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이중벽 탄소나노튜브 분산액을 희석한 다음 유리 기판에 슬롯 다이 코팅 한 다음 가열하여 이중벽 탄소나노튜브 기판을 합성하는 단계;상기 이중벽 탄소나노튜브 기판을 300 내지 500℃에서 챔버에 넣고 가열하여 계면 활성제가 제거된 이중벽 탄소나노튜브 기판을 제조하는 단계; 및상기 계면 활성제가 제거된 이중벽 탄소나노튜브 기판에 트리플릭산 용액으로 스핀 코팅한 후 건조하여 도핑하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 p-도핑이 제어된 이중벽 탄소나노튜브 층 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 계면 활성제가 제거된 이중벽 탄소나노튜브 기판을 제조하는 단계는,Ar 분위기 하에서 실행하는 것을 특징으로 하는 p-도핑이 제어된 이중벽 탄소나노튜브 층 제조방법
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제 2항에 있어서,상기 계면 활성제가 제거된 이중벽 탄소나노튜브 기판을 제조하는 단계는,상기 챔버의 절대 압력이 290 Pa인 것을 특징으로 하는 p-도핑이 제어된 이중벽 탄소나노튜브 층 제조방법
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제 2항에 있어서,상기 계면 활성제가 제거된 이중벽 탄소나노튜브 기판을 제조하는 단계는,5 내지 15분 동안 실행하는 것을 특징으로 하는 p-도핑이 제어된 이중벽 탄소나노튜브 층 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 이중벽 탄소나노튜브 기판을 제조하는 단계에서, 상기 이중벽 탄소나노튜브 기판을 제조 후,24 시간 동안 에탄올에 침지하는 것을 특징으로 하는 p-도핑이 제어된 이중벽 탄소나노튜브 층 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 도핑하는 단계에서,상기 스핀 코팅은 50 내지 70초 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 p-도핑이 제어된 이중벽 탄소나노튜브 층 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 도핑하는 단계에서,상기 건조는 120 내지 140℃에서 20 내지 40분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 p-도핑이 제어된 이중벽 탄소나노튜브 층 제조방법
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제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 p-도핑이 제어된 이중벽 탄소나노튜브 층
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제 8항에 있어서,상기 이중벽 탄소나노튜브 층은,시트 저항(Rsheet)이 99 내지 159 Ω sq-1 인 것을 특징으로 하는 p-도핑이 제어된 이중벽 탄소나노튜브 층
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제 8항에 있어서,상기 이중벽 탄소나노튜브 층은,광전자 수율 분광법(PYS)에 의해 측정 된 페르미 레벨이 5
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제 8항에 있어서,상기 이중벽 탄소나노튜브 층은,라만 분광법에서 200 내지 350 cm-1 사이의 방사형 호흡 모드 (RBM) 영역의 피크가 형성되는 것을 특징으로 하는 p-도핑이 제어된 이중벽 탄소나노튜브 층
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이중벽 탄소나노튜브가 코팅 된 기판을 가열하여 계면 활성제가 제거한 후, 트리플릭산 용액으로 도핑하여 이중벽 탄소나노튜브 층을 제조하는 단계;상기 이중벽 탄소나노튜브 층 상단에 폴리트리아릴아민(poly(triaryl amine, PTAA)을 스핀 코팅한 후 어닐링하여 폴리트리아릴아민(poly(triaryl amine, PTAA) 층을 제조하는 단계;상기 폴리트리아릴아민(poly(triaryl amine, PTAA) 층 상단에 요오드화납(PbI2), 요오드화 메틸 암모늄(MAI), 요오드화 포름아미디늄(FAI) 및 요소가 첨가된 디메틸 설폭사이드(DMSO)를 N-디메틸 포름아미드(DMF)에 용해시켜 MA0
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제 12항에 있어서,상기 이중벽 탄소나노튜브 층의 제조 단계는,이중벽 탄소나노튜브 분산액을 희석한 다음 유리 기판에 슬롯 다이 코팅 한 다음, 가열하여 이중벽 탄소나노튜브 기판을 합성하는 1-1단계;상기 이중벽 탄소나노튜브 기판을 300 내지 500℃에서 챔버에 넣고 가열하여 계면 활성제가 제거된 이중벽 탄소나노튜브 기판을 제조하는 1-2단계; 및상기 계면 활성제가 제거된 이중벽 탄소나노튜브 기판에 트리플릭산 용액으로 스핀 코팅한 후 건조하여 도핑하는 1-3단계;에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 p-도핑이 제어된 이중벽 탄소나노튜브 페로브스카이트 태양전지 제조방법
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제 12항에 있어서,상기 폴리트리아릴아민(poly(triaryl amine, PTAA) 층의 제조 단계는,2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane(F4 TCNQ) 용액에 용해시켜 폴리트리아릴아민(poly(triaryl amine, PTAA) 용액을 제조하는 제2-1단계; 상기 이중벽 탄소나노튜브 층 상단에 상기 제조된 폴리트리아릴아민(poly(triaryl amine, PTAA) 용액을 스핀 코팅하는 제2-2단계;100℃의 온도에서 어닐링하는 제2-3단계;에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 p-도핑이 제어된 이중벽 탄소나노튜브 페로브스카이트 태양전지 제조방법
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제 12항에 있어서,상기 페로브스카이트 층의 제조 단계는,요소 용액을 디메틸 설폭사이드(DMSO)에 용해하여 입자 결정화를 유도하는 제3-1단계;상기 요오드화납(PbI2), 요오드화 메틸 암모늄(MAI), 요오드화 포름아미디늄(FAI) 및 디메틸 설폭사이드(DMSO)에 용해시킨 요소 용액을 상기 N-디메틸 포름아미드(DMF)에 용해하여 페로브스카이트 전구체 용액을 제조하는 제3-2단계;상기 페로브스카이트 전구체 용액을 상기 스핀 코팅 시 디에틸에테르 반 용매(diethyl ether antisolvent)를 도포하면서 스핀 코팅하는 제3-3단계;페로브스카이트 중간상의 투명 막이 형성되면, 어닐링 한 후 흑색 페로브스카이트 막으로 변화하는 제3-4단계;에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 p-도핑이 제어된 이중벽 탄소나노튜브 페로브스카이트 태양전지 제조방법
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탄소 기반 투명전극인 이중벽 탄소나노튜브 층;상기 이중벽 탄소나노튜브 층 상단에 적층된 폴리트리아릴아민(PTAA) 층;상기 폴리트리아릴아민(PTAA) 층 상단에 적층된 페로브스카이트 층;상기 페로브스카이트 층 상단에 적층된 풀러렌(C60)/바소쿠프로인(BCP) 층; 및상기 풀러렌(C60)/바소쿠프로인(BCP) 층 상단에 적층된 은(Ag) 층;로 구성되는 것을 특징으로 하는 p-도핑이 제어된 이중벽 탄소나노튜브 페로브스카이트 태양전지
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제 16항에 있어서,상기 태양전지는,채우기 계수(Fill Factor, FF)가 77 내지 78인 것을 특징으로 하는 p-도핑이 제어된 이중벽 탄소나노튜브 페로브스카이트 태양전지
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