층;을 포함하고,상기 열전 잉크 조성물은, 표면 산화된 Bi2-XSbXTe3, 표면 산화된 Bi2Te3-XSeX 또는 이 둘; 을 포함하는 것인, 마이크로 열전 발전 소자
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제6항에 있어서,상기 3차원 구조체의 종횡비는 1 내지 10이고, 상기 3차원 구조체의 높이는 100 μm 내지 4 mm이고, 직경은 100 μm 내지 1000 μm인 것인,마이크로 열전 발전 소자
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제6항에 있어서, 상기 3차원 구조체는, 50 μm 내지 1000 μm 피치 간격으로 복수개로 배열되는 것인,마이크로 열전 발전 소자
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제6항에 있어서,상기 3차원 구조체는, 격자, 나선형, 원형, 타원형, 다각기둥, 원기둥, 다각뿔, 원뿔, 니들, 아치형, 섬유 및 필라멘트로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 형상을 포함하는 것인, 마이크로 열전 발전 소자
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제6항에 있어서,상기 3차원 구조체는, 2층 이상이 적층된 3차원 격자 구조체이며,상기 격자 구조체는, 1종 이상의 정다면체 단위셀을 포함하고,상기 격자 구조체의 선 두께는 200 μm 내지 600 μm인 것인, 마이크로 열전 발전 소자
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제6항에 있어서,상기 열전부는, N-형 열전 물질을 포함하는 N-형 3차원 구조체, P-형 열전 물질을 포함하는 P-형 3차원 구조체 및 P-N 정션을 포함하는 3차원 구조체 로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하는 것인,마이크로 열전 발전 소자
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제6항에 있어서,상기 제2 전극층은, 상기 3차원 구조체 상부면에 형성되고, 2개 이상의 3차원 구조체를 브릿징하는 것인, 마이크로 열전 발전 소자
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제6항에 있어서,상기 열전부는, 500 S cm-1 이상의 제백계수, 100 μV/K 이상의 전기전도도 및 1
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제6항에 있어서,상기 제2 전극층 상에 하이드로겔을 포함하는 층; 을 더 포함하는 것인, 마이크로 열전 발전 소자
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제1 전극층을 형성하는 단계;상기 제1 전극층 상에 열전 잉크 조성물을 이용하여 3차원 구조체를 직접 3D 라이팅 (3D direct writing)하는 단계; 건조하는 단계; 열처리하는 단계; 및상기 3차원 구조체의 적어도 일부분에 제2 전극을 형성하는 단계; 를 포함하고,상기 열전 잉크 조성물은, 표면 산화된 Bi2-XSbXTe3, 표면 산화된 Bi2Te3-XSeX 또는 이 둘;을 포함하는 것인, 마이크로 열전 발전 소자의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 건조하는 단계는, 90 oC 내지 150 oC 온도 및 진공 또는 공기, 수소, 비활성 기체 중 적어도 하나를 포함하는 분위기에서 이루어지고, 상기 열처리하는 단계는, 200 oC 내지 500 oC 온도 및 진공 또는 공기, 수소, 비활성 기체 중 적어도 하나를 포함하는 분위기 에서 이루어지는 것인,마이크로 열전 발전 소자의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 제2 전극층 상에 하이드로겔을 포함하는 층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것인, 마이크로 열전 발전 소자의 제조방법
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