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기판;상기 기판 상에 마련되는 나노결정질 그래핀층; 및상기 나노결정질 그래핀층 상에 마련되는 이차원 물질층; 을 포함하며, 상기 나노결정질 그래핀층은 상기 이차원 물질층의 핵생성 밀도가 109ea/cm2 이상이 되도록 하는, 박막 구조체
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제1 항에 있어서,상기 나노결정질 그래핀층의 그레인 크기는 1nm 내지 1000nm인, 박막 구조체
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제1 항에 있어서,상기 이차원 물질층은 전이금속 디칼코게나이드(transition metal dichalcogenide; TMD)를 포함하는, 박막 구조체
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제3 항에 있어서,상기 전이금속 디칼코게나이드는 화학식 MX2로 표시되는 조성을 포함하고, 상기 M은 전이금속 원소이고, 상기 X는 칼코겐 원소인, 박막 구조체
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제1 항에 있어서,상기 이차원 물질층은 h-BN, a-BN, MXene, Silicene, Stanene, Tellurene, Borophene, Antimonene, Bi2Se3, Bi2O2Se 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 박막 구조체
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제1 항에 있어서,상기 기판은 실리콘(Si), 이산화 규소(SiO2), 산화알루미늄(Al2O3), 석영(Quartz), 게르마늄(Ge), 질화 갈륨(GaN), 질화 알루미늄(AlN), 갈륨 인(GaP), 인화 인듐(InP), 갈륨 비소(GaAs), 탄화 규소(SiC), 리튬 알루미늄 산화물(LiAlO3), 산화 마그네슘(MgO), 폴리에틸렌 나프탈레이트(poly ethylene naphthalate; PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(poly ethylene terephthalate; PET) 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 박막 구조체
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나노결정질 그래핀층 및 상기 나노결정질 그래핀층 상에 마련되는 이차원 물질층을 포함하는 박막 구조체를 포함하며,상기 나노결정질 그래핀층은 상기 이차원 물질층의 핵생성 밀도가 109ea/cm2 이상이 되도록 하는, 반도체 소자
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제7 항에 있어서,상기 나노결정질 그래핀층의 그레인 크기는 1nm 내지 1000nm인, 반도체 소자
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제7 항에 있어서,상기 이차원 물질층은 전이금속 디칼코게나이드(TMD)를 포함하는, 반도체 소자
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제9 항에 있어서,상기 전이금속 디칼코게나이드(TMD)는 화학식 MX2로 표시되는 조성을 포함하고, 상기 M은 전이금속 원소이고, 상기 X는 칼코겐 원소인, 반도체 소자
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제7 항에 있어서, 상기 이차원 물질층과 이격된 게이트 전극; 및 상기 이차원 물질층과 상기 게이트 전극 사이에 마련된 게이트 절연층; 을 더 포함하는, 반도체 소자
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제11 항에 있어서,상기 게이트 절연층은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 산화알루미늄(Al2O3), 산화하프늄(HfO2), 산화지르코늄(ZrO2), 실리콘 산화 질화물(SiON), high-k 물질 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 반도체 소자
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제11 항에 있어서,상기 박막 구조체의 양단과 각각 전기적으로 연결되는 소스 전극 및 드레인 전극을 더 포함하는, 반도체 소자
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제13 항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극은, 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 텅스텐(W,) 코발트(Co), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 탄탈럼(Ta), 질화 티타늄(TiN), 티타늄 알루미나이드(TiAl), 질화 티타늄 알루미나이드(TiAlN), 질화 탄탈럼(TaN) 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 반도체 소자
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제7 항에 있어서,상기 반도체 소자는 광전자 소자(optoelectronic device)인, 반도체 소자
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제7 항에 있어서,상기 이차원 물질층 상에 마련되는 도전층을 더 포함하는, 반도체 소자
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반응 챔버 내에 구비된 기판 상에 나노결정질 그래핀층을 형성하는 단계; 및상기 나노결정질 그래핀층 상에 이차원 물질층을 형성하는 단계; 를 포함하며, 상기 나노결정질 그래핀층은 상기 이차원 물질층의 핵생성 밀도가 109ea/cm2 이상이 되도록 하는, 박막 구조체 제조 방법
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제17 항에 있어서,상기 이차원 물질층을 형성하는 단계는,전이금속 디칼코게나이드(TMD)의 2종 이상의 전구체를 상기 반응 챔버에 공급하여 상기 이차원 물질층을 형성하는, 박막 구조체 제조 방법
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제18 항에 있어서,상기 전구체를 상기 반응 챔버에 공급하는 시간은 5분 이상 30분 이하인, 박막 구조체 제조 방법
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제17 항에 있어서,상기 이차원 물질층을 형성하는 단계는,화학 기상 증착(chemical vapor deposition; CVD) 공정, 물리 기상 증착(physical vapor deposition; PVD) 공정, 원자층 증착(atomic layer depositionl ALD) 공정 또는 이들 중 적어도 두 개의 조합을 이용하여 수행하는, 박막 구조체 제조 방법
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