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고분자 막의 라디칼 스캐빈저 전사 방법 및 이 방법으로 제조된 연료전지용 막-전극 어셈블리

  • 기술번호 : KST2022020671
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예는 연료전지의 효율 감소를 최소화하면서 고분자 막에 초 박막 형태의 라디컬 스캐빈저층을 효율적으로 전사할 수 있는 고분자 막의 라디칼 스캐빈저층 전사 방법 및 이 방법으로 제조된 연료전지용 막-전극 어셈블리(MEA:Membrane-Electrode Assembly)에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명의 실시예는 폴리 이미드 필름을 포함하는 이형 필름에 라디칼 스캐빈저를 도포하여 라디칼 스캐빈저층을 형성하는 단계; 고분자 막을 준비하는 단계; 및 전사 롤러를 구동하여 상기 고분자 막에 상기 이형 필름의 라디칼 스캐빈저층을 전사하는 단계;를 포함하는, 고분자 막의 라디칼 스캐빈저층 전사 방법 및 이 전사 방법으로 제조된 막-전극 어셈블리가 제공된다.
Int. CL H01M 8/1041 (2016.01.01) H01M 4/88 (2006.01.01) H01M 4/92 (2006.01.01) H01M 8/1004 (2016.01.01) H01M 8/1051 (2016.01.01) H01M 8/1053 (2016.01.01) H01M 8/1086 (2016.01.01) H01M 8/10 (2016.01.01)
CPC H01M 8/1055(2013.01) H01M 4/881(2013.01) H01M 4/8814(2013.01) H01M 4/92(2013.01) H01M 4/926(2013.01) H01M 8/1004(2013.01) H01M 8/1051(2013.01) H01M 8/1053(2013.01) H01M 8/1086(2013.01) H01M 8/1093(2013.01) H01M 2008/1095(2013.01)
출원번호/일자 1020220052755 (2022.04.28)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-2458613-0000 (2022.10.20)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20221026) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.04.28)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장윤석 대전광역시 서구
2 이승현 대전광역시 유성구
3 조정대 대전광역시 유성구
4 박평원 대전광역시 유성구
5 김현창 세종특별자치시 도움*로
6 김경록 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 두호특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 언주로***, *층(논현동,시그너스빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2022.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2022-0457465-54
2 [우선심사신청]심사청구서·우선심사신청서
2022.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2022-0489579-44
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2022.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2022.05.31 수리 (Accepted) 9-1-2022-0007692-88
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2022.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0446916-33
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2022.08.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2022-0859000-66
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2022.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2022-0859001-12
8 등록결정서
Decision to grant
2022.10.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0759581-94
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
폴리 이미드 필름을 포함하는 이형 필름에 라디칼 스캐빈저를 도포하여 라디칼 스캐빈저층을 형성하는 단계;고분자 막을 준비하는 단계; 및전사 롤러를 구동하여 상기 고분자 막에 상기 이형 필름의 라디칼 스캐빈저층을 전사하는 단계;를 포함하며,상기 고분자 막에 상기 이형 필름의 라디칼 스캐빈저층을 전사하는 단계는,상기 이형 필름에 상기 전사 롤러를 구비하고, 상기 전사 롤러를 구동하여 상기 이형 필름으로부터 상기 라디칼 스캐빈저층을 박리하면서 상기 전사 롤러의 표면으로 상기 박리되는 라디칼 스캐빈저층을 롤 형태로 이동시켜 형성하는 단계; 및상기 라디칼 스캐빈저층이 롤 형태로 형성된 전사 롤러를 상기 고분자 막에 구비하고, 상기 전사 롤러를 구동하여 상기 전사 롤러의 표면에 형성된 롤 형태의 라디칼 스캐빈저층을 상기 고분자 막에 전사하는 단계;를 포함하는, 고분자 막의 라디칼 스캐빈저층 전사 방법
2 2
삭제
3 3
청구항 1에 있어서,상기 고분자 막에 상기 이형 필름의 라디칼 스캐빈저층을 전사하는 단계는,상기 라디칼 스캐빈저층이 상기 고분자 막과 마주보도록 상기 고분자 막의 상면 및/또는 하면에 상기 이형 필름을 구비하는 단계;상기 이형 필름에 상기 전사 롤러의 가압력을 제공하여 상기 고분자 막에 상기 라디칼 스캐빈저층을 전사하는 단계; 및상기 이형 필름을 제거하는 단계;를 포함하는, 고분자 막의 라디칼 스캐빈저층 전사 방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 이형 필름의 라디칼 스캐빈저층은, 상기 이형 필름의 표면에 스프레이 방식으로 라디칼 스캐빈저 입자를 도포하여 코팅되는, 고분자 막의 라디칼 스캐빈저층 전사 방법
5 5
청구항 1 또는 청구항 4에 있어서,상기 이형 필름의 라디칼 스캐빈저층은, 50nm 이하의 두께로 형성되는, 고분자 막의 라디칼 스캐빈저층 전사 방법
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청구항 1에 있어서,상기 전사 롤러의 표면은 PDMS(Polydimethylsiloxane)를 포함하는, 고분자 막의 라디칼 스캐빈저층 전사 방법
7 7
청구항 1에 있어서,상기 라디칼 스캐빈저는, CeO2와 같은 세리아(Cerium Oxide) 입자를 포함하는, 고분자 막의 라디칼 스캐빈저층 전사 방법
8 8
청구항 1의 전사 방법으로 라디칼 스캐빈저층이 형성된 고분자 막; 및상기 고분자 막의 양측 표면에 각각 구비되는 캐소드(cathod) 전극 및 애노드(anode) 전극;을 포함하는, 막-전극 어셈블리(Membrane-Electrode Assembly)
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청구항 8에 있어서,상기 캐소드 전극은 Pt/C을 포함하고, 상기 애노드 전극은 IrO2을 포함하는, 막-전극 어셈블리
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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