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1
베이스 기판층; 상기 베이스 기판층 상에 형성된 P1 고분자 코팅층; 및상기 P1 고분자 코팅층 상에 형성된 P2(CNT) 고분자 코팅층;을 포함하며,상기 P2(CNT) 고분자 코팅층은 P2 고분자에 의해 CNT가 랩핑된 것이고,상기 P1 고분자 코팅층과 P2(CNT) 고분자 코팅층은 트리아졸 고리에 의하여 결합되어 있는 것인 CNT 필름 코팅 기판
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제 1항에 있어서,상기 CNT 필름 코팅 기판은 하기 화학식 1을 포함하는 것인 CNT 필름 코팅 기판
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제 2항에 있어서,상기 화학식 1은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물과 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물의 클릭반응으로 형성되는 것이고,상기 클릭반응은 하기 반응식 1로 표시되는 반응인 것인 CNT 필름 코팅 기판
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4
제 3항에 있어서,상기 화학식 2의 P1은 아크릴계 공중합체인 CNT 필름 코팅 기판
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5
제 3항에 있어서,상기 화학식 2는 하기 화학식 4 또는 화학식 5로 표시되는 것인 CNT 필름 코팅 기판
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6
제 5항에 있어서,상기 화학식 4는 하기 화학식 6으로 표시되는 것인 CNT 필름 코팅 기판
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7
제 6항에 있어서,상기 화학식 6는 하기 화학식 7으로 표시되는 것인 CNT 필름 코팅 기판
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8
제 5항에 있어서,상기 화학식 5는 하기 화학식 8로 표시되는 것인 CNT 필름 코팅 기판
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제 8항에 있어서,상기 화학식 8은 하기 화학식 9로 표시되는 것인 CNT 필름 코팅 기판
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10
제 3항에 있어서,상기 화학식 3의 P2은 플루오렌기반 공중합체인 CNT 필름 코팅 기판
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11
제 10항에 있어서,상기 화학식 3은 하기 화학식 10으로 표시되는 것인 CNT 필름 코팅 기판
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12
제 1항에 있어서,상기 CNT 필름 코팅 기판은 베이스 기판층과 P1 고분자 코팅층 사이에 자기 조립 단분자층(SAM)을 더 포함하는 것인 CNT 필름 코팅 기판
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13
제 12항에 있어서,상기 자기 조립 단분자층(SAM)은 하기 화학식 11로 표시되는 화합물로부터 유도된 단위인 CNT 필름 코팅 기판
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14
제 1항에 있어서,상기 P2(CNT) 고분자 코팅층의 CNT는 도체성 단일벽 탄소나노튜브(m-SWCNT), 반도체성 단일벽 탄소나노튜브(sc-SWCNT) 또는 이들의 혼합물인 CNT 필름 코팅 기판
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15
베이스 기판층; 상기 베이스 기판층 상에 형성된 P1 고분자 코팅층; 및상기 P1 고분자 코팅층 상에 형성된 P2(CNT) 고분자 코팅층;을 포함하며,상기 P2(CNT) 고분자 코팅층은 P2 고분자에 의해 CNT가 랩핑된 것이고,상기 P1 고분자 코팅층과 P2(CNT) 고분자 코팅층은 트리아졸 고리에 의하여 결합되어 있는 것인 CNT 필름 코팅 기판의 제조방법
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제 15항에 있어서,상기 CNT 필름 코팅 기판의 제조방법은(a) 베이스 기판층 상에 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 코팅 및 고정화하는 단계;(b) 상기 코팅된 베이스 기판층을 P2(CNT)용액에 침지하는 단계;(c) 하기 화학식 2로 표시되는 화합물과 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물이 클릭반응하는 단계; 및(d) 반응 종결 후, 유기 용매로 미반응 화합물을 세척하는 단계;를 포함하는 것인 CNT 필름 코팅 기판의 제조방법
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제 16항에 있어서,(a) 베이스 기판층 상에 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 코팅 및 고정화하는 단계는(a-1) 용매로 베이스 기판층을 세척하는 단계;(a-2) 자기 조립 단분자층(SAM)을 코팅하는 단계;(a-3) 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 코팅하는 단계; (a-4) UV 경화 단계; 및(a-5) 용매로 기판층에 미고정된 화합물을 세척하는 단계;를 포함하는 것인 CNT 필름 코팅 기판의 제조방법
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제 17항에 있어서,(a-2) 자기 조립 단분자층(SAM)을 코팅하는 단계는 세척한 베이스 기판층을 자기 조립 단분자층 용액에 침지하는 과정을 포함하는 것인 CNT 필름 코팅 기판의 제조방법
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제 18항에 있어서,상기 자기 조립 단분자층 용액은 하기 화학식 11로 표시되는 화합물을 포함하는 것인 CNT 필름 코팅 기판의 제조방법
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제 17항에 있어서,(a-3) 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 코팅하는 단계에서 상기 화합물은 스핀 코팅, 딥 코팅, 드롭핑, 스프레이 코팅, 솔루션 케스팅, 바코팅, 롤코팅 및 그라비아 코팅에서 선택되는 하나의 방법으로 코팅되는 것인 CNT 필름 코팅 기판의 제조방법
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제 17항에 있어서,(a-3) 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 코팅하는 단계에서 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 4로 표시되는 것인 CNT 필름 코팅 기판의 제조방법
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제 21항에 있어서,상기 화학식 4는 하기 화학식 6으로 표시되는 것인 CNT 필름 코팅 기판의 제조방법
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제 22항에 있어서,상기 화학식 6는 하기 화학식 7으로 표시되는 것인 CNT 필름 코팅 기판의 제조방법
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제 17항에 있어서,(a-4) UV 경화 단계는 패턴 형성 단계를 더 포함하는 것인 CNT 필름 코팅 기판의 제조방법
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제 16항에 있어서,(a) 베이스 기판층 상에 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 코팅 및 고정화하는 단계는(a'-1) 용매로 베이스 기판층을 세척하는 단계;(a'-2) 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 코팅하는 단계;(a'-3) 열처리 단계; 및(a'-4) 용매로 기판층에 미고정된 화합물을 세척하는 단계;를 포함하는 것인 CNT 필름 코팅 기판의 제조방법
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제 25항에 있어서,상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 5로 표시되는 것인 CNT 필름 코팅 기판의 제조방법
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제 26항에 있어서,상기 화학식 5는 하기 화학식 8로 표시되는 것인 CNT 필름 코팅 기판의 제조방법
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제 27항에 있어서,상기 화학식 8은 하기 화학식 9로 표시되는 것인 CNT 필름 코팅 기판의 제조방법
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제 25항에 있어서,(a'-2) 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 코팅하는 단계에서 상기 화합물은 스핀 코팅, 딥 코팅, 드롭핑, 스프레이 코팅, 솔루션 케스팅, 바코팅, 롤코팅 및 그라비아 코팅에서 선택되는 하나의 방법으로 코팅되는 것인 CNT 필름 코팅 기판의 제조방법
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제 16항에 있어서,(b) 상기 코팅된 베이스 기판층을 P2(CNT)용액에 침지하는 단계에서상기 P2(CNT)용액은 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물, CNT 및 용매를 포함하는 것인 CNT 필름 코팅 기판의 제조방법
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제 30항에 있어서,상기 P2(CNT)용액은 CNT를 랩핑한 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물이 용매에 용해된 것인 CNT 필름 코팅 기판의 제조방법
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제 30항에 있어서,상기 화학식 3은 하기 화학식 10으로 표시되는 것인 CNT 필름 코팅 기판의 제조방법
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제 30항에 있어서,상기 CNT는 도체성 단일벽 탄소나노튜브(m-SWCNT), 반도체성 단일벽 탄소나노튜브(sc-SWCNT) 또는 이들의 혼합물인 CNT 필름 코팅 기판의 제조방법
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제 16항에 있어서,(c) 상기 화학식 2로 표시되는 화합물과 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물이 클릭반응하는 단계에서,상기 클릭반응하는 시간에 따라 CNT 필름의 밀도를 조절하는 것인 CNT 필름 코팅 기판의 제조방법
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하기 화학식 6으로 표시되는 아크릴레이트 공중합체
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하기 화학식 8로 표시되는 아크릴레이트 공중합체
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