| 1 |
1
나노 로드 LED의 제조방법에 있어서,기판 상에 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1 반도체층을 복수의 로드(rod) 형태로 식각할 수 있는 마스크를 상기 제1 반도체층 상에 형성하는 단계;상기 마스크를 이용하여 상기 제1 반도체층을 식각하여 복수의 제1 반도체 로드를 형성하는 단계;상기 식각에 의해 노출된 바닥면으로부터, 상기 제1 반도체 로드의 상단과 하단 사이의 설정된 높이까지, 상기 복수의 제1 반도체 로드의 사이에 지지부를 형성하는 단계;상기 지지부로부터 노출된 각 상기 제1 반도체 로드의 표면에 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 형성하는 단계; 및상기 활성층 상에 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 나노 로드 LED의 제조방법
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 지지부의 상기 설정된 높이를 선택하여, 발광면적 및 전극 접촉면적을 조절하는 것을 특징으로 하는, 나노 로드 LED의 제조방법
|
| 3 |
3
청구항 1에 있어서,상기 제2 반도체층을 형성하는 단계 이후, 상기 지지부를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 나노 로드 LED의 제조방법
|
| 4 |
4
청구항 1에 있어서,상기 제2 반도체층을 형성하는 단계 이후, 상기 기판과 상기 제1 반도체층을 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 나노 로드 LED의 제조방법
|
| 5 |
5
청구항 1에 있어서,상기 마스크를 형성하는 단계는,상기 제1 반도체층 상에 절연체층을 형성하는 단계;상기 절연체층 상에 금속막을 형성하는 단계;상기 복수의 제1 반도체 로드에 각각 대응하도록 상기 금속막 상에 도트 패턴을 형성하는 단계; 및상기 도트 패턴에 대응하는 부분을 제외한 상기 금속막 및 상기 절연체층을 식각하여 로드 형태로 로드 마스크를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 나노 로드 LED의 제조방법
|
| 6 |
6
청구항 5에 있어서,상기 도트 패턴을 형성하는 단계는,상기 금속막 상에 자가조립 방법을 이용하여 폴리스티렌 또는 실리카로된 볼(ball)층을 형성하는 단계; 및상기 볼층에 콜로이드 리소그래피(Colloidal lithography) 또는 반응성 이온 식각(Reactive ion etching)를 적용하여 도트를 형성하는 볼의 직경 또는 사이즈와 각 도트 사이 간격을 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 나노 로드 LED의 제조방법
|
| 7 |
7
청구항 5에 있어서,상기 도트 패턴을 형성하는 단계에서, 상기 도트 패턴은 포토리소그래피(Photolithography) 방법, 이빔리소그래피(E-beam lithography) 방법 및 나노임프린트(nanoimprint) 방법 중 적어도 하나에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는, 나노 로드 LED의 제조방법
|
| 8 |
8
청구항 5에 있어서,상기 로드 마스크를 형성하는 단계는,상기 도트 패턴을 마스크로 상기 금속막을 식각하여 상기 도트 패턴에 대응하는 금속 패턴을 형성하는 단계;상기 금속 패턴을 마스크로 상기 절연체층을 식각하여 상기 절연체층으로 된 로드 형태의 로드 마스크를 형성하는 단계; 및상기 로드 마스크의 상단에 상기 금속 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 나노 로드 LED의 제조방법
|
| 9 |
9
청구항 5에 있어서,상기 절연체층은 SiO2로 형성되며,상기 지지부는 SoG (Spin on Glass)를 딥코팅 또는 스핀코팅 하여 상기 복수의 제1 반도체 로드의 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는, 나노로드 LED의 제조방법
|
| 10 |
10
청구항 1에 있어서,상기 제1 반도체층을 형성하는 단계는, Si 또는 사파이어인 상기 기판 상에 n-type으로 도핑된 GaN층을 포함하는 복수의 반도체층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 활성층을 형성하는 단계는, Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 3족 질화물 반도체를 이용하여, 상기 마스크가 제거된 상기 제1 반도체 로드의 상면 및 측면에 다중양자우물구조를 형성하는 단계를 포함하며,상기 제2 반도체층을 형성하는 단계는, p-type으로 도핑된 GaN층을 포함하는 복수의 반도체층을 상기 활성층의 표면에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 나노로드 LED의 제조방법
|
