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도너기판 상에 그래핀을 전사하는 단계;상기 그래핀 상에 포토리소그래피(photolithography) 공정으로 포토레지스트 패턴을 형성시키는 단계;상기 포토레지스트 패턴 상에 금속을 증착한 후, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하여 금속패턴을 형성시키는 단계;상기 금속패턴 상에 폴리머 전구체를 코팅한 후 경화하여 폴리머층을 형성시켜, 도너기판-그래핀-금속패턴-폴리머 적층체를 얻는 단계; 및상기 도너기판-그래핀-금속패턴-폴리머 적층체로부터 도너기판을 박리하는 단계;를 포함하는,금속 기반 유연 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 도너기판은, Ge, GaAs, Si, SiO2, TiO2, ZnS, ZnO, Al2O3, ZrO2, Ta2O5 및 Nb2O5으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인,금속 기반 유연 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 그래핀은, 화학적 기상 증착(CVD) 방법으로 성장된 것인,금속 기반 유연 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴은,리프트 오프(lift-off) 공정으로 제거하는 것인,금속 기반 유연 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속은, Au, Ag, Cu, Al, Ti, Pt, Ni, Fe, Cr, In, Ru, Pd, Rh, Ir 및 Os로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인,금속 기반 유연 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속은, 진공 증착 방법으로 증착되는 것인,금속 기반 유연 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속패턴은,그리드(grid) 패턴을 포함하는 것인,금속 기반 유연 전극의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 그리드(grid) 패턴의 단위 패턴은, 선폭이 1 ㎛ 내지 10 ㎛이거나, 너비가 80 ㎛ 내지 300 ㎛이거나, 대각선 길이가 100 ㎛ 내지 300 ㎛인 것인, 금속 기반 유연 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 폴리머층은,폴리이미드(polyimide, PI), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리스티렌(polystyrene, PS), 폴리염화비닐(polyvinyl chloride, PVC), 폴리비닐피롤리돈(polyvinylpyrrolidone, PVP) 및 폴리에틸렌(polyethlene, PE)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인,금속 기반 유연 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,하기 식으로 계산되는 픽업 수율은, 90 % 내지 100% 인 것인,금속 기반 유연 전극의 제조방법:[식]픽업 수율(%) = 폴리머 상에서의 전극 면적/도너기판 상에서의 전극면적 x 100여기서, 상기 전극은, 상기 그래핀 및 상기 금속패턴을 포함한다
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폴리머층;상기 폴리머층 상에 형성된 금속패턴층; 및상기 금속패턴층 상에 형성된 그래핀층;을 포함하고,제1항의 제조방법으로 제조되는 것인,금속 기반 유연 전극
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제11항에 있어서,상기 폴리머층의 두께는, 0
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제11항에 있어서,상기 그래핀층의 두께는, 1
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제11항에 있어서,상기 금속패턴층은, 그리드 패턴을 포함하고,상기 그리드 패턴의 높이는, 30 nm 내지 300 nm인 것인,금속 기반 유연 전극
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제11항에 있어서,면저항(sheet resistance)이 3 Ω/sq 이하인 것인,금속 기반 유연 전극
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제1항의 제조방법으로 제조된 금속 기반 유연 전극을 포함하는,플렉시블 전자 소자
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