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표면에 제1 리간드가 결합된 나노입자를 포함하는 제1 조성물을 이용하여 박막을 형성하는 단계; 및상기 박막과 제2 조성물을 접촉하여, 상기 제1 리간드를 제2 리간드로 치환하는 단계;를 포함하며,상기 제1 리간드는 올레산(oleic acid), 올레일아민(oleylamine), 트리옥틸포스핀(trioctylphosphine) 및 트리옥틸포스핀 옥사이드(trioctylphosphine oxide) 중 하나 이상 포함하고,상기 제2 리간드는 테트라부틸암모늄 할라이드(tetrabutylammonium halide), 머캅토프로피온산(mercaptopropionic acid), 에틸렌디티올(ethylene dithiol), 티오시아네이트(thiocyanate) 및 염화암모늄(ammonium chloride) 중 2 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노입자 박막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 나노입자는 금속 나노입자 및 반도체 나노입자 중 하나 이상을 포함하며,상기 금속 나노입자는 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 및 백금(Pt) 중 하나 이상 포함하고,상기 반도체 나노입자는 CdSe, PbS, PbSe 및 CsPbBr3 중 하나 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 나노입자 박막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 조성물은 용제 100 중량부 및 상기 제1 리간드가 결합된 나노입자 0
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제1항에 있어서, 상기 박막은 기판의 적어도 일면에 상기 제1 조성물을 스프레이 코팅, 스핀 코팅, 슬롯 다이 코팅, 롤 코팅, 바 코팅, 딥 코팅, 스크린 프린팅 또는 그라비어 프린팅 하여 형성되는 것을 특징으로 하는 나노입자 박막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제2 조성물은 용제 100 중량부 및 제2 리간드 0
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제1항에 있어서, 상기 제2 리간드는 테트라부틸암모늄 할라이드 및 머캅토프로피온산을 30:1~0
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표면에 제2 리간드가 결합된 나노입자를 포함하고,상기 제2 리간드는, 상기 나노입자에 결합된 제1 리간드가 제2 리간드로 치환된 것이며,상기 제2 리간드는 테트라부틸암모늄 할라이드(tetrabutylammonium halide), 머캅토프로피온산(mercaptopropionic acid), 에틸렌디티올(ethylene dithiol), 티오시아네이트(thiocyanate) 및 염화암모늄(ammonium chloride) 중 2 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 나노입자 박막
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제7항에 있어서, 상기 제1 리간드는 올레산(oleic acid), 올레일아민(oleylamine), 트리옥틸포스핀(trioctylphosphine) 및 트리옥틸포스핀 옥사이드(trioctylphosphine oxide) 중 하나 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 나노입자 박막
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제7항에 있어서, 상기 제2 리간드는 테트라부틸암모늄 할라이드 및 머캅토프로피온산을 30:1~0
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제7항에 있어서, 상기 나노입자 박막은 두께가 250~300nm인 것을 특징으로 하는 나노입자 박막
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표면에 제2 리간드가 결합된 나노입자를 포함하고,상기 나노입자는 응집입자와 1차 입자의 바이모달 분포를 가지고 있고,상기 응집입자는 제2 리간드중 응집성 리간드와 결합된 것이고, 상기 1차 입자는 제2 리간드중 비응집성 리간드와 결합된 것인, 나노입자 박막
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제11항에 있어서, 상기 제2 리간드는 테트라부틸암모늄 할라이드(tetrabutylammonium halide), 머캅토프로피온산(mercaptopropionic acid), 에틸렌디티올(ethylene dithiol), 티오시아네이트(thiocyanate) 및 염화암모늄(ammonium chloride) 중 2 이상 포함하고, 상기 응집성 리간드는 테트라부틸암모늄 할라이드 및 티오시아네이트 중 하나 이상 포함하고,상기 비응집성 리간드는 머캅토프로피온산, 에틸렌디티올 및 염화암모늄 중 하나 이상 포함하는 나노입자 박막
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제11항에 있어서, 상기 응집입자는 평균입경이 2~50 nm 이고, 상기 1차 입자는 평균입경이 1nm~30nm인 나노입자 박막
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제11항 내지 제13항중 어느 한 항의 나노입자 박막을 이용하여 저항도를 조절하는 방법이며, 상기 방법은 응집성 리간드와 비응집성 리간드의 중량비를 조절하는 단계;를 포함하는 것인, 나노입자 박막을 이용하여 저항도를 조절하는 방법
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제11항 내지 제13항중 어느 한 항의 나노입자 박막을 이용하여 온도저항계수를 조절하는 방법이며, 상기 방법은 응집성 리간드와 비응집성 리간드의 중량비를 조절하는 단계;를 포함하는 것인, 나노입자 박막을 이용하여 온도저항계수를 조절하는 방법
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기판; 및상기 기판 상에 형성되며, 측정 대상물의 온도에 의해 전기저항이 변하는 나노입자층;을 포함하며,상기 나노입자층은 표면에 제2 리간드가 결합된 나노입자를 포함하고,상기 제2 리간드는, 상기 나노입자에 결합된 제1 리간드가 제2 리간드로 치환된 것이며,상기 제2 리간드는 테트라부틸암모늄 할라이드(tetrabutylammonium halide), 머캅토프로피온산(mercaptopropionic acid), 에틸렌디티올(ethylene dithiol), 티오시아네이트(thiocyanate) 및 염화암모늄(ammonium chloride) 중 2 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 센서
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