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a) 맥신용액을 제조하는 단계;b) 기판에 포토레지스트 마스크를 코팅하는 단계;c) 상기 포토레지스트 마스크가 코팅된 상기 기판에 상기 맥신용액을 코팅하는 단계; 및d) 상기 기판으로부터 패턴화된 맥신을 얻어 마이크로 슈퍼커패시터를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 용액공정을 이용한 마이크로 슈퍼커패시터의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 a) 단계는,a1) 맥신을 얻는 단계; 및a2) 얻은 상기 맥신을 증류수와 혼합하여 맥신용액을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 용액공정을 이용한 마이크로 슈퍼커패시터의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 a1) 단계는,MAX상을 LiF+HCL 6M 조건에서 에칭하여 상기 맥신을 얻는 것을 특징으로 하는 용액공정을 이용한 마이크로 슈퍼커패시터의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 a2) 단계에서,상기 맥신의 농도는 5~15mg/ml인 것을 특징으로 하는 용액공정을 이용한 마이크로 슈퍼커패시터의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 b) 단계에서,상기 포토레지스트 마스크는 네거티브(negative)형인 것을 특징으로 하는 용액공정을 이용한 마이크로 슈퍼커패시터의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 b) 단계에서,상기 기판은,SiO2 기판인 것을 특징으로 하는 용액공정을 이용한 마이크로 슈퍼커패시터의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 c) 단계는,Dip 코팅 또는 Spin 코팅에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 용액공정을 이용한 마이크로 슈퍼커패시터의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 d) 단계는,d1) 상기 기판을 맥신용액으로부터 꺼내는 단계;d2) 꺼낸 상기 기판에 상기 포토레지스트 마스크를 제거하는 단계; 및d3) 상기 기판에 패턴화된 맥신을 이용하여 마이크로 슈퍼커패시터를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 용액공정을 이용한 마이크로 슈퍼커패시터의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 d2) 단계에서,상기 포토레지스트 마스크는 초음파 세척기에서 아세톤 용제에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 용액공정을 이용한 마이크로 슈퍼커패시터의 제조방법
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제 1 항에 따른 용액공정을 이용한 마이크로 슈퍼커패시터의 제조방법에 의해 제조된 마이크로 슈퍼커패시터에 있어서,상기 마이크로 슈퍼커패시터는 전극의 폭과 전극간 간격이 45~55μm로 형성된 것을 특징으로 하는 용액공정을 이용한 마이크로 슈퍼커패시터의 제조방법에 의해 제조된 마이크로 슈퍼커패시터
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