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전극; 및 상기 전극 상에 형성되며, M1[M2(CN)6]로서 표시되는 자기절연체;를 포함하며, 상기 M1 및 M2는 전이금속인 것인, 스핀 열전 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 M1 및 M2는 각각 독립적으로 Cr, V, Mo 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 전이금속인 것인, 스핀 열전 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 전극은 Cr, Pt, Pd, W, Au, Ag, Ge, Ni, Mo, Ti 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 금속을 포함하는 것인, 스핀 열전 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 자기절연체의 두께는 100 nm 내지 10 mm인 것인, 스핀 열전 소자
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반응부 내에 기준전극, 상대전극 및 작업전극을 제공하는 단계; 상기 반응부에 전해질을 주입하는 단계; 및 상기 작업전극에 전압을 인가하여 상기 작업전극의 표면에 M1[M2(CN)6]로서 표시되는 자기절연체를 형성하는 단계;상기 M1 및 M2는 전이금속인 것인, 스핀 열전 소자의 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 M1 및 M2는 각각 독립적으로 Cr, V, Mo 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 전이금속인 것인, 스핀 열전 소자의 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 작업전극은 Cr, Pt, Pd, W, Au, Ag, Ge, Ni, Mo, Ti 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 금속을 포함하는 것인, 스핀 열전 소자의 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 자기절연체를 형성하는 단계는 상온에서 이루어지는 것인, 스핀 열전 소자의 제조 방법
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